定 價：35 元
叢書名：普通高等教育“十一五”電子信息類規(guī)劃教材
- 作者：裴素華 等編著
- 出版時間：2008/9/1
- ISBN：9787111247319
- 出 版 社：機械工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TN303
- 頁碼：327
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開本：16開
本書較系統(tǒng)全面地闡述了半導(dǎo)體物理的基礎(chǔ)知識和典型半導(dǎo)體器件的工作原理、工作特性。具體內(nèi)容包括：半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)、PN結(jié)機理與特性、雙極型晶體管、MOS場效應(yīng)晶體管、半導(dǎo)體器件制備技術(shù)、Ga在SiO（2）/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜共6章。每章后附有內(nèi)容小結(jié)、思考題和習(xí)題。書后有附錄，附錄A是本書的主要符號表，附錄B是常用物理常數(shù)表，附錄c是鍺、硅、砷化鎵主要物理性質(zhì)表，附錄D是求擴散結(jié)雜質(zhì)濃度梯度的圖表和方法。對本書各章內(nèi)容可以單獨選擇或任意組合使用。
本書可作為半導(dǎo)體、微電子技術(shù)、應(yīng)用物理等電子信息類專業(yè)本科生的必修教材，也可作為電子學(xué)相關(guān)專業(yè)本科生、研究生選修課教材，以及供信息技術(shù)領(lǐng)域人員參考。本書配有免費的教學(xué)課件，歡迎選用本書作為教材的老師索取。
前言
第1章 半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)
1.1 半導(dǎo)體與基本晶體結(jié)構(gòu)
1.1.1 半導(dǎo)體
1.1.2 半導(dǎo)體材料的基本特性
1.1.3 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1.4 晶面及其表示方法
1.1.5 半導(dǎo)體材料簡介
1.2 半導(dǎo)體的能帶
1.2.1 孤立原子中電子能級
1.2.2 晶體中電子的能帶
1.2.3 硅晶體能帶的形成過程
1.2.4 能帶圖的意義及簡化表示
1.3 本征半導(dǎo)體與本征載流子濃度
1.3.1 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu) 前言
第1章 半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)
1.1 半導(dǎo)體與基本晶體結(jié)構(gòu)
1.1.1 半導(dǎo)體
1.1.2 半導(dǎo)體材料的基本特性
1.1.3 半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)
1.1.4 晶面及其表示方法
1.1.5 半導(dǎo)體材料簡介
1.2 半導(dǎo)體的能帶
1.2.1 孤立原子中電子能級
1.2.2 晶體中電子的能帶
1.2.3 硅晶體能帶的形成過程
1.2.4 能帶圖的意義及簡化表示
1.3 本征半導(dǎo)體與本征載流子濃度
1.3.1 本征半導(dǎo)體的導(dǎo)電機構(gòu)
1.3.2 熱平衡狀態(tài)與熱平衡載流子濃度
1.3.3 本征載流子濃度
1.3.4 費米能級與載流子濃度的關(guān)系
1.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體與雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
1.4.1 N型半導(dǎo)體與P型半導(dǎo)體
1.4.2 施主與受主雜質(zhì)能級
1.4.3 雜質(zhì)半導(dǎo)體的載流子濃度
1.4.4 雜質(zhì)半導(dǎo)體的費米能級及其與雜質(zhì)濃度的關(guān)系
1.4.5 雜質(zhì)半導(dǎo)體隨溫度的變化
1.5 非平衡載流子
1.5.1 非平衡載流子的產(chǎn)生
1.5.2 非平衡載流子的壽命
1.5.3 非平衡載流子的復(fù)合類型
1.5.4 準費米能級
1.6 載流子的漂移運動
1.6.1 載流子的熱運動與漂移運動
1.6.2 遷移率
1.6.3 半導(dǎo)體樣品中的漂移電流密度
1.6.4 半導(dǎo)體的電阻率
1.7 載流子的擴散運動
1.7.1 擴散方程的建立
1.7.2 根據(jù)相應(yīng)的邊界條件確定△p(x)的特解
1.7.3 擴散系數(shù)與遷移率的關(guān)系愛因斯坦關(guān)系式
1.7.4 擴散長度的物理意義
1.7.5 連續(xù)性方程
本章小結(jié)
思考題和習(xí)題
第2章 PN結(jié)機理與特性
2.1 平衡PN結(jié)的機理與特性
2.1.1 PN結(jié)的制備與雜質(zhì)分布
2.1.2 平衡PN結(jié)形成與能帶
2.1.3 平衡PN結(jié)的接觸電勢差
2.1.4 平衡PN結(jié)的載流子濃度分布
2.2 正向PN結(jié)機理與特性
2.2.1 正向偏置與正向注入效應(yīng)
2.2.2 正向PN結(jié)邊界少子濃度和少子濃度分布
2.2.3 正向PN結(jié)電流一電壓方程式
2.2.4 PN結(jié)正向電流的討論’
2.2.5 PN結(jié)的大注入效應(yīng)
2.2.6 正向PN結(jié)空間電荷區(qū)復(fù)合電流
2.3 反向PN結(jié)的機理與特性
2.3.1 反向偏置與反向抽取作用
2.3.2 反向PN結(jié)邊界少子濃度和少子濃度分布
2.3.3 反向PN結(jié)電流-電壓方程式
2.3.4 反向PN結(jié)空間電荷區(qū)的產(chǎn)生電流
2.3.5 PN結(jié)表面漏電流
2.3.6 PN結(jié)的伏安特性
2.4 PN結(jié)空間電荷區(qū)的電場、電位分布和寬度
……
第3章 雙極型晶體管
第4章 MOS場效應(yīng)晶體管
第5章 半導(dǎo)體器件制備技術(shù)
第6章 Ga在SiO2/Si結(jié)構(gòu)下的開管摻雜
參考文獻
第1章 半導(dǎo)體材料的基本性質(zhì)
作為一名信息社會的大學(xué)生，尤其是應(yīng)用物理、微電子學(xué)、微電子技術(shù)、計算機科學(xué)、電子工程與技術(shù)、材料科學(xué)、自動控制、電機工程、通信等專業(yè)的本科生和研究生，可能會問為什么要學(xué)習(xí)半導(dǎo)體物理與器件？答案很簡單，其一，自1998年以來，以半導(dǎo)體器件為基礎(chǔ)的電子工業(yè)已發(fā)展成為世界上規(guī)模最大的工業(yè)；其二，當你們擁有半導(dǎo)體器件最基本的知識后，對深入理解和應(yīng)用電子學(xué)的相關(guān)課程幫助很大，從而使你們對現(xiàn)在這個由電子技術(shù)發(fā)展而來的信息時代貢獻會更大。
半導(dǎo)體物理學(xué)是半導(dǎo)體器件物理的基礎(chǔ)，為此本書首要概括敘述半導(dǎo)體物理學(xué)的基本內(nèi)容，著重介紹半導(dǎo)體材料的基本特性及其與器件原理相關(guān)的概念和結(jié)論。本章以3種最重要的半導(dǎo)體材料：硅（si）、鍺（Ge）、砷化鎵（GaAs）為對象，介紹半導(dǎo)體的晶體結(jié)構(gòu)，在此基礎(chǔ)上簡要論述能帶理論；求出熱平衡條件下本征半導(dǎo)體的載流子濃度；介紹雜質(zhì)半導(dǎo)體及其相關(guān)特性；敘述非平衡載流子的產(chǎn)生、復(fù)合與壽命；對半導(dǎo)體中載流子的漂移運動和擴散運動進行討論，并建立起連續(xù)性方程，為第2章PN結(jié)及全書的內(nèi)容奠定基礎(chǔ)。
1.1 半導(dǎo)體與基本晶體結(jié)構(gòu)
1.1.1 半導(dǎo)體
自然界中的物質(zhì)大致可分為氣體、液體、固體、等離子體4種基本形態(tài)。因晶體管、集成電路均為固體器件，所以我們關(guān)注的是固體材料。對于固體材料，若按結(jié)構(gòu)形式可分為晶體與非晶體兩類，而晶體又可分為單晶體和多晶體兩種。目前用來制造半導(dǎo)體器件的典型半導(dǎo)體材料硅、鍺、砷化鎵還必須是單晶體。除此之外，對于固體材料，若按它們的導(dǎo)電能力則可以分為導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體3種。
……
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