《集成電路制造工藝/全國高等職業(yè)教育規(guī)劃教材》所涉及的內(nèi)容，包括了集成電路制造中所需要掌握的基本理論知識(shí)，內(nèi)容比較齊全，注重對(duì)操作技能的描述，包括工藝流程操作過程，設(shè)備及操作方法。
《集成電路制造工藝/全國高等職業(yè)教育規(guī)劃教材》以項(xiàng)目為導(dǎo)向，任務(wù)驅(qū)動(dòng)的宗旨安排教材內(nèi)容，按照生產(chǎn)一個(gè)雙極型晶體管的工藝流程，分別介紹了氧化工藝、擴(kuò)散工藝、光刻工藝、刻蝕工藝和金屬化等主要工藝。同時(shí)，介紹了目前主流的VLSI制造工藝中的關(guān)鍵工藝，如CVD工藝、離子注入工藝等。
《集成電路制造工藝/全國高等職業(yè)教育規(guī)劃教材》主要面向高職高專微電子技術(shù)專業(yè)學(xué)生，同時(shí)也可以作為集成電路制造企業(yè)工藝工程師和技師的參考書，還可以作為集成電路制造企業(yè)教育培訓(xùn)和資格認(rèn)證的教材。
全面系統(tǒng)地介紹了集成電路的制造工藝
注重理論與實(shí)踐相結(jié)合
集成電路產(chǎn)業(yè)是信息技術(shù)產(chǎn)業(yè)的核心，是支撐經(jīng)濟(jì)社會(huì)發(fā)展和保障國家安全的戰(zhàn)略性、基礎(chǔ)性和先導(dǎo)性產(chǎn)業(yè)。今年來，我國集成電路產(chǎn)業(yè)快速發(fā)展，整體實(shí)力顯著提升，集成電路設(shè)計(jì)、制造能力與國際先進(jìn)水平差距不斷縮小，集成電路制造企業(yè)對(duì)集成電路制造高技能人才的需求在不斷擴(kuò)大，對(duì)人才的要求也在不斷提高。
本書主要介紹集成電路制造工藝的工藝流程，內(nèi)容包括半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展，集成電路制造工藝的主要工藝制程。在內(nèi)容選取上，側(cè)重介紹工藝流程的操作，以及設(shè)備的使用，依據(jù)高職學(xué)生的特點(diǎn)，簡(jiǎn)單的介紹了工藝的原理，讓學(xué)生能夠在掌握一定專業(yè)知識(shí)技能的前提下，熟練的掌握操作技能。在內(nèi)容的設(shè)計(jì)上，通過對(duì)集成電路制造企業(yè)的崗位需求分析，參照企業(yè)職業(yè)崗位能力標(biāo)準(zhǔn)，以項(xiàng)目為導(dǎo)向，任務(wù)驅(qū)動(dòng)的宗旨安排教材內(nèi)容。
本書的第1章介紹了集成電路產(chǎn)業(yè)背景，第2章介紹了集成電路制造中使用的材料，第3章分別介紹了雙極型集成電路制造工藝流程和CMOS工藝流程。第4章介紹了集成電路制造的超凈環(huán)境。第5章至第13章，按照集成電路制造工藝流程分別介紹了外延工藝、氧化工藝、化學(xué)氣相淀積工藝、隔離工藝、光刻工藝、刻蝕工藝、摻雜工藝和金屬化工藝，并在每章加入了實(shí)訓(xùn)內(nèi)容。第14章介紹了晶圓測(cè)試方法。附錄A以工業(yè)上生產(chǎn)雙極型晶體管為例，介紹了整個(gè)生產(chǎn)加工工藝流程。
本書內(nèi)容全面，講究實(shí)用性，注重工藝實(shí)踐操作的介紹，可作為高職微電子專業(yè)教材，也可供從事集成電路制造相關(guān)領(lǐng)域工作者參考。
本書由重慶城市管理職業(yè)學(xué)院的劉新、彭勇、呂坤頤、牟洪江和重慶工商職業(yè)學(xué)院蒲大雁共同編寫。其中，彭勇編寫第1章；呂坤頤編寫第2章；劉新編寫第3、4、5、6、7、8、9、10、11、12章、附錄及全書實(shí)訓(xùn)內(nèi)容，牟洪江編寫第13章，蒲大雁編寫第14章。
本書在編寫過程中，得到了重慶郵電大學(xué)唐政維老師的指導(dǎo)，重慶鷹谷光電有限公司的各位工程師也給出了很多的意見和建議，對(duì)他們的支持和幫助表示感謝。
第1章 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)概況
1.1 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展歷程
1.2 電路集成
1.3 半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)發(fā)展趨勢(shì)
1.4 半導(dǎo)體制造產(chǎn)業(yè)及職業(yè)
復(fù)習(xí)題
第2章 硅襯底的制備
2.1 半導(dǎo)體材料
2.2 硅材料的制備
2.3 硅襯底的制備
復(fù)習(xí)題
第3章 集成電路制造工藝概況
3.1 雙極型晶體管制造工藝概況
3.2 MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管工藝概況
3.3 CMOS集成電路工藝概況
復(fù)習(xí)題
第4章 集成電路制造中的污染控制
4.1 集成電路制造中的玷污
4.2 玷污的源與控制
4.3 清洗工藝
4.4 清洗工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第5章 外延工藝
5.1 外延
5.2 外延設(shè)備
5.3 氣相外延
5.4 分子束外延
5.5 低壓選擇外延
5.6 外延工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第6章 氧化工藝
6.1 二氧化硅膜的結(jié)構(gòu)、性質(zhì)與應(yīng)用
6.2 熱氧化生長二氧化硅薄膜
6.3 二氧化硅膜的質(zhì)量檢測(cè)
6.4 氧化設(shè)備
6.5 氧化工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第7章 化學(xué)氣相淀積
7.1 薄膜
7.2 化學(xué)氣相淀積的原理
7.3 化學(xué)氣相淀積系統(tǒng)
7.4 二氧化硅薄膜淀積
7.4 氮化硅薄膜淀積
7.5 多晶硅薄膜淀積
7.6 金屬薄膜的淀積
7.7 化學(xué)氣相淀積生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第8章 隔離技術(shù)
8.1 PN結(jié)隔離
8.2 介質(zhì)隔離
8.3 PN結(jié)-介質(zhì)隔離
8.4 MOS與CMOS中的隔離技術(shù)
復(fù)習(xí)題
第9章 光刻工藝
9.1 光刻概念
9.2 光刻的工藝流程
9.3 光刻設(shè)備
9.4 光刻工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第10章 刻蝕工藝
10.1 刻蝕
10.2 濕法刻蝕工藝
10.3 干法刻蝕工藝
10.4 刻蝕質(zhì)量檢測(cè)
10.5 刻蝕工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第11章 摻雜工藝
11.1 摻雜
11.2 擴(kuò)散
11.3 離子注入
11.4 擴(kuò)散工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
第12章 金屬化
12.1 金屬化概念
12.2 金屬淀積
12.3 金屬化工藝流程
12.4 金屬化工藝生產(chǎn)實(shí)訓(xùn)
復(fù)習(xí)題
第13章 平坦化工藝
13.1 平坦化的概念
13.2 傳統(tǒng)平坦化技術(shù)
13.3 化學(xué)機(jī)械平坦化
13.4 CMP設(shè)備組成
13.5 CMP清洗
復(fù)習(xí)題
第14章 晶圓測(cè)試
14.1 晶圓測(cè)試
14.2 晶圓測(cè)試設(shè)備
14.3 晶圓測(cè)試流程
復(fù)習(xí)題
附錄 晶體管生產(chǎn)工藝實(shí)訓(xùn)
參考文獻(xiàn)
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