目錄
第三版前言
前言
緒論
第1章 硅和鍺的化學(xué)制備 4
1-1 硅和鍺的物理化學(xué)性質(zhì) 4
1-2 高純硅的制備 6
1-3 鍺的富集與提純 13
第2章 區(qū)熔提純 16
2-1 分凝現(xiàn)象與分凝系數(shù) 16
2-2 區(qū)熔原理 20
2-3 鍺的區(qū)熔提純 28
第3章 晶體生長 30
3-1 晶體生長理論基礎(chǔ) 30
3-2 熔體的晶體生長 46
3-3 硅、鍺單晶生長 52
第4章 硅、鍺晶體中的雜質(zhì)和缺陷 59
4-1 硅、鍺晶體中雜質(zhì)的性質(zhì) 59
4-2 硅、鍺晶體的摻雜 62
4-3 硅、鍺單晶的位錯 78
4-4 硅單晶中的微缺陷 84
第5章 硅外延生長 87
5-1 外延生長概述 87
5-2 硅襯底制備 89
5-3 硅的氣相外延生長 93
5-4 硅外延層電阻率的控制 104
5-5 硅外延層的缺陷 109
5-6 硅的異質(zhì)外延 113
第6章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體 118
6-1 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的特性 118
6-2 砷化鎵單晶的生長方法 124
6-3 砷化鎵單晶中雜質(zhì)的控制 131
6-4 砷化鎵單晶的完整性 135
6-5 其他Ⅲ-Ⅴ族化合物的制備 137
第7章 Ⅲ-Ⅴ族化合物半導(dǎo)體的外延生長 141
7-1 氣相外延生長（VPE) 141
7-2 金屬有機(jī)物氣相外延生長（MOVPE) 144
7-3 液相外延生長（LPE) 152
7-4 分子束外延生長（MBE) 158
7-5 化學(xué)束外延生長（CBE) 162
7-6 其他外延生長技術(shù) 164
第8章 Ⅲ-Ⅴ族多元化合物半導(dǎo)體 170
8-1 異質(zhì)結(jié)與晶格失配 171
8-2 GaAlAs外延生長 172
8-3 InGaN外延生長 176
8-4 InGaAsP外延生長 177
8-5 超晶格與量子阱 182
8-6 應(yīng)變超晶格 188
8-7 能帶工程 189
第9章 Ⅱ-Ⅵ族化合物半導(dǎo)體 192
9-1 Ⅱ-Ⅵ族化合物單晶材料的制備 192
9-2 Ⅱ-Ⅵ族化合物的點(diǎn)缺陷與自補(bǔ)償現(xiàn)象 198
9-3 Ⅱ-Ⅵ族多元化合物材料 201
9-4 Ⅱ-Ⅵ族超晶格材料 205
第10章 低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料 207
10-1 低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的基本特性 207
10-2 低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的制備 208
10-3 低維結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體材料的現(xiàn)狀及未來 212
第11章 氧化物半導(dǎo)體材料 214
11-1 氧化物半導(dǎo)體材料的制備 214
11-2 氧化物半導(dǎo)體材料的電學(xué)性質(zhì) 217
11-3 氧化物半導(dǎo)體材料的應(yīng)用 220
第12章 照明半導(dǎo)體材料 225
12-1 LED的基本結(jié)構(gòu) 226
12-2 外延生長GaN襯底材料的選擇 226
12-3 外延生長的發(fā)展趨勢 228
12-4 外延片結(jié)構(gòu)改進(jìn) 230
第13章 其他半導(dǎo)體材料 233
13-1 窄帶隙半導(dǎo)體 233
13-2 黃銅礦型半導(dǎo)體 235
13-3 非晶態(tài)半導(dǎo)體材料 236
13-4 有機(jī)半導(dǎo)體材料 237
參考文獻(xiàn) 240