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納米集成電路制造工藝 
定 價：89 元
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本書共19章，涵蓋先進集成電路工藝的發(fā)展史，集成電路制造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、表面清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學(xué)機械平坦化，器件參數(shù)與工藝相關(guān)性，DFM（Design for Manufacturing），集成電路檢測與分析、集成電路的可靠性，生產(chǎn)控制，良率提升，芯片測試與芯片封裝等內(nèi)容。再版時加強了半導(dǎo)體器件方面的內(nèi)容，增加了先進的FinFET、3D NAND存儲器、CMOS圖像傳感器以及無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件與工藝等內(nèi)容。
超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)工藝，從“微米級”到“納米級”發(fā)生了許多根本上的變化。甚至，從45nm縮小至28nm（以及更小的線寬）也必須使用許多新的生產(chǎn)觀念和技術(shù)。張汝京先生是隨著半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的發(fā)展成長起來的領(lǐng)軍人物，見證了幾個技術(shù)世代的興起與淘汰。他本人有著深厚的學(xué)術(shù)根基，以及豐富的產(chǎn)業(yè)經(jīng)驗，其帶領(lǐng)的團隊是多年來在*半導(dǎo)體代工廠一線工作的科研人員，掌握了業(yè)界領(lǐng)先的制造工藝。他們處理實際問題的經(jīng)驗以及從產(chǎn)業(yè)出發(fā)的獨特技術(shù)視角，相信會給讀者帶來啟發(fā)和幫助。
再版前言
在20世紀(jì)40年代，貝爾實驗室的科學(xué)先賢們發(fā)明了晶體管； 到了20世紀(jì)50年代，德州儀器公司和仙童公司的科技大師們分別發(fā)明并推展了集成電器的生產(chǎn)技術(shù)； 至20世紀(jì)6070年代，大規(guī)模生產(chǎn)半導(dǎo)體器件的技術(shù)在美國、歐洲及亞洲也蓬勃發(fā)展開來； 20世紀(jì)80年代迄今，超大型集成電路的設(shè)計和生產(chǎn)工藝?yán)^續(xù)不斷以驚人的速度，幾乎按著“摩爾定律”不斷地加大半導(dǎo)體器件的集成度，而超大型芯片在“線寬”(CD)上也以倍數(shù)的形式進行著細微化。自2000年起集成電路的線寬也從“微米級”進入了“納米級”。2010年起我國先進的半導(dǎo)體生產(chǎn)工藝也從45nm延伸至28nm以及更小的線寬。超大規(guī)模集成電路的生產(chǎn)工藝，從“微米級”到“納米級”發(fā)生了許多根本的變化。甚至，從45nm縮小至28nm(以及更小的線寬)也必須使用許多新的生產(chǎn)觀念和技術(shù)。 清華大學(xué)的王志華教授于2010年就提議由國內(nèi)熟悉這類工藝的學(xué)者、專家、工程師們共同編撰一本較為先進的半導(dǎo)體工藝教科書，同時也可以供半導(dǎo)體廠的工作人員作為參考資料之用，內(nèi)容要包含45nm、32nm至28nm(或更細微化)的工藝技術(shù)。本人非常榮幸有機會來邀請國內(nèi)該領(lǐng)域的部分學(xué)者、專家和工程師們共同編寫這本書。本書的初稿是用英文寫作的，國內(nèi)學(xué)校的許多老師和半導(dǎo)體業(yè)界的先賢、朋友們希望我們能用中文發(fā)行這本書，好讓更多的研究所學(xué)生、工程師及科研同行更容易閱讀并使用本書。我們接著邀請清華大學(xué)的教授、老師們將全書翻譯成中文，同時也與各方聯(lián)系取得引用外部資料的許可，清華大學(xué)出版社的編輯也幫我們進行編輯加工。幾經(jīng)審稿、改訂，本書的第一版歷時四年多終于完成編寫工作！ 本書共分19章，涵蓋先進集成電路工藝的發(fā)展史，集成電路制造流程、介電薄膜、金屬化、光刻、刻蝕、表面清潔與濕法刻蝕、摻雜、化學(xué)機械平坦化、器件參數(shù)與工藝相關(guān)性，DFM(Design for Manufacturing)、集成電路檢測與分析、集成電路的可靠性、生產(chǎn)控制、良率提升、芯片測試與芯片封裝等項目和課題。我們在此要特別感謝每一章的作者，他們將所知道的最新技術(shù)和他們實際工作的經(jīng)驗，盡力地在書中向我們科技界的朋友們一一闡述，也感謝他們?yōu)榘l(fā)展祖國的集成電路科技和協(xié)助提升同行朋友們的工藝水平做出的貢獻！ 我們在此特別提名感謝各位作者。第1章半導(dǎo)體器件由肖德元、張汝京與陳昱升撰寫； 第2章集成電路制造工藝發(fā)展趨勢由盧炯平撰寫； 第3章CMOS邏輯電路及存儲器制造流程由季明華、梅紹寧、陳俊、霍宗亮、肖德元與張汝京撰寫； 第4章電介質(zhì)薄膜沉積工藝由向陽輝、何有豐、荊學(xué)珍與周鳴撰寫； 第5章應(yīng)力工程由盧炯平撰寫； 第6章金屬薄膜沉積工藝及金屬化由楊瑞鵬、何偉業(yè)與聶佳相撰寫； 第7章光刻技術(shù)由伍強、時雪龍、顧一鳴與劉慶煒撰寫； 第8章干法刻蝕由張海洋與劉勇撰寫； 第9章集成電路制造中的污染和清洗技術(shù)由劉煥新撰寫； 第10章超淺結(jié)技術(shù)由盧炯平撰寫； 第11章化學(xué)機械平坦化由陳楓、劉東升與蔣莉撰寫； 第12章器件參數(shù)和工藝相關(guān)性由陳昱升撰寫； 第13章可制造性設(shè)計由張立夫撰寫； 第14章半導(dǎo)體器件失效分析由郭志蓉與牛崇實撰寫； 第15章集成電路可靠性介紹由吳啟熙與郭強撰寫； 第16章集成電路測量由高強與陳寰撰寫； 第17章良率改善由范良孚撰寫； 第18章測試工程由林山本撰寫； 第19章芯片封裝由嚴(yán)大生等撰寫。若不是以上各位學(xué)者、專家和朋友們的撰寫、審稿和改正，全心全力的投入帶來寶貴的成果，這本書將無法完成！也感謝中芯國際集成電路有限公司提供的許多非常寶貴的協(xié)助！ 半導(dǎo)體技術(shù)，特別是集成電路技術(shù)日新月異。本書自2014年6月出版發(fā)行，受到國內(nèi)從事半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的科技工作者、工程技術(shù)人員、高等院校研究生與教師的普遍歡迎，他們提出了許多有益意見與建議，希望本書能夠再版。借此機會向他們一并表示感謝！再版時我們加強了半導(dǎo)體器件方面內(nèi)容，增加了先進的FinFET、3D NAND存儲器、CMOS圖像傳感器以及無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件與工藝等內(nèi)容。 我們也要再次感謝清華大學(xué)的各位老師(王志華教授、李鐵夫、楊軼博士)和清華大學(xué)出版社自始至終的鼓勵、支持和鼎力相助，正是在他們的幫助下，這本書才能完成并展現(xiàn)在廣大讀者的面前！希望這本書能夠以實際資料來支持國內(nèi)半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)的學(xué)者、專家、技術(shù)工作者和研究生們獨有的創(chuàng)新和發(fā)明，讓我們的半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)與日俱進，從制造到創(chuàng)造，再創(chuàng)華夏輝煌盛世！ 張汝京敬上2016年10月于上海 查看全部↓
張汝京(Richard Chang)，1948年出生于江蘇南京，畢業(yè)于臺灣大學(xué)機械工程學(xué)系，于布法羅紐約州立大學(xué)獲得工程科學(xué)碩士學(xué)位，并在南方衛(wèi)理公會大學(xué)獲得電子工程博士學(xué)位。曾在美國德州儀器工作20年。他成功地在美國、日本、新加坡、意大利及中國臺灣地區(qū)創(chuàng)建并管理10個集成電路工廠的技術(shù)開發(fā)及運營。1997年加入世大集成電路（WSMC）并出任總裁。2000年4月創(chuàng)辦中芯國際集成電路制造（上海）有限公司并擔(dān)任總裁。2012年創(chuàng)立昇瑞光電科技（上海）有限公司并出任總裁，主要經(jīng)營LED等及其配套產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計、制造、測試與封裝等。2014年6月創(chuàng)辦上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司并出任總裁, 承擔(dān)國家科技重大專項（簡稱“02專項”）的核心工程——“40—28納米集成電路制造用300毫米硅片”項目。張博士擁有超過30年的半導(dǎo)體芯片研發(fā)和制造經(jīng)驗。2005年4月，榮獲中華人民共和國國務(wù)院頒發(fā)國際科學(xué)技術(shù)合作獎。2006年獲頒中國半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)軍人物稱號。2008年3月，被半導(dǎo)體國際雜志評為2007年度人物并榮獲SEMI中國產(chǎn)業(yè)卓越貢獻獎。2012年成為上海市千人計劃專家。2014年于上海成立新昇半導(dǎo)體科技有限公司，從事300毫米高端大硅片的研發(fā)、制造與行銷。
第1章半導(dǎo)體器件
1．1N型半導(dǎo)體和P型半導(dǎo)體 1．2PN結(jié)二極管 1．2．1PN結(jié)自建電壓 1．2．2理想PN結(jié)二極管方程 1．3雙極型晶體管 1．4金屬氧化物半導(dǎo)體場效應(yīng)晶體管 1．4．1線性模型 1．4．2非線性模型 1．4．3閾值電壓 1．4．4襯底偏置效應(yīng) 1．4．5亞閾值電流 1．4．6亞閾值理想因子的推導(dǎo) 1．5CMOS器件面臨的挑戰(zhàn) 1．6結(jié)型場效應(yīng)晶體管 1．7肖特基勢壘柵場效應(yīng)晶體管 1．8高電子遷移率晶體管 1．9無結(jié)場效應(yīng)晶體管 1．9．1圓柱體全包圍柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管突變耗盡層近似器件模型 1．9．2圓柱體全包圍柵無結(jié)場效應(yīng)晶體管完整器件模型 1．9．3無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件制作 1．10量子阱場效應(yīng)晶體管 1．11小結(jié) 參考文獻 第2章集成電路制造工藝發(fā)展趨勢 2.1引言 2.2橫向微縮所推動的工藝發(fā)展趨勢 2.2.1光刻技術(shù) 2.2.2溝槽填充技術(shù) 2.2.3互連層RC延遲的降低 2.3縱向微縮所推動的工藝發(fā)展趨勢 2.3.1等效柵氧厚度的微縮 2.3.2源漏工程 2.3.3自對準(zhǔn)硅化物工藝 2.4彌補幾何微縮的等效擴充 2.4.1高k金屬柵 2.4.2載流子遷移率提高技術(shù) 2.5展望 參考文獻 第3章CMOS邏輯電路及存儲器制造流程 3.1邏輯技術(shù)及工藝流程 3.1.1引言 3.1.2CMOS工藝流程 3．1．3適用于高k柵介質(zhì)和金屬柵的柵后形成或置換金屬柵 CMOS工藝流程 3．1．4CMOS與鰭式MOSFET(FinFET) 3.2存儲器技術(shù)和制造工藝 3.2.1概述 3.2.2DRAM和eDRAM 3.2.3閃存 3.2.4FeRAM 3.2.5PCRAM 3.2.6RRAM 3.2.7MRAM 3.2.83D NAND 3．2．9CMOS圖像傳感器 3．3無結(jié)場效應(yīng)晶體管器件結(jié)構(gòu)與工藝 參考文獻 第4章電介質(zhì)薄膜沉積工藝 4.1前言 4.2氧化膜/氮化膜工藝 4.3柵極電介質(zhì)薄膜 4.3.1柵極氧化介電層氮氧化硅(SiOxNy) 4.3.2高k柵極介質(zhì) 4.4半導(dǎo)體絕緣介質(zhì)的填充 4.4.1高密度等離子體化學(xué)氣相沉積工藝 4.4.2O3TEOS的亞常壓化學(xué)氣相沉積工藝 4.5超低介電常數(shù)薄膜 4.5.1前言 4.5.2RC delay對器件運算速度的影響 4.5.3k為2.7~3.0的低介電常數(shù)材料 4.5.4k為2.5的超低介電常數(shù)材料 4.5.5刻蝕停止層與銅阻擋層介電常數(shù)材料 參考文獻 第5章應(yīng)力工程 5.1簡介 5.2源漏區(qū)嵌入技術(shù) 5.2.1嵌入式鍺硅工藝 5.2.2嵌入式碳硅工藝 5.3應(yīng)力記憶技術(shù) 5.3.1SMT技術(shù)的分類 5.3.2SMT的工藝流程 5.3.3SMT氮化硅工藝介紹及其發(fā)展 5.4雙極應(yīng)力刻蝕阻擋層 5.5應(yīng)力效應(yīng)提升技術(shù) 參考文獻 第6章金屬薄膜沉積工藝及金屬化 6.1金屬柵 6.1.1金屬柵極的使用 6.1.2金屬柵材料性能的要求 6.2自對準(zhǔn)硅化物 6.2.1預(yù)清潔處理 6.2.2鎳鉑合金沉積 6.2.3蓋帽層TiN沉積 6.3接觸窗薄膜工藝 6.3.1前言 6.3.2主要的問題 6.3.3前處理工藝 6.3.4PVD Ti 6.3.5TiN制程 6.3.6W plug制程 6.4金屬互連 6.4.1前言 6.4.2預(yù)清潔工藝 6.4.3阻擋層 6.4.4種子層 6.4.5銅化學(xué)電鍍 6.4.6洗邊和退火 6.5小結(jié) 參考文獻 第7章光刻技術(shù) 7.1光刻技術(shù)簡介 7.1.1光刻技術(shù)發(fā)展歷史 7.1.2光刻的基本方法 7.1.3其他圖像傳遞方法 7.2光刻的系統(tǒng)參數(shù) 7.2.1波長、數(shù)值孔徑、像空間介質(zhì)折射率 7.2.2光刻分辨率的表示 7.3光刻工藝流程 7.4光刻工藝窗口以及圖形完整性評價方法 7.4.1曝光能量寬裕度, 歸一化圖像對數(shù)斜率(NILS) 7.4.2對焦深度(找平方法) 7.4.3掩膜版誤差因子 7.4.4線寬均勻性 7.4.5光刻膠形貌 7.4.6對準(zhǔn)、套刻精度 7.4.7缺陷的檢測、分類、原理以及排除方法 7.5相干和部分相干成像 7.5.1光刻成像模型，調(diào)制傳遞函數(shù) 7.5.2點擴散函數(shù) 7.5.3偏振效應(yīng) 7.5.4掩膜版三維尺寸效應(yīng) 7.6光刻設(shè)備和材料 7.6.1光刻機原理介紹 7.6.2光學(xué)像差及其對光刻工藝窗口的影響 7.6.3光刻膠配制原理 7.6.4掩膜版制作介紹 7.7與分辨率相關(guān)工藝窗口增強方法 7.7.1離軸照明 7.7.2相移掩膜版 7.7.3亞衍射散射條 7.7.4光學(xué)鄰近效應(yīng)修正 7.7.5二重圖形技術(shù) 7.7.6浸沒式光刻 7.7.7極紫外光刻 參考文獻 第8章干法刻蝕 8.1引言 8.1.1等離子刻蝕 8.1.2干法刻蝕機的發(fā)展 8.1.3干法刻蝕的度量 8.2干法刻蝕建模 8.2.1基本原理模擬 8.2.2經(jīng)驗?zāi)Ｐ?br /> 8.3先進的干法刻蝕反應(yīng)器 8.3.1泛林半導(dǎo)體 8.3.2東京電子 8.3.3應(yīng)用材料 8.4干法刻蝕應(yīng)用 8.4.1淺槽隔離(STI)刻蝕 8.4.2多晶硅柵刻蝕 8.4.3柵側(cè)墻刻蝕 8.4.4鎢接觸孔刻蝕 8.4.5銅通孔刻蝕 8.4.6電介質(zhì)溝槽刻蝕 8.4.7鋁墊刻蝕 8.4.8灰化 8.4.9新近出現(xiàn)的刻蝕 8.5先進的刻蝕工藝控制 參考文獻 第9章集成電路制造中的污染和清洗技術(shù) 9.1IC 制造過程中的污染源 9.2IC污染對器件的影響 9.3晶片的濕法處理概述 9.3.1晶片濕法處理的要求 9.3.2晶片濕法處理的機理 9.3.3晶片濕法處理的范圍 9.4晶片表面顆粒去除方法 9.4.1顆粒化學(xué)去除 9.4.2顆粒物理去除 9.5制程沉積膜前/后清洗 9.6制程光阻清洗 9.7晶片濕法刻蝕技術(shù) 9.7.1晶片濕法刻蝕過程原理 9.7.2硅濕法刻蝕 9.7.3氧化硅濕法刻蝕 9.7.4氮化硅濕法刻蝕 9.7.5金屬濕法刻蝕 9.8晶背/邊緣清洗和膜層去除 9.965nm和45nm以下濕法處理難點以及HKMG濕法應(yīng)用 9.9.1柵極表面預(yù)處理 9.9.2疊層?xùn)艠O: 選擇性刻蝕和清洗 9.9.3臨時polySi 去除 9.10濕法清洗機臺及其沖洗和干燥技術(shù) 9.10.1單片旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機 9.10.2批旋轉(zhuǎn)噴淋清洗機 9.10.3批浸泡式清洗機 9.11污染清洗中的測量與表征 9.11.1顆粒量測 9.11.2金屬離子檢測 9.11.3四探針厚度測量 9.11.4橢圓偏光厚度測量 9.11.5其他度量 參考文獻 第10章超淺結(jié)技術(shù) 10.1簡介 10.2離子注入 10.3快速熱處理工藝 參考文獻 第11章化學(xué)機械平坦化 11.1引言 11.2淺槽隔離拋光 11.2.1STI CMP的要求和演化 11.2.2氧化鈰研磨液的特點 11.2.3固定研磨粒拋光工藝 11.3銅拋光 11.3.1Cu CMP的過程和機理 11.3.2先進工藝對Cu CMP的挑戰(zhàn) 11.3.3Cu CMP產(chǎn)生的缺陷 11.4高k金屬柵拋光的挑戰(zhàn) 11.4.1CMP在高k金屬柵形成中的應(yīng)用 11.4.2ILD0 CMP的方法及使用的研磨液 11.4.3Al CMP的方法及使用的研磨液 11.5GST拋光(GST CMP) 11.5.1GST CMP的應(yīng)用 11.5.2GST CMP的挑戰(zhàn) 11.6小結(jié) 參考文獻 第12章器件參數(shù)和工藝相關(guān)性 12.1MOS電性參數(shù) 12.2柵極氧化層制程對MOS電性參數(shù)的影響 12.3柵極制程對MOS電性參數(shù)的影響 12.4超淺結(jié)對MOS電性參數(shù)的影響 12.5金屬硅化物對MOS電性參數(shù)的影響 12.6多重連導(dǎo)線 第13章可制造性設(shè)計 13.1介紹 13.2DFM技術(shù)和工作流程 13.2.1光刻 DFM 13.2.2Metal1圖形的例子 13.3CMP DFM 13.4DFM展望 參考文獻 第14章半導(dǎo)體器件失效分析 14.1失效分析概論 14.1.1失效分析基本原則 14.1.2失效分析流程 14.2失效分析技術(shù) 14.2.1封裝器件的分析技術(shù) 14.2.2開封技術(shù) 14.2.3失效定位技術(shù) 14.2.4樣品制備技術(shù) 14.2.5微分析技術(shù) 14.2.6表面分析技術(shù) 14.3案例分析 參考文獻 第15章集成電路可靠性介紹 15.1熱載流子效應(yīng) (HCI) 15.1.1HCI的機理 15.1.2HCI 壽命模型 15.2負(fù)偏壓溫度不穩(wěn)定性(NBTI) 15.2.1NBTI機理 15.2.2NBTI模型 15.3經(jīng)時介電層擊穿(TDDB) 15.4電壓斜坡(Vramp)和電流斜坡(Jramp)測量技術(shù) 15.5氧化層擊穿壽命預(yù)測 15.6電遷移 15.7應(yīng)力遷移 15.8集成電路可靠性面臨的挑戰(zhàn) 15.9結(jié)論 第16章集成電路測量 16.1測量系統(tǒng)分析 16.1.1準(zhǔn)確性和性 16.1.2測量系統(tǒng)的分辨力 16.1.3穩(wěn)定分析 16.1.4位置分析 16.1.5變異分析 16.1.6量值的溯源、校準(zhǔn)和檢定 16.2原子力顯微鏡 16.2.1儀器結(jié)構(gòu) 16.2.2工作模式 16.3掃描電子顯微鏡 16.4橢圓偏振光譜儀 16.5統(tǒng)計過程控制 16.5.1統(tǒng)計控制圖 16.5.2過程能力指數(shù) 16.5.3統(tǒng)計過程控制在集成電路生產(chǎn)中的應(yīng)用 參考文獻 第17章良率改善 17.1良率改善介紹 17.1.1關(guān)于良率的基礎(chǔ)知識 17.1.2失效機制 17.1.3良率學(xué)習(xí)體系 17.2用于良率提高的分析方法 17.2.1基本圖表在良率分析中的應(yīng)用 17.2.2常用的分析方法 17.2.3系統(tǒng)化的良率分析方法 第18章測試工程 18.1測試硬件和程序 18.1.1測試硬件 18.1.2測試程序 18.1.3缺陷、失效和故障 18.2儲存器測試 18.2.1儲存器測試流程 18.2.2測試圖形 18.2.3故障模型 18.2.4冗余設(shè)計與激光修復(fù) 18.2.5儲存器可測性設(shè)計 18.2.6老化與測試 18.3IDDQ測試 18.3.1IDDQ測試和失效分析 18.3.2IDDQ測試與可靠性 18.4數(shù)字邏輯測試 18.5可測性設(shè)計 18.5.1掃描測試 18.5.2內(nèi)建自測試 參考文獻 第19章芯片封裝 19.1傳統(tǒng)的芯片封裝制造工藝 19.1.1減薄（Back Grind） 19.1.2貼膜（Wafer Mount） 19.1.3劃片（Wafer Saw） 19.1.4貼片(Die Attach) 19.1.5銀膠烘焙(Epoxy Curing) 19.1.6打線鍵合(Wire Bond) 19.1.7塑封成型(壓模成型，Mold) 19.1.8塑封后烘焙（Post MoldCuring） 19.1.9除渣及電鍍（Deflash andPlating） 19.1.10電鍍后烘焙（Post PlatingBaking） 19.1.11切筋整腳成型（Trim/From） 19.2大電流的功率器件需用鋁線鍵合工藝取代金線鍵合工藝 19.3QFN的封裝與傳統(tǒng)封裝的不同點 19.4銅線鍵合工藝取代金線工藝 19.5立體封裝(3D Package)形式簡介 19.5.1覆晶式封裝（FlipChip BGA） 19.5.2堆疊式封裝（Stack Multichip package） 19.5.3芯片覆晶式級封裝（WLCSP） 19.5.4芯片級堆疊式封裝（TSV package） 參考文獻
張汝京(Richard Chang)，1948年出生于江蘇南京，畢業(yè)于臺灣大學(xué)機械工程學(xué)系，于布法羅紐約州立大學(xué)獲得工程科學(xué)碩士學(xué)位，并在南方衛(wèi)理公會大學(xué)獲得電子工程博士學(xué)位。曾在美國德州儀器工作20年。他成功地在美國、日本、新加坡、意大利及中國臺灣地區(qū)創(chuàng)建并管理10個集成電路工廠的技術(shù)開發(fā)及運營。1997年加入世大集成電路（WSMC）并出任總裁。2000年4月創(chuàng)辦中芯國際集成電路制造（上海）有限公司并擔(dān)任總裁。2012年創(chuàng)立昇瑞光電科技（上海）有限公司并出任總裁，主要經(jīng)營LED等及其配套產(chǎn)品的開發(fā)、設(shè)計、制造、測試與封裝等。2014年6月創(chuàng)辦上海新昇半導(dǎo)體科技有限公司并出任總裁, 承擔(dān)國家科技重大專項（簡稱“02專項”）的核心工程——“40—28納米集成電路制造用300毫米硅片”項目。張博士擁有超過30年的半導(dǎo)體芯片研發(fā)和制造經(jīng)驗。2005年4月，榮獲中華人民共和國國務(wù)院頒發(fā)國際科學(xué)技術(shù)合作獎。2006年獲頒中國半導(dǎo)體業(yè)領(lǐng)軍人物稱號。2008年3月，被半導(dǎo)體國際雜志評為2007年度人物并榮獲SEMI中國產(chǎn)業(yè)卓越貢獻獎。2012年成為上海市千人計劃專家。2014年于上海成立新昇半導(dǎo)體科技有限公司，從事300毫米高端大硅片的研發(fā)、制造與行銷。
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