“本書緣起于2008年底，是時本書作者剛離開奮斗了5年的平板顯示產(chǎn)業(yè)界并加入到上海交通大學(xué)電子工程系。在著手開展氧化物TFT相關(guān)科研工作的同時，我也決心在上海交通大學(xué)開設(shè)與薄膜晶體管技術(shù)相關(guān)的本科和研究生課程。”董承遠 現(xiàn)執(zhí)教于上海交通大學(xué)電子工程系。主要研究方向為薄膜晶體管（TFT）工藝、器件與電路及其在平板顯示(FPD)中的應(yīng)用。2003年7月于上海交通大學(xué)獲工學(xué)博士學(xué)位。2003年至2008年先后在上海廣電NEC、昆山龍騰光電和上海天馬等國內(nèi)幾家主要平板顯示制造企業(yè)從事與TFT相關(guān)的工藝開發(fā)、產(chǎn)品設(shè)計和新技術(shù)研發(fā)工作等。本書填補了國內(nèi)薄膜晶體管技術(shù)教材領(lǐng)域的空白。內(nèi)容定位于講解和闡述與薄膜晶體管技術(shù)相關(guān)的最基礎(chǔ)原理，包括材料物理、器件物理、工藝原理和實際應(yīng)用原理等；讀者定位是大專院校的本科生和研究生以及平板顯示產(chǎn)業(yè)界無相關(guān)基礎(chǔ)的工程師等。本書作者結(jié)合自身的教學(xué)實際經(jīng)驗，在內(nèi)容講解順序上另辟蹊徑，即按照從應(yīng)用原理到器件物理再到工藝原理的順序闡述。具體而言，首先從薄膜晶體管在平板顯示的有源矩陣中的應(yīng)用原理講起，并由此引出實際應(yīng)用對TFT器件特性的基本要求；接著便詳細闡述了薄膜晶體管相關(guān)的材料物理和器件物理，并由此確定了TFT工藝的技術(shù)目標(biāo)，其中非晶硅/多晶硅禁帶缺陷態(tài)的產(chǎn)生機理和分布特點以及TFT器件的理論模型和特性參數(shù)提取方法等內(nèi)容為著重闡述之處；最后，重點講解了薄膜晶體管陣列的單項工藝原理和工藝整合原理，其中非晶硅TFT的5MASK工藝流程和多晶硅TFT的6MASK工藝流程正是當(dāng)前產(chǎn)業(yè)界的首選技術(shù)。雖然本書以非晶硅/多晶硅薄膜晶體管技術(shù)的相關(guān)原理作為主要闡述目標(biāo)，作者結(jié)合自身在產(chǎn)業(yè)界的實際工作經(jīng)驗對TFT實際生產(chǎn)中的相關(guān)實務(wù)也多有涉及。此外，在本書的結(jié)尾處作者還根據(jù)自身的研究經(jīng)驗對當(dāng)前比較熱門的以a-IGZO TFT為代表的非晶氧化物薄膜晶體管（AOS TFT）技術(shù)進行了簡單的總結(jié)和展望。