本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理,涵蓋Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點等;將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等,并詳細介紹了測試標準、方法和原理,同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)等;重點從測試標準、方法、理論和實際應(yīng)用各方面,詳細介紹了高溫可靠性測試和封裝可靠性測試及其難點。本書結(jié)合企業(yè)實際需求,貼近工業(yè)實踐,知識內(nèi)容新穎,可為工業(yè)界以及高校提供前沿數(shù)據(jù),為高校培養(yǎng)專業(yè)人才奠定基礎(chǔ)。本書可作為功率半導(dǎo)體領(lǐng)域研究人員、企業(yè)技術(shù)人員的參考書,也可作為電力電子、微電子等相關(guān)專業(yè)高年級本科生和研究生教材。
功率半導(dǎo)體器件是能量變換中最為核心的部件,其封裝技術(shù)水平?jīng)Q定了整個變換器的性能水平和工作效率,其可靠性水平更是決定了變換器的長期運行穩(wěn)定性。不同應(yīng)用場景對功率半導(dǎo)體器件使用壽命要求是不一樣的,5年到40年不等,如消費品一般為5年,工業(yè)產(chǎn)品一般為10年,汽車一般為20年,電力機車一般為30年,電網(wǎng)現(xiàn)在要求是40年。近年來,隨著新能源汽車、新能源發(fā)電和儲能等行業(yè)的迅猛發(fā)展,對功率半導(dǎo)體器件的需求和要求提出了更多挑戰(zhàn),尤其是封裝和可靠性方面。從整個功率半導(dǎo)體行業(yè)鏈條芯片工藝封裝可靠性應(yīng)用來看,封裝和可靠性是與實際應(yīng)用最接近和結(jié)合最緊密的環(huán)節(jié),同時,測試又是各個環(huán)節(jié)都不可或缺的。芯片制造需要測試、封裝需要測試、可靠性需要測試,以及實際應(yīng)用也需要測試來評估器件的狀態(tài)等,隨著用戶對器件的理解加深以及要求提升,國內(nèi)對功率半導(dǎo)體器件封裝、測試和可靠性的需求也越來越強烈。國內(nèi)在功率半導(dǎo)體器件的應(yīng)用領(lǐng)域已經(jīng)領(lǐng)先,得益于完善的教育機制和人才培養(yǎng)體系、融洽的產(chǎn)學(xué)研氛圍,以及最為重要的市場推動,但在器件封裝、測試和可靠性領(lǐng)域起步較晚,整個產(chǎn)業(yè)還存在很大的缺口,尤其是人才培養(yǎng)方面極缺。
本書是基于當下功率半導(dǎo)體行業(yè)迅猛發(fā)展對高校學(xué)生尤其是研究生以及行業(yè)工程師基礎(chǔ)理論知識和專業(yè)測試技能等需求,并充分結(jié)合筆者課題組新研究生入學(xué)基礎(chǔ)培訓(xùn)大綱的核心內(nèi)容,以及行業(yè)前沿學(xué)術(shù)研究而編寫的。在內(nèi)容選取和章節(jié)編排上堅持理論與實踐相結(jié)合,一方面考慮了高年級本科生或研究生的科研需求,有一定的基礎(chǔ)理論知識;另一方面融合了行業(yè)發(fā)展的實際需求和工程師實踐的復(fù)現(xiàn)性和可參考性,以實際案例對測試標準、測試方法和測試結(jié)果分析等進行了詳細描述。在內(nèi)容闡述上力求簡明扼要和圖文并茂,爭取把每個知識點講透,方便讀者自學(xué)和工程師在實際工作中參考。因此,本書編寫的出發(fā)點更多的是考慮實踐,關(guān)于功率半導(dǎo)體芯片的半導(dǎo)體理論知識和工藝過程,可參考國內(nèi)外其他半導(dǎo)體相關(guān)的專業(yè)書籍。
本書共分為10章,第1章和第2章為功率半導(dǎo)體器件的基礎(chǔ)知識,有助于讀者對功率器件有個全面和基礎(chǔ)的認識;第3章到第5章為器件的特性測試內(nèi)容,有助于讀者對功率器件的特性進行全面把握,了解器件在實際應(yīng)用中的特性;第6章到第8章為器件的可靠性測試,分為三大類環(huán)境可靠性、電應(yīng)力可靠性和功率循環(huán),便于讀者在理解器件可靠性,做可靠性測試分析、數(shù)據(jù)分析和壽命模型時有所參照;第9章講述的是高壓芯片及應(yīng)用時需要重點關(guān)注的問題宇宙射線失效,對應(yīng)的是浴盆曲線中間(隨機失效部分),有助于指導(dǎo)器件應(yīng)用方在高海拔地區(qū)的降額使用,以保證系統(tǒng)的失效率;第10章是結(jié)合前面9章的內(nèi)容及當前行業(yè)發(fā)展需求,對功率半導(dǎo)體器件封裝、測試和可靠性這三個大的方面進行了展望,預(yù)測了未來發(fā)展趨勢。各章具體內(nèi)容如下。
第1章功率半導(dǎo)體器件,重點從器件的應(yīng)用角度出發(fā)來探究不同應(yīng)用領(lǐng)域?qū)β拾雽?dǎo)體器件的需求,尤其是封裝形式和可靠性的要求,然后針對不同芯片材料給出了現(xiàn)有主流器件(PiN二極管、MOS器件、IGBT器件、SiC MOSFET、GaN HEMT和GaAs二極管)的基本工作原理,最后從半導(dǎo)體芯片設(shè)計、工藝、測試角度出發(fā)介紹了半導(dǎo)體基本工藝、晶圓級測試和仿真分析技術(shù)。
第2章功率器件的封裝,重點介紹了現(xiàn)有分立式封裝、模塊式封裝和壓接型封裝三大類的特點、材料、工藝和設(shè)備,然后針對器件的柵極驅(qū)動以及數(shù)據(jù)表進行了深入解讀,最后結(jié)合功率器件封裝設(shè)計的需要,對封裝的仿真分析技術(shù)進行了介紹。
第3章器件特性測試,重點從器件靜態(tài)參數(shù)、動態(tài)參數(shù)和熱學(xué)參數(shù)三個方面來展示、論述,對測試標準、測試技術(shù)、測試設(shè)備等進行了分析,并結(jié)合各參數(shù)的特點分析了測試電路和難點等。
第4章器件結(jié)溫測試,結(jié)溫是功率器件封裝、測試、可靠性和應(yīng)用最重要的參數(shù)之一,其準確測量一直是行業(yè)難題。本章重點從器件結(jié)溫的定義、測試方法、測試原理,以及存在的難點出發(fā)進行了詳細論述,同時還展示了器件內(nèi)部多芯片并聯(lián)及單芯片表面結(jié)溫分布的測量技術(shù)。
第5章器件極限能力測試,重點對功率器件的短路能力、極限關(guān)斷能力和浪涌能力的測試標準、測試技術(shù)和測試方法等進行了詳細論述,探究了器件三種極限能力測試原理和失效機理,并提出了可靠性提升的改進方向。
第6章環(huán)境可靠性測試,首先對可靠性測試理論進行了探討,然后主要分析了機械振動、機械沖擊、溫度沖擊和高低溫存儲四類不需要施加電應(yīng)力的可靠性測試技術(shù)、原理和失效機理。
第7章電應(yīng)力可靠性測試,主要考慮環(huán)境應(yīng)力與電應(yīng)力的耦合,包括高溫柵偏、高溫反偏、高溫高濕反偏的測試原理、方法、失效機理和判定以及可靠性提升技術(shù)。進一步地,考慮到有限仿真分析技術(shù)的優(yōu)越性,還介紹了其在上述測試過程中的應(yīng)用,以協(xié)助失效機理研究。
第8章功率循環(huán)測試,是評估器件封裝可靠性和壽命模型建立最重要的測試,詳細論述了現(xiàn)有各個測試標準規(guī)定的測試方法和技術(shù),探究了不同測試方法對器件壽命和失效機理的影響。結(jié)合材料力學(xué)深入探究了功率器件鍵合線失效、焊料失效、表面鋁金屬化層等的物理失效機理和提升技術(shù),討論了器件壽命模型的建立方法和意義并分析了樣本選取原則。同時,針對功率循環(huán)失效機理分析的有限元仿真技術(shù)也進行了詳細論述,最后對寬禁帶半導(dǎo)體的測試結(jié)果和難點進行了分析。
第9章宇宙射線失效,針對宇宙射線的來源、失效形式和機理進行了詳細論述,核心考慮器件工作電壓、海拔高度和工作結(jié)溫對器件失效的影響,建立了失效率模型,并深入探究了Si MOSFET、SiC MOSFET和IGBT的失效特點,最后提出了抗宇宙射線提升技術(shù)。
第10章未來發(fā)展趨勢,結(jié)合未來功率器件的應(yīng)用需求,重點分析了器件在封裝、測試和可靠性三個方面的挑戰(zhàn)和發(fā)展趨勢。
本書在編寫過程中得到團隊博士研究生王延浩、謝露紅、潘茂楊、嚴雨行、孫鴻禹、孟鶴立、張一鳴以及碩士研究生鐘巖、劉鵬、吳立信、張瑩、王作藝和汪霞等的大力支持,對他們的付出表示感謝!同時,驅(qū)動技術(shù)和短路測試部分得到德國開姆尼茨工業(yè)大學(xué)劉星博士的意見和建議,在此表示感謝!
由于編者水平所限,書中不足之處在所難免,敬請讀者批評指正。
鄧二平
合肥工業(yè)大學(xué)
第1章功率半導(dǎo)體器件 1
1.1器件的應(yīng)用和發(fā)展1
1.2材料特性分析4
1.2.1硅材料5
1.2.2碳化硅材料6
1.2.3氮化鎵材料7
1.2.4砷化鎵材料8
1.2.5其他半導(dǎo)體材料8
1.3功率半導(dǎo)體器件分類10
1.4器件工作原理11
1.4.1PiN二極管11
1.4.2MOS器件15
1.4.3IGBT器件23
1.4.4GaN器件26
1.4.5GaAs二極管31
1.5半導(dǎo)體仿真分析32
1.5.1TCAD仿真概述33
1.5.2仿真結(jié)構(gòu)33
1.5.3物理模型34
1.5.4準靜態(tài)掃描35
1.5.5瞬態(tài)掃描36
1.6晶圓級測試38
1.7小結(jié)41
參考文獻42
第2章功率器件的封裝 43
2.1封裝的目的和意義43
2.2分立式封裝44
2.2.1分立式封裝的特點44
2.2.2分立式封裝的材料45
2.2.3分立式封裝的工藝47
2.2.4分立式封裝的設(shè)備50
2.3模塊式封裝52
2.3.1模塊式封裝的特點52
2.3.2模塊式封裝的材料54
2.3.3模塊式封裝的工藝56
2.3.4模塊式封裝的設(shè)備57
2.4壓接型封裝58
2.4.1壓接型封裝的特點58
2.4.2壓接型封裝的材料62
2.4.3壓接型封裝的工藝64
2.4.4壓接型封裝的設(shè)備65
2.5器件數(shù)據(jù)表的解讀67
2.5.1穩(wěn)態(tài)額定值67
2.5.2靜態(tài)參數(shù)69
2.5.3動態(tài)參數(shù)70
2.5.4熱學(xué)參數(shù)解讀71
2.5.5極限能力參數(shù)解讀72
2.6柵極驅(qū)動技術(shù)73
2.6.1柵極驅(qū)動的必要性及難點73
2.6.2柵極驅(qū)動的保護功能79
2.7器件封裝的仿真分析82
2.7.1電流均衡仿真技術(shù)83
2.7.2結(jié)溫及分布仿真技術(shù)87
2.7.3熱應(yīng)力仿真技術(shù)88
2.8小結(jié)90
參考文獻90
第3章器件特性測試 92
3.1器件靜態(tài)參數(shù)測試92
3.1.1測試標準分析92
3.1.2測試技術(shù)和設(shè)備93
3.1.3正向壓降測試94
3.1.4柵極漏電流測試95
3.1.5集射極阻斷特性測試95
3.1.6閾值電壓測試96
3.2器件動態(tài)參數(shù)測試97
3.2.1測試標準分析97
3.2.2測試技術(shù)和設(shè)備97
3.2.3測試參數(shù)分析98
3.2.4測試難點分析103
3.3器件熱學(xué)參數(shù)測試104
3.3.1熱阻的定義104
3.3.2熱阻測試標準和方法107
3.3.3熱電偶法112
3.3.4瞬態(tài)雙界面法121
3.3.5結(jié)構(gòu)函數(shù)法123
3.4小結(jié)127
參考文獻127
第4章器件結(jié)溫測量 128
4.1結(jié)溫的定義128
4.2結(jié)溫測量方法129
4.2.1物理接觸法129
4.2.2光學(xué)測量法130
4.2.3溫敏電參數(shù)法131
4.2.4其他方法132
4.3基于通態(tài)特性的測試方法134
4.3.1大電流飽和壓降法134
4.3.2小電流飽和壓降法138
4.3.3閾值電壓法139
4.4基于動態(tài)特性的測試方法141
4.4.1時間測量141
4.4.2斜率測量141
4.5基于封裝特性的測試方法142
4.5.1寄生電感142
4.5.2柵極內(nèi)部電阻142
4.6結(jié)溫分布測量143
4.6.1多芯片并聯(lián)結(jié)溫分布143
4.6.2單芯片溫度分布146
4.7小結(jié)149
參考文獻149
第5章器件極限能力測試 151
5.1極限能力的定義151
5.1.1反偏安全工作區(qū)(RBSOA)153
5.1.2短路安全工作區(qū)(SCSOA)154
5.1.3正偏安全工作區(qū)(FBSOA)156
5.2短路能力測試158
5.2.1短路測試標準158
5.2.2短路特性介紹160
5.2.3短路測試原理162
5.2.4短路測試設(shè)備167
5.2.5短路保護技術(shù)170
5.2.6短路對封裝的影響172
5.2.7短路能力提升技術(shù)174
5.3極限關(guān)斷能力測試175
5.3.1極限關(guān)斷能力的定義175
5.3.2極限關(guān)斷能力表征177
5.3.3IGBT極限關(guān)斷能力提升179
5.4浪涌能力測試180
5.4.1浪涌能力測試標準181
5.4.2浪涌能力測試技術(shù)和設(shè)備181
5.4.3外置反并聯(lián)二極管浪涌能力184
5.4.4SiC MOSFET體二極管浪涌能力191
5.4.5浪涌能力提升技術(shù)193
5.5小結(jié)195
參考文獻196
第6章環(huán)境可靠性測試 197
6.1可靠性測試理論197
6.2環(huán)境可靠性測試分類201
6.3機械振動202
6.3.1測試技術(shù)202
6.3.2測試設(shè)備203
6.3.3失效機理205
6.4機械沖擊205
6.4.1測試技術(shù)205
6.4.2測試設(shè)備206
6.4.3失效機理206
6.5溫度沖擊207
6.5.1測試技術(shù)207
6.5.2測試設(shè)備208
6.5.3失效機理209
6.6高低溫存儲210
6.6.1測試技術(shù)210
6.6.2測試設(shè)備210
6.6.3失效機理211
6.7小結(jié)212
參考文獻213
第7章電應(yīng)力可靠性測試 214
7.1壽命可靠性測試分類214
7.2測試技術(shù)和設(shè)備215
7.3高溫柵偏測試216
7.3.1測試原理和方法216
7.3.2失效機理和判定218
7.3.3可靠性提升技術(shù)222
7.4高溫反偏測試223
7.4.1測試原理和方法223
7.4.2失效機理和判定225
7.4.3可靠性提升技術(shù)231
7.5高溫高濕反偏測試233
7.5.1測試原理和方法233
7.5.2失效機理和判定236
7.5.3可靠性提升技術(shù)240
7.6仿真分析技術(shù)242
7.6.1環(huán)境溫度的仿真243
7.6.2偏置電壓的仿真243
7.6.3環(huán)境濕度的仿真244
7.7未來發(fā)展方向249
參考文獻249
第8章功率循環(huán)測試 252
8.1測試標準和技術(shù)252
8.1.1IEC標準252
8.1.2MIL標準254
8.1.3JESD標準254
8.1.4AQG 324255
8.2測試方法分類260
8.2.1DC功率循環(huán)261
8.2.2帶開關(guān)損耗的DC功率循環(huán)263
8.2.3PWM(AC)功率循環(huán)265
8.2.4對比分析270
8.3失效形式和機理分析271
8.3.1鍵合線失效274
8.3.2焊料失效290
8.3.3表面鋁層金屬化306
8.3.4其他失效309
8.3.5數(shù)值分析312
8.4功率循環(huán)測試方法313
8.4.1測試技術(shù)313
8.4.2測試方法318
8.4.3測試設(shè)備323
8.5壽命模型分析334
8.5.1經(jīng)驗壽命模型334
8.5.2物理壽命模型337
8.5.3關(guān)鍵參數(shù)影響機理344
8.5.4壽命預(yù)測技術(shù)348
8.6數(shù)理統(tǒng)計理論351
8.6.1樣本選擇原則352
8.6.2可靠性數(shù)理統(tǒng)計354
8.7有限元仿真技術(shù)357
8.7.1仿真模型的校準技術(shù)357
8.7.2純熱仿真技術(shù)359
8.7.3電熱耦合仿真技術(shù)361
8.7.4電熱力耦合仿真技術(shù)363
8.7.5疲勞和壽命仿真技術(shù)363
8.8寬禁帶器件功率循環(huán)測試364
8.8.1SiC MOSFET功率循環(huán)測試364
8.8.2GaN HEMT功率循環(huán)測試368
8.9小結(jié)372
參考文獻372
第9章宇宙射線失效 376
9.1宇宙射線失效定義376
9.1.1宇宙射線來源376
9.1.2宇宙射線失效驗證377
9.1.3宇宙射線失效形式379
9.2宇宙射線失效機理380
9.2.1宇宙射線失效模型380
9.2.2器件的基本設(shè)計規(guī)則381
9.2.3失效率模型382
9.3不同器件的失效特點385
9.3.1Si MOSFET385
9.3.2SiC MOSFET388
9.3.3IGBT389
9.4抗宇宙射線提升技術(shù)390
9.5小結(jié)392
參考文獻392
第10章未來發(fā)展趨勢 394