隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結構、制造工藝及應用等內容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、噪聲

本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術——光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術等；深入分析了光刻技術的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經驗，增加了關于接

本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結構到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。

本書是由高校光電專業(yè)負責人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術的海歸博士組成的編寫團隊編寫而成，具有前沿技術與基礎理論并重、理論聯(lián)系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學習使用。全書內容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結構、關鍵參數、直流特性、頻率特性、開關特性，側重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應進行圖形化直觀展示，并詳細推導了各種公式。此外，還對小尺寸場效應晶體管的典型短溝道效應及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關專業(yè)本科生

《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結構和關鍵性質的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、

本書首次利用半導體超晶格作為真隨機數發(fā)生器的混沌熵源，針對超晶格作為混沌熵源時所涉及的器件設計、混沌信號分析、隨機數提取等問題進行研究，從理論上對超晶格混沌產生自激振蕩的機理進行了研究，從實踐上實現了基于超晶格混沌熵源的隨機數發(fā)生器設計及產生真隨機數的評估。

本書講述了功率半導體器件的基本原理，涵蓋Si器件、SiC器件，GaN器件以及GaAs器件等；綜合分析和呈現了不同類型器件的封裝形式、工藝流程、材料參數、器件特性和技術難點等；將功率器件測試分為特性測試、極限能力測試、高溫可靠性測試、電應力可靠性測試和壽命測試等，并詳細介紹了測試標準、方法和原理，同步分析了測試設備和數據

半導體材料是材料、信息、新能源的交叉學科，是信息、新能源（半導體照明、太陽能光伏）等高科技產業(yè)的材料基礎。本書共15章，詳細介紹了半導體材料的基本概念、基本物理原理、制備原理和制備技術，重點介紹了半導體硅材料（包括高純多晶硅、區(qū)熔單晶硅、直拉單晶硅和硅薄膜半導體材料）的制備、結構和性質，闡述了化合物半導體（包括Ⅲ-Ⅴ族

本書內容涵蓋了真空鍍膜的關鍵技術和實際應用。在介紹真空鍍膜技術基礎理論及應用的基礎上，著重闡述了真空蒸發(fā)鍍膜、真空濺射鍍膜、真空離子鍍膜、等離子體增強化學氣相沉積的原理、工藝、應用等，緊接著介紹了薄膜厚度的測量、薄膜分析檢測技術等方面的內容，最后詳細闡述了工模具真空鍍膜生產線的具體工藝流程。本書敘述深入淺出，內容豐富而