引言
第1章 石墨烯概論
1．1 碳同素異形體的發(fā)展
1．2 石墨烯的簡(jiǎn)介
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第2章 離子注入及石墨烯制備方法
2．1 離子注入技術(shù)發(fā)展
2．2 離子與固體相互作用
2．3 離子注入
2．4 半導(dǎo)體器件制備中的應(yīng)用
2．5 在器件生產(chǎn)中離子注入問(wèn)題
2．6 離子注入制備石墨烯
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第3章 離子注入法合成石墨烯的前期探索
3．1 離子注人鎳膜合成厚度可調(diào)的石墨烯層
3．2 離子注人鎳薄膜合成少層石墨烯
3．3 高溫碳注入鎳膜獲得多層石墨烯
3．4 碳離子注入鎳膜并快速熱退火后局域生長(zhǎng)石墨烯
3．5 利用高溫碳離子注入合成晶圓級(jí)多層石墨烯
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第4章 團(tuán)簇離子注入制備石墨烯的研究
4．1 團(tuán)簇離子注入制備石墨烯及非線性損傷效應(yīng)的研究
4．2 超低能負(fù)團(tuán)簇離子束系統(tǒng)及其在制備少層石墨烯中的應(yīng)用
4．3 采用團(tuán)簇離子束注入合成高質(zhì)量石墨烯
4．4 C2-C6團(tuán)簇離子注入制備少層石墨烯的拉曼光譜研究
4．5 通過(guò)離子注人法在SiO2/Si上直接合成石墨烯
4．6 探索團(tuán)簇離子注入的制備方法：從超薄碳膜到石墨烯
4．7 低能團(tuán)簇負(fù)離子束研究
4．8 負(fù)碳團(tuán)簇離子注入銅箔制備石墨烯
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第5章 離子注入SiC合成石墨烯
5．1 通過(guò)離子注入法在SiC上刻畫石墨烯納米帶
5．2 通過(guò)離子注入和脈沖激光退火對(duì)SiC進(jìn)行低溫選擇性石墨化
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第6章 離子注入碳化硅合成石墨烯的研究
6．1 碳化硅上合成石墨烯：通過(guò)碳團(tuán)簇和氬離子注入降低石墨化溫度
6．2 離子束混合技術(shù)在SiC上無(wú)轉(zhuǎn)移合成類石墨烯的原子級(jí)薄碳膜
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結(jié)束語(yǔ)