以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導(dǎo)體器件具有導(dǎo)通電阻低、擊穿電壓高、開關(guān)速度快及熱傳導(dǎo)性好等優(yōu)點(diǎn)，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡(jiǎn)化功率電子系統(tǒng)拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對(duì)功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關(guān)重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問(wèn)題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團(tuán)隊(duì)多年的光刻工藝（包括先進(jìn)光刻工藝）研發(fā)經(jīng)驗(yàn)，從集成電路工廠的基本結(jié)構(gòu)、半導(dǎo)體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內(nèi)容出發(fā)，依次介紹光刻基礎(chǔ)知識(shí)，一個(gè)6晶體管靜態(tài)隨機(jī)存儲(chǔ)器的電路結(jié)構(gòu)與3個(gè)關(guān)鍵技術(shù)節(jié)點(diǎn)中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機(jī)的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標(biāo)準(zhǔn)化與

本書是作者從事電子制造40年來(lái)有關(guān)單板互連可靠性方面的經(jīng)驗(yàn)總結(jié),討論了單板常見的失效模式、典型失效場(chǎng)景以及如何設(shè)計(jì)與制造高可靠性產(chǎn)品的廣泛?jiǎn)栴}，并通過(guò)大量篇幅重點(diǎn)討論了焊點(diǎn)的斷裂失效現(xiàn)象及裂紋特征。全書內(nèi)容共4個(gè)部分，第一部分為焊點(diǎn)失效機(jī)理與裂紋特征，詳細(xì)介紹焊點(diǎn)的失效模式、失效機(jī)理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進(jìn)的集成電路工藝節(jié)點(diǎn)不斷向納米級(jí)推進(jìn)，對(duì)半導(dǎo)體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體納米器件的物理學(xué)原理、結(jié)構(gòu)、制造工藝及應(yīng)用等內(nèi)容。開篇介紹了這一研究領(lǐng)域在過(guò)去幾十年的發(fā)展；前半部分重點(diǎn)介紹電子納米器件，包括準(zhǔn)一維電子氣、強(qiáng)電子相關(guān)的測(cè)量、量子點(diǎn)的熱電特性、單電子源、量子電流標(biāo)準(zhǔn)、電子量子光學(xué)、噪聲

本書詳細(xì)介紹了半導(dǎo)體芯片制造中的核心技術(shù)——光刻技術(shù)。主要內(nèi)容包括驅(qū)動(dòng)光學(xué)光刻的基本方程和參數(shù)的相關(guān)知識(shí)、曝光系統(tǒng)和成像基礎(chǔ)理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術(shù)等；深入分析了光刻技術(shù)的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學(xué)以及世界級(jí)大批量制造方面的獨(dú)特經(jīng)驗(yàn)，增加了關(guān)于接

本書對(duì)半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)進(jìn)行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結(jié)構(gòu)到頂層的陣列設(shè)計(jì)，且重點(diǎn)介紹了近些年的工藝節(jié)點(diǎn)縮小趨勢(shì)和最前沿的技術(shù)。本書第1部分討論了主流的半導(dǎo)體存儲(chǔ)器技術(shù)，第2部分討論了多種新型的存儲(chǔ)器技術(shù)，這些技術(shù)都有潛力能夠改變現(xiàn)有的存儲(chǔ)層級(jí)，同時(shí)也介紹了存儲(chǔ)器技術(shù)在機(jī)器學(xué)習(xí)或深度學(xué)習(xí)中的新型應(yīng)用。

本書是由高校光電專業(yè)負(fù)責(zé)人與光電龍頭企業(yè)的高級(jí)工程師、掌握世界最新光電前沿技術(shù)的海歸博士組成的編寫團(tuán)隊(duì)編寫而成，具有前沿技術(shù)與基礎(chǔ)理論并重、理論聯(lián)系實(shí)際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產(chǎn)業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學(xué)習(xí)使用。全書內(nèi)容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎(chǔ)理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

在半導(dǎo)體芯片被廣泛關(guān)注的當(dāng)下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導(dǎo)體芯片原理、設(shè)計(jì)、制造工藝的學(xué)習(xí)參考書�！稑O簡(jiǎn)圖解半導(dǎo)體技術(shù)基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡(jiǎn)單明了地介紹了什么是半導(dǎo)體以及半導(dǎo)體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應(yīng)用領(lǐng)域。在此基礎(chǔ)上詳細(xì)介紹了ISI的開發(fā)與設(shè)計(jì)、IS

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結(jié)、雙極型晶體管和場(chǎng)效應(yīng)晶體管的基本結(jié)構(gòu)、關(guān)鍵參數(shù)、直流特性、頻率特性、開關(guān)特性，側(cè)重對(duì)基本原理的討論，借助圖表對(duì)各種效應(yīng)進(jìn)行圖形化直觀展示，并詳細(xì)推導(dǎo)了各種公式。此外，還對(duì)小尺寸場(chǎng)效應(yīng)晶體管的典型短溝道效應(yīng)及其實(shí)際業(yè)界對(duì)策進(jìn)行了較為詳細(xì)的闡述。本書適合集成電路或微電子相關(guān)專業(yè)本科生

《半導(dǎo)體結(jié)構(gòu)》主要內(nèi)容總體可被劃分為兩個(gè)部分，分別是晶體的結(jié)構(gòu)理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質(zhì)與基本概念撰寫，加深讀者對(duì)晶體結(jié)構(gòu)和關(guān)鍵性質(zhì)的理解。第一部分?jǐn)M通過(guò)五個(gè)章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結(jié)構(gòu)、對(duì)稱性、晶體結(jié)構(gòu)描述方法及典型半導(dǎo)體晶體的重要物理、化學(xué)特性和這些特性與晶體微觀、