模擬電子技術(shù)基礎(chǔ) （電類(lèi)）（第2版）“十一五”規(guī)劃教材
定 價(jià)：45 元
叢書(shū)名：21世紀(jì)電工電子學(xué)課程系列教材
- 作者：羅桂娥 等
- 出版時(shí)間：2009/1/1
- ISBN：9787811057690
- 出 版 社：中南大學(xué)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN01
- 頁(yè)碼：456
- 紙張：膠版紙
- 版次：2
- 開(kāi)本：16K
半導(dǎo)體器件，基本放大電路，放大電路的頻率響應(yīng)，功率放大電路，模擬集成電路基礎(chǔ)，放大電路中的反饋，信號(hào)運(yùn)算與處理電路，波形發(fā)生與信號(hào)轉(zhuǎn)換電路，直流電源等。
《模擬電子技術(shù)基礎(chǔ)（電類(lèi)）（第2版）》適用于作為高等院校電氣電子信息類(lèi)各專(zhuān)業(yè)的教材用書(shū)，也可以供相關(guān)專(zhuān)業(yè)選用和社會(huì)讀者閱讀。
我的面前擺放著十多本封面五顏六色的電工電子學(xué)系列課程教材，它們是中南大學(xué)信息科學(xué)與工程學(xué)院電子科學(xué)與技術(shù)系電工電子學(xué)系列課程教學(xué)團(tuán)隊(duì)多年辛勤勞動(dòng)和教學(xué)實(shí)踐的結(jié)晶。
電流所經(jīng)過(guò)的路徑叫電路。大學(xué)生學(xué)習(xí)電工電子電路課程的意義猶如行人、游人、司機(jī)學(xué)習(xí)行路知識(shí)和人們探求人生之路的真諦一樣重要。無(wú)論是“電路”、“前進(jìn)道路”還是“人生道路”，都有一個(gè)“路”字。俗話(huà)說(shuō)，“路是人走出來(lái)的”。人生之路是探索出來(lái)的，行路見(jiàn)識(shí)是體驗(yàn)出來(lái)的，電路知識(shí)是學(xué)習(xí)得來(lái)的。研究發(fā)現(xiàn)，人類(lèi)社會(huì)的許多自然現(xiàn)象、科技和人文問(wèn)題都可用電路的方法來(lái)模擬，人類(lèi)自身的許多活動(dòng)和智能行為也可用電路的方法通過(guò)硬件與軟件來(lái)模仿。因此，電工電子學(xué)系列課程作為技術(shù)基礎(chǔ)課程對(duì)高校人才培養(yǎng)所起的重要作用是不言而喻的。電工電子學(xué)的基礎(chǔ)知識(shí)、基礎(chǔ)理論和基本技能正通過(guò)教學(xué)活動(dòng)和人的智能活動(dòng)向各個(gè)學(xué)科領(lǐng)域擴(kuò)展和滲透，發(fā)揮著越來(lái)越大的作用。通過(guò)本系列課程學(xué)習(xí)，學(xué)生能夠獲得關(guān)于電工電子學(xué)的基本理論、基本知識(shí)和基本技能，為后續(xù)專(zhuān)業(yè)課程的學(xué)習(xí)和畢業(yè)后參加工作打下基礎(chǔ)。
現(xiàn)由中南大學(xué)出版社出版的這套電工電子學(xué)系列教材，是根據(jù)電工電子學(xué)系列課程教學(xué)體系而編寫(xiě)的，其教學(xué)目標(biāo)在于培養(yǎng)學(xué)生的創(chuàng)新能力，滿(mǎn)足不同專(zhuān)業(yè)學(xué)生的培養(yǎng)要求和個(gè)性化人才培養(yǎng)的需求。該系列教材分為3大類(lèi)別：第1為基礎(chǔ)知識(shí)類(lèi)，第2為擴(kuò)展知識(shí)類(lèi)，第3為實(shí)踐技能類(lèi)。其中，基礎(chǔ)知識(shí)教材又分為電類(lèi)、機(jī)電類(lèi)、非電類(lèi)、文理類(lèi)4個(gè)層次共9個(gè)模塊；擴(kuò)展知識(shí)類(lèi)教材主要是電工電子學(xué)新知識(shí)的擴(kuò)展與延伸，共有10個(gè)模塊；實(shí)踐技能類(lèi)教材分為實(shí)驗(yàn)、實(shí)習(xí)和課程設(shè)計(jì)3個(gè)模塊。
第1章 半導(dǎo)體器件
1.1 半導(dǎo)體材料及PN結(jié)
1.1.1 本征半導(dǎo)體
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
1.1.3 PN結(jié)
1.2 半導(dǎo)體二極管
1.2.1 二極管的結(jié)構(gòu)類(lèi)型
1.2.2 二極管的伏安特性
1.2.3 二極管的常用電路模型
1.2.4 二極管的主要參數(shù)
1.2.5 穩(wěn)壓二極管
1.2.6 二極管的應(yīng)用舉例
1.3 雙極型晶體三極管
1.3.1 BJT的結(jié)構(gòu)及類(lèi)型
1.3.2 三極管的電流放大作用
1.3.3 BJT的特性曲線(xiàn)
1.3.4 三極管的主要參數(shù)
1.3.5 溫度對(duì)BJT特性及其參數(shù)的影響
1.4 場(chǎng)效應(yīng)管
1.4.1 絕緣柵型場(chǎng)效應(yīng)管
1.4.2 場(chǎng)效應(yīng)管的主要參數(shù)
1.5 自學(xué)材料
1.5.1 特殊二極管
1.5.2 結(jié)型場(chǎng)效應(yīng)管
1.5.3 特殊三極管
本章小結(jié)
習(xí)題
第2章 基本放大電路
2.1 概述
2.1.1 基本放大電路的分類(lèi)
2.1.2 基本放大電路的組成
2.1.3 放大電路的主要技術(shù)指標(biāo)
2.1.4 三極管的電路模型
2.1.5 放大電路中的直流通路和交流通路
2.2 基本放大電路的分析
2.2.1 圖解法
2.2.2 放大電路的等效電路法分析
2.3 放大電路靜態(tài)工作點(diǎn)的穩(wěn)定
2.3.1 溫度對(duì)靜態(tài)工作點(diǎn)的影響
2.3.2 穩(wěn)定靜態(tài)工作點(diǎn)的措施
2.4 共集放大電路和共基放大電路
2.4.1 共集電極基本放大電路
2.4.2 共基極基本放大電路
2.4.3 3種基本組態(tài)放大電路的比較
2.5 場(chǎng)效應(yīng)管放大電路
2.5.1 場(chǎng)效應(yīng)管的直流偏置電路及靜態(tài)分析
2.5.2 3種接法FET放大電路的動(dòng)態(tài)分析
2.6 多級(jí)放大電路
2.6.1 多級(jí)放大電路的耦合方式及其電路組成
2.6.2 多級(jí)放大電路的分析
2.7 自學(xué)材料——其他耦合放大電路
2.7.1 變壓器耦合放大電路
2.7.2 光耦合放大電路
本章小結(jié)
習(xí)題
第3章 放大電路的頻率響應(yīng)
3.1 概述
3.2 RC電路的頻率響應(yīng)
3.2.1 RC低通電路的頻率響應(yīng)
3.2.2 RC高通電路的頻率響應(yīng)
3.3 晶體管的高頻等效模型
3.3.1 晶體管混合π模型的建立
3.3.2 簡(jiǎn)化的混合π模型
3.3.3 混合π模型的主要參數(shù)
3.4 共射極放大電路的頻率響應(yīng)
3.5 放大電路頻率響應(yīng)的改善與增益帶寬積
3.6 自學(xué)材料——多級(jí)放大電路的頻率響應(yīng)
本章小結(jié)
習(xí)題
第4章 功率放大電路
4.1 概述
4.1.1 功率放大電路的特點(diǎn)及主要性能指標(biāo)
4.1.2 功率放大電路的分類(lèi)
4.2 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
4.2.1 互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大器的引出
4.2.2 OCL電路的組成與工作原理
4.2.3 OCL電路的輸出功率與效率
4.2.4 OCL電路中晶體管的選擇
4.3 改進(jìn)型OCL電路
4.3.1 甲乙類(lèi)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
4.3.2 準(zhǔn)互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
4.3.3 輸出電流的保護(hù)
4.4 自學(xué)材料
4.4.1 其他類(lèi)型互補(bǔ)對(duì)稱(chēng)功率放大電路
4.4.2 集成功率放大電路
本章小結(jié)
習(xí)題
第5章 模擬集成電路基礎(chǔ)
5.1 概述
5.1.1 集成電路中的元器件特點(diǎn)
5.1.2 集成電路結(jié)構(gòu)形式上的特點(diǎn)
5.2 晶體管電流源電路及有源負(fù)載放大電路
5.2.1 電流源電路
5.2.2 有源負(fù)載共射放大電路
5.3 差動(dòng)放大電路
5.3.1 工作原理
5.3.2 基本性能分析
5.3.3 差動(dòng)放大電路的4種接法
5.3.4 差動(dòng)放大電路的改進(jìn)
5.4 集成運(yùn)算放大電路
5.4.1 集成運(yùn)放電路的組成及各部分的作用
5.4.2 F007通用集成運(yùn)放電路簡(jiǎn)介
5.4.3 集成運(yùn)放的主要性能指標(biāo)
5.4.4 集成運(yùn)放電路的低頻等效電路
5.4.5 集成運(yùn)放的電壓傳輸特性
5.5 自學(xué)材料
5.5.1 其他幾種集成運(yùn)算放大器簡(jiǎn)介
5.5.2 集成運(yùn)放使用注意事項(xiàng)
5.5.3 輸出電壓與輸出電流的擴(kuò)展
本章小結(jié)
習(xí)題
第6章 放大電路的反饋
6.1 概述
6.1.1 反饋的基本概念
6.1.2 反饋的判斷
6.2 負(fù)反饋放大電路的方框圖
6.2.1 負(fù)反饋放大電路的方框圖及一般表達(dá)式
6.2.2 4種組態(tài)的方框圖
6.3 深度負(fù)反饋放大電路放大倍數(shù)的估算
6.3.1 深度負(fù)反饋的實(shí)質(zhì)
6.3.2 放大倍數(shù)的分析
6.4 負(fù)反饋對(duì)放大電路的影響
6.4.1 提高閉環(huán)放大倍數(shù)的的穩(wěn)定性
6.4.2 改善輸入電阻和輸出電阻
6.4.3 展寬通頻帶
6.4.4 減小非線(xiàn)性失真
6.4.5 負(fù)反饋對(duì)噪聲、干擾和溫漂的影響
6.4.6 放大電路中引入負(fù)反饋的一般原則
6.5 自學(xué)材料
6.5.1 負(fù)反饋放大電路的穩(wěn)定性
6.5.2 電流反饋型運(yùn)算放大電路
本章小結(jié)
習(xí)題
第7章 信號(hào)的運(yùn)算與處理電路
7.1 概述
7.2 基本運(yùn)算電路
7.2.1 比例運(yùn)算電路
7.2.2 加減運(yùn)算電路
7.2.3 積分運(yùn)算電路與微分運(yùn)算電路
7.2.4 對(duì)數(shù)運(yùn)算電路和指數(shù)運(yùn)算電路
7.3 模擬乘法器及其應(yīng)用
7.3.1 模擬乘法器簡(jiǎn)介
7.3.2 模擬乘法器的工作原理
7.3.3 模擬乘法器的應(yīng)用
7.4 有源濾波電路
7.4.1 濾波電路的基礎(chǔ)知識(shí)
7.4.2 低通濾波器
7.4.3 高通濾波器
7.4.4 帶通濾波器
7.4.5 帶阻濾波器
7.5 自學(xué)材料
7.5.1 預(yù)處理放大器
7.5.2 開(kāi)關(guān)電容濾波器
7.5.3 其他形式濾波電路
本章小結(jié)
習(xí)題
第8章 波形發(fā)生與信號(hào)轉(zhuǎn)換電路
8.1 概述
8.2 正弦波振蕩電路
8.2.1 正弦波振蕩的條件
8.2.2 RC正弦波振蕩電路
8.2.3 LC正弦波振蕩電路
8.2.4 石英晶體正弦波振蕩電路
8.3 電壓比較器
8.3.1 簡(jiǎn)單比較器
8.3.2 滯回比較器
8.3.3 窗口比較器
8.4 非正弦波發(fā)生電路
8.4.1 矩形波發(fā)生電路
8.4.2 三角波發(fā)生電路
8.4.3 鋸齒波發(fā)生電路
8.5 利用集成運(yùn)放實(shí)現(xiàn)信號(hào)的轉(zhuǎn)換
8.5.1 電壓一電流轉(zhuǎn)換電路
8.5.2 電壓-頻率轉(zhuǎn)換電路
8.5.3 精密整流電路
8.6 自學(xué)材料
8.6.1 單片集成函數(shù)發(fā)生器
8.6.2 集成鎖相環(huán)及其應(yīng)用
8.6.3 集成電壓比較器
本章小結(jié)
習(xí)題
第9章 直流電源
9.1 概述
9.2 單相整流電路
9.2.1 單相半波整流電路
9.2.2 單相橋式全波整流電路
9.3 濾波電路
9.3.1 電容濾波電路
9.3.2 其他形式的濾波電路
9.4 穩(wěn)壓二極管穩(wěn)壓電路
9.4.1 穩(wěn)壓電路的組成與工作原理
9.4.2 穩(wěn)壓電路的性能指標(biāo)與參數(shù)選擇
9.5 串聯(lián)型穩(wěn)壓電路
9.5.1 穩(wěn)壓電路的組成與工作原理
9.5.2 集成三端穩(wěn)壓器的應(yīng)用
9.6 自學(xué)材料
9.6.1 倍壓整流
9.6.2 開(kāi)關(guān)型穩(wěn)壓電路
9.6.3 穩(wěn)壓電路的保護(hù)
本章小結(jié)
習(xí)題
附錄在系統(tǒng)可偏程模擬器件
參考文獻(xiàn)
1.1.2 雜質(zhì)半導(dǎo)體
通過(guò)擴(kuò)散工藝，摻人某些特殊的微量元素后的半導(dǎo)體稱(chēng)為雜質(zhì)半導(dǎo)體。在純凈的半導(dǎo)體中摻人三價(jià)元素可以構(gòu)成P型（空穴型）半導(dǎo)體，摻入五價(jià)元素可以構(gòu)成N型（電子型）半導(dǎo)體�？刂茡饺氲奈⒘吭氐臐舛染涂梢钥刂齐s質(zhì)半導(dǎo)體的導(dǎo)電性能。
1.P型半導(dǎo)體
在半導(dǎo)體晶體（如硅）中，摻入微量的三價(jià)元素（如硼、鎵或銦）就構(gòu)成了P（Positive）型半導(dǎo)體。由于雜質(zhì)原子最外層有3個(gè)價(jià)電子，它們會(huì)取代晶格中硅原子的位置而與周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵結(jié)構(gòu)，雜質(zhì)原子因缺少一個(gè)價(jià)電子而同時(shí)產(chǎn)生一個(gè)空位。在常溫下，當(dāng)共價(jià)鍵中硅原子的價(jià)電子由于熱運(yùn)動(dòng)而填補(bǔ)此空位時(shí)，雜質(zhì)原子因?yàn)楂@得了一個(gè)電子而成為負(fù)離子，同時(shí)硅原子的共價(jià)鍵因?yàn)槿绷艘粋�(gè)價(jià)電子而產(chǎn)生了一個(gè)空穴。雜質(zhì)負(fù)離子處于晶格的位置上而不能自由移動(dòng)，如圖1.4所示。在P型半導(dǎo)體中，空穴來(lái)自?xún)蓚�(gè)方面：一部分由本征激發(fā)產(chǎn)生，其數(shù)量極少；另一部分與雜質(zhì)負(fù)離子同時(shí)產(chǎn)生，其數(shù)量取決于雜質(zhì)濃度，且與負(fù)離子數(shù)量相等。所以，在P型（亦稱(chēng)為空穴型）半導(dǎo)體中，空穴數(shù)量等于負(fù)離子數(shù)加自由電子數(shù)，空穴成為多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子），而自由電子成為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）。雜質(zhì)原子因?yàn)槠渲械目瘴晃针娮樱Q(chēng)為受主雜質(zhì)。
2.N型半導(dǎo)體
同樣道理，在半導(dǎo)體晶體（如硅）中，摻入微量的五價(jià)元素（如磷、砷或銻）就構(gòu)成了N（Negative）型半導(dǎo)體。由于雜質(zhì)原子最外層有5個(gè)價(jià)電子，當(dāng)它們?nèi)〈Ц裰泄柙拥奈恢枚c周?chē)墓柙有纬晒矁r(jià)鍵時(shí)，還會(huì)多出一個(gè)不受共價(jià)鍵束縛的電子，在常溫下，由于熱激發(fā)就可以使它們成為自由電子。雜質(zhì)原子由于處于晶格的位置上，且釋放了一個(gè)電子而成為不能移動(dòng)的正離子，如圖1.5所示。在N型半導(dǎo)體中，電子來(lái)自?xún)蓚�(gè)方面：一部分由本征激發(fā)產(chǎn)生（數(shù)量極少）；另一部分與雜質(zhì)正離子同時(shí)產(chǎn)生（數(shù)量取決于雜質(zhì)濃度，且與正離子數(shù)量相等）。所以在N型（亦稱(chēng)為電子型）半導(dǎo)體中，自由電子的數(shù)量等于正離子數(shù)加空穴數(shù)，自由電子成為多數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)多子），而空穴成為少數(shù)載流子（簡(jiǎn)稱(chēng)少子）。雜質(zhì)原子可以提供電子，故稱(chēng)為施主雜質(zhì)。
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