本書講述了功率半導(dǎo)體器件的基本原理,涵蓋Si器件、SiC器件,GaN器件以及GaAs器件等;綜合分析和呈現(xiàn)了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數(shù)、器件特性和技術(shù)難點等;將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應(yīng)力可靠性測試和壽命測試等,并詳細介紹了測試標準、方法和原理,同步分析了測試設(shè)備和數(shù)據(jù)
半導(dǎo)體材料是材料、信息、新能源的交叉學(xué)科,是信息、新能源(半導(dǎo)體照明、太陽能光伏)等高科技產(chǎn)業(yè)的材料基礎(chǔ)。本書共15章,詳細介紹了半導(dǎo)體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術(shù),重點介紹了半導(dǎo)體硅材料(包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導(dǎo)體材料)的制備、結(jié)構(gòu)和性質(zhì),闡述了化合物半導(dǎo)體(包括Ⅲ-Ⅴ族
本書內(nèi)容涵蓋了真空鍍膜的關(guān)鍵技術(shù)和實際應(yīng)用。在介紹真空鍍膜技術(shù)基礎(chǔ)理論及應(yīng)用的基礎(chǔ)上,著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強化學(xué)氣相沉積的原理、工藝、應(yīng)用等,緊接著介紹了薄膜厚度的測量、薄膜分析檢測技術(shù)等方面的內(nèi)容,最后詳細闡述了工模具真空鍍膜生產(chǎn)線的具體工藝流程。本書敘述深入淺出,內(nèi)容豐富而
本書詳細介紹了鍺塵中鍺的二次富集及提取,全書共分7章,內(nèi)容包括緒論、實驗方案、鍺塵基礎(chǔ)物理化學(xué)性質(zhì)及造塊、GeO2與氧化物間相互作用、鍺塵中鍺的二次富集研究、鍺的微波濕法提取研究、結(jié)論。
SMT是一門包含元器件、材料、設(shè)備、工藝以及表面組裝電路基板設(shè)計與制造的綜合電子產(chǎn)品裝聯(lián)技術(shù),是在傳統(tǒng)THT通孔插裝元器件裝聯(lián)技術(shù)基礎(chǔ)上發(fā)展起來的新一代微組裝技術(shù)。隨著半導(dǎo)體材料、元器件、電子與信息技術(shù)等相關(guān)技術(shù)的發(fā)展,使SMT組裝的電子產(chǎn)品更具有體積小、性能好、功能全、價位低的綜合優(yōu)勢,適應(yīng)了數(shù)碼電子產(chǎn)品向短、小、輕
這是一本介紹半導(dǎo)體工作原理的入門類讀物。全書共分4章,包括第1章的半導(dǎo)體的作用、類型、形狀、制造方式、產(chǎn)業(yè)形態(tài);第2章的理解導(dǎo)體、絕緣體和半導(dǎo)體的區(qū)別,以及P型半導(dǎo)體和N型半導(dǎo)體的特性;第3章的PN結(jié)、雙極型晶體管、MOS晶體管、CMOS等;第4章涵蓋了初學(xué)者和行業(yè)人士應(yīng)該知道的技術(shù)和行業(yè)詞匯表。本書適合想學(xué)習(xí)半導(dǎo)體的
集成電路與等離子體裝備
本書共分為4章,內(nèi)容包括半導(dǎo)體器件缺陷及失效分析技術(shù)概要、硅集成電路(LSI)的失效分析技術(shù)、功率器件的缺陷及失效分析技術(shù)、化合物半導(dǎo)體發(fā)光器件的缺陷及失效分析技術(shù)。筆者在書中各處開設(shè)了專欄,用以介紹每個領(lǐng)域的某些方面。在第2~4章的末尾各列入了3道例題,這些例題出自日本科學(xué)技術(shù)聯(lián)盟主辦的“初級可靠性技術(shù)者”資格認定考
彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復(fù)雜!稄椥园雽(dǎo)體的多場耦合理論與應(yīng)用》基于連續(xù)介質(zhì)力學(xué)、連續(xù)介質(zhì)熱力學(xué)及靜電學(xué)的基本原理,建立了半導(dǎo)體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎(chǔ),采用材料力學(xué)及板殼力學(xué)的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)中的多場耦合問題,包括一維和二維壓電半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)(
擬申報中國科學(xué)技術(shù)大學(xué)一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學(xué)所需設(shè)計,主要介紹半導(dǎo)體器件基本原理的知識內(nèi)容,反映當今半導(dǎo)體器件在概念和性能等方面的最新進展,可以使讀者快速地了解當今半導(dǎo)體物理和所有主要器件,如雙極、場效應(yīng)、微波和光子器件的性能特點。