《真空鍍膜原理與技術(shù)》闡述了真空鍍膜的應(yīng)用，真空鍍膜過程中薄膜在基體表面生長過程；探討了薄膜生長的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的原理、特點、裝置及應(yīng)用技術(shù)等。力求避開煩瑣的數(shù)學(xué)公式，盡量用簡單的語言闡述物理過程。通俗易懂、簡單易學(xué)。

《硅加工中的表征》是材料表征原版系列叢書之一。全書共分六章，內(nèi)容包括：材料表征技術(shù)在硅外延生長中的應(yīng)用；多晶硅導(dǎo)體；硅化物；鋁和銅基導(dǎo)線；級鎢基導(dǎo)體；阻隔性薄膜。本書適合作為相關(guān)領(lǐng)域的教學(xué)、研究、技術(shù)人員以及研究生和高年級本科生的參考書。

《化合物半導(dǎo)體加工中的表征(英文)》的主要內(nèi)容包括：PrefacetotheReissueoftheMaterialsCharacterizationSeriesix；PrefacetoSeriesx；PrefacetotheReissueofCharacterizationofCompoundSemiconducto

《信息科學(xué)技術(shù)學(xué)術(shù)著作叢書：硅通孔3D集成技術(shù)》系統(tǒng)討論用于電子、光電子和MEMS器件的三維集成硅通孔（TSV）技術(shù)的最新進展和未來可能的演變趨勢，同時詳盡討論三維集成關(guān)鍵技術(shù)中存在的主要工藝問題和可能的解決方案。通過介紹半導(dǎo)體工業(yè)中的納米技術(shù)和三維集成技術(shù)的起源和演變歷史，結(jié)合當(dāng)前三維集成關(guān)鍵技術(shù)的發(fā)展重點討論

《納米半導(dǎo)體器件與技術(shù)》(作者印紐斯基)這本書由來自工業(yè)界和學(xué)術(shù)界的國際頂級專家參與撰寫，是一本對未來納米制造技術(shù)有濃厚興趣的人必讀的書�！都{米半導(dǎo)體器件與技術(shù)》介紹了半導(dǎo)體工藝從標(biāo)準(zhǔn)的CMOS硅工藝到新型器件結(jié)構(gòu)的演變，包括碳納米管、石墨烯、量子點、III-V族材料。本書涉及納米電子器件的研究現(xiàn)狀，提供了包羅萬象的關(guān)

全書按照LED產(chǎn)業(yè)鏈的主線進行編寫，試圖從LED的原理、材料、芯片、封裝、應(yīng)用等闡述LED。全書分為16章，第1章電光源綜述，主要介紹光源的歷史并對LED與傳統(tǒng)光源進行比較；第2章介紹LED的發(fā)光原理；第3章介紹LED的材料體系；第4章介紹LED的光取出；第5章介紹LED的芯片制造技術(shù)；第6章介紹LED的封裝技術(shù)；第7

《異質(zhì)結(jié)雙極晶體管:射頻微波建模和參數(shù)提取方法》是作者在微波和光通信技術(shù)領(lǐng)域多年工作、學(xué)習(xí)、研究和教學(xué)過程中獲得的知識和經(jīng)驗的總結(jié)。主要目的是通過對作者在Ⅲ—Ⅴ族化合物半導(dǎo)體器件模型研究和測試技術(shù)方面所作的研究工作加以回顧和總結(jié)，以利于今后研究工作的深入開展�！懂愘|(zhì)結(jié)雙極晶體管:射頻微波建模和參數(shù)提取方法》的核心內(nèi)容源

本書是為適應(yīng)當(dāng)前中職電子技術(shù)應(yīng)用專業(yè)教學(xué)改革形勢發(fā)展而編寫的一本電子工藝實踐教材。全書共分兩部分，第1部分為SMT工藝，詳細介紹了SMT中的焊錫膏印刷、貼片、焊接、檢測等技能型人才應(yīng)該掌握的基本知識，特別強調(diào)了生產(chǎn)現(xiàn)場的工藝指導(dǎo)，同時也介紹了SMT設(shè)備的性能、操作方法及日常維護。第2部分是PCB制造方面的知識，主要內(nèi)容

本書主要講解了晶硅硅片加工工藝，主要包括單晶硅棒截斷、單晶硅棒與多晶硅錠開方、單晶硅塊磨面與滾圓、多晶硅塊磨面與倒角，多線切割、硅片清洗、硅片檢測與包裝等。本書根據(jù)硅片生產(chǎn)工藝流程，采用任務(wù)驅(qū)動、項目訓(xùn)練的方法組織教學(xué)，以側(cè)重實踐操作技能為原則，注重實踐與理論的緊密結(jié)合，以職業(yè)崗位能力為主線突出應(yīng)用性和實踐性。本書適合

本書主要分為兩部分。第一部分為實驗指導(dǎo)，包括實驗總則、常用寄生蟲學(xué)檢驗技術(shù)、寄生蟲形態(tài)學(xué)觀察內(nèi)容；第二部分含10套模擬試題及其參考答案。