1緒論

1.1研究背景

1.2硅納米晶發(fā)光的研究現(xiàn)狀及進(jìn)展

1.3實(shí)驗(yàn)設(shè)備及其技術(shù)

1.4本研究的工作目標(biāo)

1.5本書(shū)安排及取得的主要成就

參考文獻(xiàn)

2硅納米晶的制備及其電致發(fā)光機(jī)理研究

2.1硅納米晶的制備

2.2硅納米晶的結(jié)構(gòu)特性和光學(xué)特性的表征

2.3硅納米晶的電致發(fā)光機(jī)理研究

2.4本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

3界面效應(yīng)對(duì)硅納米晶發(fā)光的影響

3.1不同基體材料樣品的制備

3.2硅納米晶的發(fā)光光譜

3.3界面效應(yīng)對(duì)硅納米晶發(fā)光的影響

3.4其他因素對(duì)硅納米晶電致發(fā)光強(qiáng)度的影響

3.5本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

4場(chǎng)效應(yīng)在硅納米晶電致發(fā)光中的增強(qiáng)研究

4.1樣品的制備

4.2界面電場(chǎng)的驗(yàn)證

4.3場(chǎng)效應(yīng)層厚度的優(yōu)化

4.4樣品的光致發(fā)光和電致發(fā)光強(qiáng)度

4.5場(chǎng)效應(yīng)對(duì)硅納米晶電致發(fā)光強(qiáng)度的增強(qiáng)研究

4.6本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

5表面等離子體在硅納米晶發(fā)光中的增強(qiáng)研究

5.1表面等離子體(surfacePlasmons)

5.2樣品的制備

5.3表面等離子體的表征

5.4表面等離子體對(duì)硅納米晶發(fā)光的增強(qiáng)研究

5.5本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

6量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的制備及其發(fā)光研究

6.1量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的制備方法

6.2量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的光學(xué)性質(zhì)和結(jié)構(gòu)表征

6.3量產(chǎn)硅量子點(diǎn)的光致發(fā)光及電致發(fā)光研究

6.4本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

7硅納米晶光學(xué)增益的增強(qiáng)研究

7.1硅納米晶光學(xué)增益的測(cè)試方法與模擬計(jì)算

7.2樣品的制備

7.3H鈍化與Ce3 摻雜對(duì)硅納米晶光增益的增強(qiáng)研究

7.4本章小結(jié)

參考文獻(xiàn)

8總結(jié)與展望

8.1內(nèi)容總結(jié)

8.2展望

附錄

附錄1實(shí)驗(yàn)試劑列表

附錄2硅納米晶形成的微觀過(guò)程

附錄3增強(qiáng)硅納米晶光致發(fā)光的方法