RF MEMS器件設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用
定 價(jià)：99 元
- 作者：朱健 編
- 出版時(shí)間：2012/12/1
- ISBN：9787118085013
- 出 版 社：國(guó)防工業(yè)出版社
- 中圖法分類(lèi)：TN6
- 頁(yè)碼：272
- 紙張：膠版紙
- 版次：1
- 開(kāi)本：16開(kāi)
《微米納米技術(shù)叢書(shū)·MEMS與微系統(tǒng)系列：RF MEMS器件設(shè)計(jì)、加工和應(yīng)用》是第一部由國(guó)內(nèi)作者編著的RF MEMS技術(shù)專(zhuān)業(yè)著作，在介紹RF MEMS理論基礎(chǔ)上，側(cè)重工程應(yīng)用的設(shè)計(jì)方法及工藝技術(shù)，首次系統(tǒng)公布了南京電子器件研究所近十年來(lái)在RF MEMS領(lǐng)域的研究成果，包括獲得國(guó)家技術(shù)專(zhuān)利的RFMEMS理論研究成果和工藝技術(shù)，代表我國(guó)RF MEMS技術(shù)的最新成果和最前沿技術(shù)。
第1章 概述
1.1 RF MEMS的內(nèi)涵
1.2 RF MEMS的發(fā)展歷程
1.2.1 國(guó)外RF MEMS技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
1.2.2 國(guó)內(nèi)RF MEMS技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
1.3 RF MEMS的優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)前景
1.3.1 RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
1.3.2 RF MEMS技術(shù)的作用
1.3.3 RF MEMS技術(shù)的市場(chǎng)前景
1.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 RF MEMS設(shè)計(jì)技術(shù)
2.1 RF MEMS牽涉的力學(xué)和尺度效應(yīng)
2.1.1 靜電力
第1章 概述
1.1 RF MEMS的內(nèi)涵
1.2 RF MEMS的發(fā)展歷程
1.2.1 國(guó)外RF MEMS技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
1.2.2 國(guó)內(nèi)RF MEMS技術(shù)發(fā)展路線(xiàn)
1.3 RF MEMS的優(yōu)勢(shì)和市場(chǎng)前景
1.3.1 RF MEMS技術(shù)的優(yōu)勢(shì)
1.3.2 RF MEMS技術(shù)的作用
1.3.3 RF MEMS技術(shù)的市場(chǎng)前景
1.4 結(jié)論
參考文獻(xiàn)
第2章 RF MEMS設(shè)計(jì)技術(shù)
2.1 RF MEMS牽涉的力學(xué)和尺度效應(yīng)
2.1.1 靜電力
2.1.2 電磁力
2.1.3 壓電力
2.1.4 電熱力
2.1.5 范德瓦爾斯力和卡西米爾力
2.1.6 力的尺度效應(yīng)
2.2 RF MEMS器件的力學(xué)模型
2.2.1 固支梁微結(jié)構(gòu)
2.2.2 懸臂梁微結(jié)構(gòu)
2.2.3 膜橋微結(jié)構(gòu)
2.2.4 RF MEMS開(kāi)關(guān)時(shí)間計(jì)算
2.2.5 RF MEMS開(kāi)關(guān)能量消耗
2.3 RF MEMS器件的電磁模型
2.3.1 射頻設(shè)計(jì)基礎(chǔ)
2.3.2 RF MEMS并聯(lián)電容式開(kāi)關(guān)
2.3.3 直接接觸式RF MEMS串聯(lián)開(kāi)關(guān)
2.3.4 MEMS機(jī)械濾波器
2.4 計(jì)算仿真實(shí)例分析
2.4.1 設(shè)計(jì)流程
2.4.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
2.4.3 射頻設(shè)計(jì)
2.4.4 實(shí)測(cè)結(jié)果分析
2.4.5 電磁模型擬合結(jié)果
參考文獻(xiàn)
第3章 RF MEMS工藝技術(shù)
3.1 RF MEMS 32藝技術(shù)的發(fā)展
3.2 表面犧牲層工藝
3.2.1 高溫表面犧牲層工藝
3.2.2 低溫表面犧牲層工藝
3.2.3 黏附機(jī)制和抗黏附方法研究
3.3 RF MEMS器件體硅工藝流程
3.4 RF MEMS典型工藝介紹
3.4.1 濕法腐蝕工藝
3.4.2 干法刻蝕工藝
3.4.3 通孔與填孔工藝
3.4.4 圓片鍵合工藝
3.4.5 圓片減薄拋光工藝
3.4.6 襯底轉(zhuǎn)移工藝
3.5 GaAs基RF MEMS工藝技術(shù)
3.6 新材料新工藝
3.6.1 聚合物材料
3.6.2 LIGA
3.6.3 納米壓印
參考文獻(xiàn)
第4章 RF MEMS開(kāi)關(guān)
4.1 RF MEMS開(kāi)關(guān)概述
4.1.1 RF MEMS開(kāi)關(guān)的特性
4.1.2 RF MEMS開(kāi)關(guān)的分類(lèi)
4.1.3 RF MEMS開(kāi)關(guān)的激勵(lì)方式
4.1.4 RF MEMS開(kāi)關(guān)的設(shè)計(jì)
4.2 RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)
4.2.1 RF MEMS電容式開(kāi)關(guān)基本原理
4.2.2 RF MEMS單膜橋開(kāi)關(guān)
4.2.3 RF MEMS雙膜橋開(kāi)關(guān)
4.3 RF MEMS接觸式開(kāi)關(guān)
4.4 RF MEMS開(kāi)關(guān)優(yōu)化設(shè)計(jì)
4.4.1 高隔離度設(shè)計(jì)
4.4.2 驅(qū)動(dòng)信號(hào)與微波信號(hào)物理隔離的RF MEMS開(kāi)關(guān)優(yōu)化
4.5 RF MEMS開(kāi)關(guān)產(chǎn)品
4.5.1 RMI公司的RF MEMS開(kāi)關(guān)
4.5.2 原TeriVicta公司的RF MEMS開(kāi)關(guān)
4.5.3 Omron公司的RF MEMS開(kāi)關(guān)
4.5.4 Panasonic公司的RF MEMS開(kāi)關(guān)
4.5.5 南京電子器件研究所的RF MEMS開(kāi)關(guān)
參考文獻(xiàn)
第5章 RF MEMS電容和電感
5.1 概述
5.2 結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
5.2.1 電容和電感的Q值與寄生效應(yīng)
5.2.2 電容結(jié)構(gòu)
5.2.3 電感結(jié)構(gòu)
參考文獻(xiàn)
第6章 RF MEMS移相器
6.1 概述
6.2 DMTL型移相器
6.2.1 基本原理
6.2.2 模擬DMTL移相器
6.2.3 數(shù)字DMTL移相器
6.3 反射型MEMS移相器
6.3.1 并聯(lián)式開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的數(shù)字移相器
6.3.2 串聯(lián)式開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的數(shù)字移相器
6.4 開(kāi)關(guān)線(xiàn)型MEMS移相器
6.4.1 并聯(lián)式開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的開(kāi)關(guān)線(xiàn)數(shù)字移相器
6.4.2 串聯(lián)式開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的數(shù)字移相器
6.4.3 基于SP4T開(kāi)關(guān)實(shí)現(xiàn)的數(shù)字移相器
6.5 開(kāi)關(guān)網(wǎng)絡(luò)型MEMS移相器
6.6 MEMS數(shù)字延遲線(xiàn)
6.7 MEMS移相器集成和系統(tǒng)
參考文獻(xiàn)
第7章 RF MEMS諧振器
7.1 概述
7.2 MEMS諧振器
7.2.1 MEMS諧振器基礎(chǔ)
7.2.2 梳狀諧振器
7.2.3 梁式諧振器
7.2.4.薄膜體聲波諧振器
7.3 基片集成波導(dǎo)型諧振器
7.3.1 SIW MEMS諧振器
7.3.2 SIW MEMS諧振器的制作工藝
7.4 MEMS壓控振蕩器
參考文獻(xiàn)
第8章 RF MEMS濾波器
8.1 概述
8.1.1 HTS濾波器
8.1.2 LTCC濾波器
8.1.3 RF MEMS濾波器
8.2 微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.2.1 薄膜支撐型微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.2.2 微屏蔽微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.2.3 懸浮型微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.2.4 同軸線(xiàn)型微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.2.5 波導(dǎo)型微機(jī)械傳輸線(xiàn)
8.3 微機(jī)械濾波器
8.3.1 微機(jī)械諧振濾波器
8.3.2 BAW濾波器
8.3.3 薄膜腔體型微機(jī)械濾波器
8.3.4 硅基微小型MEMS濾波器
8.3.5 基片集成波導(dǎo)型MEMS濾波器
8.3.6 硅腔MEMS濾波器
8.4 可調(diào)濾波器
8.4.1 HF-UHF MEMS可調(diào)諧濾波器
8.4.2 2GHz-18GHz MEMS可調(diào)諧濾波器
8.4.3 毫米波MEMS可調(diào)濾波器
參考文獻(xiàn)
第9章 RF MEMS天線(xiàn)
9.1 RF MEMS天線(xiàn)概述
9.1.1 MEMS天線(xiàn)種類(lèi)
9.1.2 MEMS天線(xiàn)的結(jié)構(gòu)
9.1.3 MEMS天線(xiàn)的性能
9.2 MEMS天線(xiàn)的理論與設(shè)計(jì)
9.2.1 MEMS天線(xiàn)饋電方式
9.2.2 MEMS天線(xiàn)輻射原理
9.2.3 MEMS天線(xiàn)設(shè)計(jì)方法
9.3 RF MEMS天線(xiàn)的制作
9.3.1 RF MEMS天線(xiàn)制作的主要工藝
9.3.2 典型的MEMS天線(xiàn)制作工藝流程
9.4 RF MEMS天線(xiàn)測(cè)試
9.4.1 MEMS天線(xiàn)電路性能的測(cè)試
9.4.2 MEMS天線(xiàn)輻射性能的測(cè)試
9.5 新型MEMS天線(xiàn)
9.5.1 新型MEMS天線(xiàn)
9.5.2 MEMs可重構(gòu)天線(xiàn)
9.5.3 MEMS可動(dòng)天線(xiàn)
參考文獻(xiàn)
第10章 RF MEMS封裝與可靠性技術(shù)
10.1 MEMS封裝簡(jiǎn)介
10.2 RF MEMS封裝特點(diǎn)
10.3 RF MEMS封裝設(shè)計(jì)
10.3.1 器件結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)中對(duì)封裝的考慮
10.3.2 封裝結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
10.3.3 封裝仿真技術(shù)
10.4 RF MEMS圓片級(jí)封裝技術(shù)
10.4.1 RF MEMS封裝材料
10.4.2 中間過(guò)渡層鍵合封裝
10.4.3 圓片級(jí)封裝信號(hào)引出
10.5 RF MEMS可靠性
10.6 RF MEMS開(kāi)關(guān)的失效機(jī)理
10.6.1 MEMS關(guān)電介質(zhì)的電荷注入機(jī)理
10.6.2 介質(zhì)層電荷注入的解決方法
10.6.3 MEMS開(kāi)關(guān)直接接觸失效機(jī)理及解決途徑
10.7 冷開(kāi)關(guān)與熱開(kāi)關(guān)特性分析
10.8 RF MEMS開(kāi)關(guān)的功率處理能力
10.8.1 DC接觸式開(kāi)關(guān)的功率處理能力
10.8.2 電容式開(kāi)關(guān)的功率處理能力
參考文獻(xiàn)
第11章 應(yīng)用與展望
11.1 RF MEMS技術(shù)的應(yīng)用
11.1.1 RF MEMS開(kāi)關(guān)
11.1.2 FBAR和MEMS濾波器的應(yīng)用
11.1.3 MEMS振蕩器的應(yīng)用
11.2 RF MEMS技術(shù)的展望
參考文獻(xiàn)
書(shū)單推薦
