全書(shū)分上下兩篇, 上、下兩篇既獨(dú)立成篇又互為聯(lián)系, 隸屬于微電子相關(guān)專(zhuān)業(yè)的知識(shí)體系, 其中每篇又由“基礎(chǔ)知識(shí)”和“實(shí)驗(yàn)”兩部分構(gòu)成。上篇為“半導(dǎo)體物理實(shí)驗(yàn)”, 分別為構(gòu)建晶體結(jié)構(gòu)、仿真與分析晶體電子結(jié)構(gòu)、單波長(zhǎng)橢偏法測(cè)試分析薄膜的厚度與折射率、四探針測(cè)試半導(dǎo)體電阻率、霍耳效應(yīng)實(shí)驗(yàn)、高頻光電導(dǎo)法測(cè)少子壽命、肖特基二極管的電流電壓測(cè)試分析、肖特基二極管的勢(shì)壘高度和半導(dǎo)體的雜質(zhì)濃度的測(cè)試分析、MIS的高頻CV測(cè)試。下篇為“微電子器件實(shí)驗(yàn)”, 分別為二極管直流參數(shù)測(cè)試、雙極型晶體管直流參數(shù)測(cè)試、MOS場(chǎng)效應(yīng)晶體管直流參數(shù)測(cè)試、雙極型晶體管開(kāi)關(guān)參數(shù)測(cè)試、雙極型晶體管頻率特性測(cè)試。每個(gè)實(shí)驗(yàn)均包括學(xué)習(xí)目標(biāo)、建議學(xué)時(shí)、原理、實(shí)驗(yàn)儀器、實(shí)驗(yàn)內(nèi)容、實(shí)驗(yàn)步驟、復(fù)習(xí)題, 旨在培養(yǎng)學(xué)生的實(shí)驗(yàn)操作技能和實(shí)驗(yàn)思考技能。

更多科學(xué)出版社服務(wù)，請(qǐng)掃碼獲取。