全書(shū)共分為4章，系統(tǒng)闡述了輻射誘導(dǎo)半導(dǎo)體缺陷的相關(guān)理論、數(shù)值模擬方法、表征技術(shù)及應(yīng)用�？臻g輻射誘導(dǎo)缺陷是導(dǎo)致電子元器件性能退化的重要原因，然而輻射誘導(dǎo)缺陷的形成、演化和性質(zhì)與半導(dǎo)體材料本身物理屬性、器件類(lèi)型及結(jié)構(gòu)密切相關(guān)。