第1章  集成電路芯片封裝概述  1.1  芯片封裝技術(shù)    1.1.1  概念    1.1.2  芯片封裝的技術(shù)領(lǐng)域    1.1.3  芯片封裝所實(shí)現(xiàn)的功能  1.2  封裝技術(shù)    1.2.1   第1章 集成電路芯片封裝概述 1.1 芯片封裝技術(shù) 1.1.1 概念 1.1.2 芯片封裝的技術(shù)領(lǐng)域 1.1.3 芯片封裝所實(shí)現(xiàn)的功能 1.2 封裝技術(shù) 1.2.1 封裝工程的技術(shù)層次 1.2.2 封裝的分類 1.2.3 封裝技術(shù)與封裝材料 1.3 微電子封裝技術(shù)的歷史和發(fā)展趨勢(shì) 1.3.1 歷史 1.3.2 發(fā)展趨勢(shì) 1.3.3 國(guó)內(nèi)封裝業(yè)的發(fā)展 復(fù)習(xí)與思考題1第2章 封裝工藝流程 2.1 概述 2.2 芯片的減薄與切割 2.2.1 芯片減薄 2.2.2 芯片切割 2.3 芯片貼裝 2.3.1 共晶粘貼法 2.3.2 焊接粘貼法 2.3.3 導(dǎo)電膠粘貼法 2.3.4 玻璃膠粘貼法 2.4 芯片互連 2.4.1 打線鍵合技術(shù) 2.4.2 載帶自動(dòng)鍵合技術(shù) 2.4.3 倒裝芯片鍵合技術(shù) 2.5 成型技術(shù) 2.6 去飛邊毛刺 2.7 上焊錫 2.8 切筋成型 2.9 打碼 2.10 元器件的裝配 復(fù)習(xí)與思考題2第3章 厚/薄膜技術(shù) 3.1 厚膜技術(shù) 3.1.1 厚膜工藝流程 3.1.2 厚膜物質(zhì)組成 3.2 厚膜材料 3.2.1 厚膜導(dǎo)體材料 3.2.2 厚膜電阻材料 3.2.3 厚膜介質(zhì)材料 3.2.4 釉面材料 3.3 薄膜技術(shù) 3.4 薄膜材料 3.5 厚膜與薄膜的比較 復(fù)習(xí)與思考題3第4章 焊接材料 4.1 概述 4.2 焊料 4.3 錫膏 4.4 助焊劑 4.5 焊接表面的前處理 4.6 無鉛焊料 4.6.1 世界立法的現(xiàn)狀 4.6.2 技術(shù)和方法 4.6.3 無鉛焊料和含鉛焊料 4.6.4 焊料合金的選擇 4.6.5 無鉛焊料的選擇和推薦 復(fù)習(xí)與思考題4第5章 印制電路板 5.1 印制電路板簡(jiǎn)介 5.2 硬式印制電路板 5.2.1 印制電路板的絕緣體材料 5.2.2 印制電路板的導(dǎo)體材料 5.2.3 硬式印制電路板的制作 5.3 軟式印制電路板 5.4 PCB多層互連基板的制作技術(shù) 5.4.1 多層PCB基板制作的一般工藝流程 5.4.2 多層PCB基板多層布線的基本原則 5.4.3 PCB基板制作的新技術(shù) 5.4.4 PCB基板面臨的問題及解決辦法 5.5 其他種類電路板 5.5.1 金屬夾層電路板 5.5.2 射出成型電路板 5.5.3 焊錫掩膜 5.6 印制電路板的檢測(cè) 復(fù)習(xí)與思考題5第6章 元器件與電路板的接合 6.1 元器件與電路板的接合方式 6.2 通孔插裝技術(shù) 6.2.1 彈簧固定式的引腳接合 6.2.2 引腳的焊接接合 6.3 表面貼裝技術(shù) 6.3.1 SMT組裝方式與組裝工藝流程 6.3.2 表面組裝中的錫膏及黏著劑涂覆 6.3.3 表面組裝中的貼片技術(shù) 6.3.4 表面組裝中的焊接 6.3.5 氣相再流焊與其他焊接技術(shù) 6.4 引腳架材料與工藝 6.5 連接完成后的清潔 6.5.1 污染的來源與種類 6.5.2 清潔方法與材料 復(fù)習(xí)與思考題6第7章 封膠材料與技術(shù) 7.1 順形涂封 7.2 涂封的材料 7.3 封膠 復(fù)習(xí)與思考題7第8章 陶瓷封裝 8.1 陶瓷封裝簡(jiǎn)介 8.2 氧化鋁陶瓷封裝的材料 8.3 陶瓷封裝工藝 8.4 其他陶瓷封裝材料 復(fù)習(xí)與思考題8第9章 塑料封裝 9.1 塑料封裝的材料 9.2 塑料封裝的工藝 9.3 塑料封裝的可靠性試驗(yàn) 復(fù)習(xí)與思考題9第10章 氣密性封裝 10.1 氣密性封裝的必要性 10.2 金屬氣密性封裝 10.3 陶瓷氣密性封裝 10.4 玻璃氣密性封裝 復(fù)習(xí)與思考題10第11章 封裝可靠性工程 11.1 概述 11.2 可靠性測(cè)試項(xiàng)目 11.3 T/C測(cè)試 11.4 T/S測(cè)試 11.5 HTS測(cè)試 11.6 TH測(cè)試 11.7 PC測(cè)試 11.8 Precon測(cè)試 復(fù)習(xí)與思考題11第12章 封裝過程中的缺陷分析 12.1 金線偏移 12.2 芯片開裂 12.3 界面開裂 12.4 基板裂紋 12.5 孔洞 12.6 芯片封裝再流焊中的問題 12.6.1 再流焊的工藝特點(diǎn) 12.6.2 翹曲 12.6.3 錫珠 12.6.4 墓碑現(xiàn)象 12.6.5 空洞 12.6.6 其他缺陷 12.7 EMC封裝成型常見缺陷及其對(duì)策 復(fù)習(xí)與思考題12第13章 先進(jìn)封裝技術(shù) 13.1 BGA技術(shù) 13.1.1 子定義及特點(diǎn) 13.1.2 BGA的類型 13.1.3 BGA的制作及安裝 13.1.4 BGA檢測(cè)技術(shù)與質(zhì)量控制 13.1.5 基板 13.1.6 BGA的封裝設(shè)計(jì) 13.1.7 BGA的生產(chǎn)、應(yīng)用及典型實(shí)例 13.2 CSP技術(shù) 13.2.1 產(chǎn)生的背景 13.2.2 定義和特點(diǎn) 13.2.3 CSP的結(jié)構(gòu)和分類 13.2.4 CSP的應(yīng)用現(xiàn)狀與展望 13.3 倒裝芯片技術(shù) 13.3.1 簡(jiǎn)介 13.3.2 倒裝片的工藝和分類 13.3.3 倒裝芯片的凸點(diǎn)技術(shù) 13.3.4 FC在國(guó)內(nèi)的現(xiàn)狀 13.4 WLP技術(shù) 13.4.1 簡(jiǎn)介 13.4.2 WLP的兩個(gè)基本工藝 13.4.3 晶圓級(jí)封裝的可靠性 13.4.4 優(yōu)點(diǎn)和局限性 13.4.5 WLP的前景 13.5 MCM封裝與三維封裝技術(shù) 13.5.1 簡(jiǎn)介 13.5.2 MCM封裝 13.5.3 MCM封裝的分類 13.5.4 三維（3D）封裝技術(shù)的垂直互連 13.5.5 三維（3D）封裝技術(shù)的優(yōu)點(diǎn)和局限性 13.5.6 三維（3D）封裝技術(shù)的前景 復(fù)習(xí)與思考題13附錄A 封裝設(shè)備簡(jiǎn)介 A.1 前段操作 A.1.1 貼膜 A.1.2 晶圓背面研磨 A.1.3 烘烤 A.1.4 上片 A.1.5 去膜 A.1.6 切割 A.1.7 切割后檢查 A.1.8 芯片貼裝 A.1.9 打線鍵合 A.1.10 打線后檢查 A.2 后段操作 A.2.1 塑封 A.2.2 塑封后固化 A.2.3 打�。ù虼a） A.2.4 切筋 A.2.5 電鍍 A.2.6 電鍍后檢查 A.2.7 電鍍后烘烤 A.2.8 切筋成型 A.2.9 終測(cè) A.2.10 引腳檢查 A.2.11 包裝出貨附錄B 英文縮略語(yǔ)附錄C 度量衡 C.1 國(guó)際制（SI）基本單位 C.2 國(guó)際制（SI）詞冠 C.3 常用物理量及單位 C.4 常用公式度量衡 C.5 英美制及與公制換算 C.6 常用部分計(jì)量單位及其換算附錄D 化學(xué)元素表附錄E 常見封裝形式參考文獻(xiàn)