本書為普通高等教育“十一五”、“十二五”國家級(jí)規(guī)劃教材。本書首先介紹半導(dǎo)體器件基本方程。在此基礎(chǔ)上，全面系統(tǒng)地介紹PN結(jié)二極管、雙極結(jié)型晶體管（BJT）和絕緣柵場(chǎng)效應(yīng)晶體管（MOSFET）的基本結(jié)構(gòu)、基本原理、工作特性和SPICE模型。本書還介紹了主要包括HEMT和HBT的異質(zhì)結(jié)器件。書中提供大量習(xí)題，便于讀者鞏固及加深對(duì)所學(xué)知識(shí)的理解。本書適合作為高等學(xué)校電子科學(xué)與技術(shù)、集成電路設(shè)計(jì)與集成系統(tǒng)、微電子學(xué)等專業(yè)相關(guān)課

本書以正確闡述物理概念為主，輔以必要的數(shù)學(xué)推導(dǎo)，理論分析有一定深度，但又不是把基本物理概念淹沒在繁瑣的數(shù)學(xué)運(yùn)算中，使讀者通過學(xué)習(xí)，達(dá)到對(duì)半導(dǎo)體中的各種基本物理現(xiàn)象有一全面正確的概念，建立起清晰的半導(dǎo)體物理圖像，為后續(xù)課程的學(xué)習(xí)，研究工作的開展，理解各種半導(dǎo)體器件，集成電路的工作機(jī)理打下良好的基礎(chǔ)。