第1章 緒論
1.1 納米半導(dǎo)體材料的定義
1.2 納米半導(dǎo)體材料的基本特性
1.2.1 量子尺寸效應(yīng)
1.2.2 小尺寸效應(yīng)
1.2.3 表面與界面效應(yīng)
1.2.4 量子隧穿效應(yīng)
1.2.5 庫侖阻塞效應(yīng)
1.2.6 量子干涉效應(yīng)
1.2.7 二維電子氣和量子霍耳效應(yīng)
1.3 納米半導(dǎo)體材料的特殊性質(zhì)
1.3.1 光學(xué)特性
1.3.2 光催化特性
1.3.3 光電轉(zhuǎn)換特性
1.3.4 電學(xué)特性
1.3.5 表面活性與敏感特性
1.4 納米半導(dǎo)體技術(shù)對各個領(lǐng)域的影響
1.4.1 納米電子學(xué)與納米半導(dǎo)體電子器件
1.4.2 納米半導(dǎo)體光電子器件
1.4.3 納米能源技術(shù)
1.4.4 環(huán)境納米技術(shù)
1.4.5 納米傳感技術(shù)
1.4.6 納米生物技術(shù)
參考文獻(xiàn)

第2章 低維納米半導(dǎo)體激光器材料與器件
2.1 半導(dǎo)體激光器發(fā)展的簡要回顧
2.1.1 三維同質(zhì)、異質(zhì)結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器
2.1.2 二維量子阱結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體激光器
2.1.3 一維量子線、零維量子點半導(dǎo)體激光器
2.2 半導(dǎo)體激光器基礎(chǔ)
2.2.1 態(tài)密度和量子限制效應(yīng)
2.2.2 光吸收、聯(lián)合態(tài)密度、準(zhǔn)費米能級和粒子數(shù)分布反轉(zhuǎn)
2.2.3 載流子和光波的限制
2.2.4 激光閾值條件
2.2.5 半導(dǎo)體激光器主要性能參數(shù)及其表征
2.3 紫外至可見光量子阱激光器材料
2.3.1 GaN基激光器材料與器件
2.3.2 AlGaInP紅光激光器材料與器件
2.4 近紅外波段量子阱激光器材料
2.4.1 短波長AlGaAsGaAs激光器材料
2.4.2 長波長InP基激光器材料
2.4.3 980nm InGaAsGaAs應(yīng)變量子阱激光器材料
2.5 2～3μm中紅外波段量子阱激光器材料
2.5.1GaInAsSbAlGaAsSb量子阱激光器材料
2.5.2InGaAsInGaAsP應(yīng)變量子阱激光器材料
2.6 中遠(yuǎn)紅外量子級聯(lián)激光器材料
2.6.1 量子級聯(lián)激光器的發(fā)展現(xiàn)狀與趨勢
2.6.2 量子級聯(lián)激光器的工作原理
2.6.3 量子級聯(lián)激光器的結(jié)構(gòu)與特性
2.7 紫外波段氧化鋅量子線陣列激光器
2.7.1 納米氧化鋅激子發(fā)光理論
2.7.2 氧化鋅量子線陣列的外延生長
2.7.3 氧化鋅量子線陣列的激光發(fā)射
參考文獻(xiàn)

第3章 納米電子材料和器件
3.1 從微電子學(xué)到納米電子學(xué)
3.1.1 微電子器件發(fā)展的摩爾定律
3.1.2 納米電子學(xué)的誕生
3.1.3 納米電子學(xué)的研究基礎(chǔ)
3.2 納米電子材料和器件
3.2.1 納米電子材料及其應(yīng)用
3.2.2 電子器件的發(fā)展
3.2.3 納米電子器件及其研究內(nèi)容
3.3 納米硅基CMOS器件
3.3.1 硅基MOS集成電路技術(shù)步入納米尺度
3.3.2 納米CMOS器件面臨的挑戰(zhàn)
3.3.3 納米硅基CMOS器件結(jié)構(gòu)
3.3.4 納米體硅CMOS器件工藝
3.3.5 納米體硅CMOS器件的量子效應(yīng)
3.3.6 新型CMOS器件及其集成技術(shù)
3.4 固態(tài)納米電子器件
3.4.1 量子電子器件的基本類型及其特征
3.4.2 共振隧穿器件
3.4.3 單電子器件
3.4.4 碳納米管互連及其場效應(yīng)晶體管
參考文獻(xiàn)

第4章 納米半導(dǎo)體氣敏傳感器
4.1 半導(dǎo)體氣敏傳感器分類
4.1.1 氣敏傳感器的應(yīng)用與分類
4.1.2 半導(dǎo)體氣敏傳感器的分類
4.2 半導(dǎo)體氣敏傳感器的結(jié)構(gòu)和工作原理
4.2.1 半導(dǎo)體氣敏傳感器的結(jié)構(gòu)
4.2.2 半導(dǎo)體氣敏傳感器的工作原理
4.3 納米SnO2薄膜氣敏傳感器
4.3.1 納米SnO2薄膜氣敏傳感器
4.3.2 摻雜納米SnO2薄膜氣敏傳感器
4.3.3 多組分氧化物復(fù)合的納米SnO2薄膜氣敏傳感器
4.4 新型納米半導(dǎo)體氣敏材料與傳感器
4.4.1 納米In2O3氣敏傳感器
4.4.2 納米NiO氣敏傳感器
4.4.3 納米ZnO氣敏傳感器
4.4.4 納米TiO2氣敏傳感器
4.4.5 尖晶石型鐵酸鹽（MFe2O4）納米材料氣敏傳感器
4.4.6 納米銅氧化物氣敏傳感器
4.4.7 納米WO3氣敏傳感器
4.4.8 納米ZnS氣敏傳感器
參考文獻(xiàn)

第5章 基于半導(dǎo)體納米材料的染料敏化太陽能電池
5.1 染料敏化太陽能電池概況
5.1.1 太陽能電池的發(fā)展現(xiàn)狀與新方向
5.1.2 染料敏化太陽能電池特點及產(chǎn)業(yè)化前景
5.2 染料敏化太陽能電池的結(jié)構(gòu)組成
5.2.1 納米結(jié)構(gòu)的光陽極
5.2.2 電解質(zhì)體系
5.2.3 染料敏化劑
5.2.4 對電極
5.3 染料敏化太陽能電池的工作原理
5.3.1 半導(dǎo)體?溶液界面
5.3.2 染料敏化半導(dǎo)體表面以及光誘導(dǎo)電荷分離
5.3.3 染料敏化太陽能電池工作原理
5.4 基于TiO2納米結(jié)構(gòu)光陽極的染料敏化太陽能電池
5.4.1 染料敏化TiO2太陽能電池的發(fā)展概況
5.4.2 多孔TiO2納米晶薄膜DSC
5.4.3 一維TiO2納米結(jié)構(gòu)染料敏化太陽能電池
5.4.4 TiO2核殼納米結(jié)構(gòu)DSC
5.4.5 TiO2量子點敏化納米結(jié)構(gòu)DSC
5.5 基于ZnO納米結(jié)構(gòu)光陽極的染料敏化太陽能電池
5.5.1 染料敏化ZnO太陽能電池的發(fā)展歷史
5.5.2 ZnO納米晶粒薄膜DSC
5.5.3 ZnO納米線DSC
參考文獻(xiàn)

第6章 納米半導(dǎo)體光催化材料與光催化技術(shù)
6.1 光催化技術(shù)應(yīng)用
6.1.1 光催化在環(huán)境治理方面的應(yīng)用
6.1.2 光催化分解水制氫
6.1.3 光催化抗菌
6.1.4 光催化提取貴金屬
6.1.5 光催化化學(xué)合成
6.2 納米半導(dǎo)體光催化的基本原理
6.2.1 帶隙激發(fā)
6.2.2 去活化過程
6.2.3 半導(dǎo)體光催化反應(yīng)機(jī)理
6.2.4 反應(yīng)過程動力學(xué)
6.3 TiO2微納米空心球
6.3.1 模板法制備中空TiO2微球
6.3.2 在離子液體中制備TiO2空心球
6.3.3 利用Ostwald生長機(jī)理制備TiO2空心球
6.4 TiO2介孔材料
6.4.1 溶膠?凝膠法制備介孔TiO2納米材料
6.4.2 超聲水解法制備介孔TiO2納米材料
6.4.3 水熱法制備介孔TiO2納米材料
6.4.4 蒸發(fā)誘導(dǎo)自組裝法制備介孔TiO2納米材料
6.5 分級納米結(jié)構(gòu)半導(dǎo)體光催化材料
6.5.1 分級結(jié)構(gòu)鎢酸鉍納米材料
6.5.2 鈦酸鉍鈉分級結(jié)構(gòu)納米材料
6.5.3 金屬硫化物固溶體納米棒自組裝的分級納米結(jié)構(gòu)光催化材料
參考文獻(xiàn)

第7章 熒光量子點納米探針及其在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
7.1 生物標(biāo)記技術(shù)
7.1.1 生物標(biāo)記和標(biāo)記物
7.1.2 免疫生物標(biāo)記
7.1.3 納米粒子和生物標(biāo)記
7.2 量子點熒光納米探針的構(gòu)建
7.2.1 熒光量子點的基本特性
7.2.2 熒光量子點的合成
7.2.3 熒光量子點的表面修飾
7.3 量子點在生物醫(yī)學(xué)領(lǐng)域的應(yīng)用
7.3.1 量子點應(yīng)用于細(xì)胞成像及活細(xì)胞動態(tài)過程的實時示蹤
7.3.2 量子點應(yīng)用于活體動物標(biāo)記成像
7.3.3 量子點在微生物檢測中的應(yīng)用
7.3.4 量子點在生物大分子相互作用及相互識別中的應(yīng)用
參考文獻(xiàn)
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