電路和濾波器手冊(cè)系列首次出版后又有了新的突破。它迅速成為可以被立即采用的全面覆蓋重要問(wèn)題和實(shí)用信息的資源。編者陳惠開(kāi)教授不滿足于第1版的成功。在更新的第2版中使得《模擬與超大規(guī)模集成電路（第3版）》中的信息更容易理解。這些內(nèi)容已經(jīng)進(jìn)行了修改、更新和擴(kuò)充，使它們能夠通過(guò)標(biāo)準(zhǔn)的示例和啟發(fā)性的觀點(diǎn)對(duì)新興技術(shù)繼續(xù)提供立體的覆蓋。
《模擬與超大規(guī)模集成電路（第3版）》匯集了國(guó)際上的學(xué)者提供的最新的有關(guān)模擬和VLSI電路的信息，省略了大量的理論和公式推導(dǎo)，以利于在每章提供更多的例子。第一部分的內(nèi)容側(cè)重于模擬集成電路。提供最新的分立器件模型、模擬電路單元、高性能模擬電路、射頻通信電路和PLL電路的知識(shí)。在書(shū)的后半部分，由知名學(xué)者提供了VLSI電路的最新發(fā)現(xiàn)，包括數(shù)字電路、數(shù)字系統(tǒng)和數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器。
《模擬與超大規(guī)模集成電路（第3版）》分為兩大部分，共10章。其中涵蓋模擬集成電路的第一部分共6章；涵蓋超大規(guī)模集成電路的第二部分共4章。第1章介紹BJT、MOSFET等常用器件工作原理以及模型，以便為后面章節(jié)電路分析時(shí)所采用。第2章介紹模擬集成電路中常用電路單元的工作原理。第3章討論寬帶雙極網(wǎng)絡(luò)中放大器設(shè)計(jì)中要考慮的高頻寄生效應(yīng)問(wèn)題。第4章介紹RF通信電路設(shè)計(jì)技術(shù)和面臨的問(wèn)題。第5章介紹鎖相環(huán)電路的技術(shù)及應(yīng)用。第6章介紹電抗脈沖形成網(wǎng)絡(luò)的合成技術(shù)。第7章介紹數(shù)字信號(hào)處理的基本理論。第8章介紹基本的數(shù)字電路理論。第9章介紹數(shù)字系統(tǒng)，包括可編程邏輯器件、MOS存儲(chǔ)電路、基于微處理器的設(shè)計(jì)以及脈動(dòng)陣列。第10章介紹模數(shù)及數(shù)模轉(zhuǎn)換器電路的相關(guān)技術(shù)。
第一部分 模擬集成電路
第1章 單器件模型
1.1 雙極型晶體管
1.1.1 Ebers-Moll模型
1.1.2 Gummel-Poon模型
1.1.3 雙極型晶體管的電流增益
1.1.4 大電流現(xiàn)象
1.1.5 小信號(hào)模型
1.1.6 工藝
1.1.7 模型參數(shù)
1.1.8 鍺硅異質(zhì)結(jié)雙極型晶體管（SiGe HBT）
1.2 金屬-氧化物-硅場(chǎng)效應(yīng)晶體管
1.2.1 引言
1.2.2 溝道電荷
1.2.3 伏-安特性
1.2.4 晶體管的電容
1.2.5 小信號(hào)工作
1.2.6 基于設(shè)計(jì)的分析策略
1.3 JFET，MESFET和HEMT技術(shù)與器件
1.3.1 引言
1.3.2 硅JFET器件工作原理和技術(shù)
1.3.3 化合物半導(dǎo)體FET工藝
1.3.4 結(jié)論
1.4 無(wú)源器件
1.4.1 電阻
1.4.2 電容
1.4.3 電感
1.5 模擬集成電路中芯片的寄生效應(yīng)
1.5.1 互連寄生效應(yīng)
1.5.2 壓焊點(diǎn)和封裝寄生參數(shù)
1.5.3 寄生參數(shù)測(cè)量
第2章 模擬電路單元
第3章 高性能模擬電路
第4章 射頻通信電路
第5章 鎖相環(huán)（PLL）電路
第6章 電抗脈沖形成網(wǎng)絡(luò)的合成
第二部分 超大規(guī)模集成電路
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