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晶體生長(zhǎng)研究前沿

晶體生長(zhǎng)研究前沿

定  價(jià):68 元

        

  • 作者:王渠東著
  • 出版時(shí)間:2024/1/1
  • ISBN:9787313295156
  • 出 版 社:上海交通大學(xué)出版社
  • 中圖法分類:O78 
  • 頁(yè)碼:10,300頁(yè)
  • 紙張:
  • 版次:1
  • 開(kāi)本:24cm
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讀者對(duì)象:晶體生長(zhǎng)研究相關(guān)人員

本書(shū)主要內(nèi)容包括晶體生長(zhǎng)研究實(shí)例和晶體生長(zhǎng)前沿專題研究進(jìn)展上下兩篇,上篇主要收集、整理、介紹了作者團(tuán)隊(duì)有關(guān)晶體生長(zhǎng)的研究成果,包括離心傾液法與鋁硅合金中Si的晶體生長(zhǎng)、納米顆粒對(duì)純鋁和鋁硅合金晶體生長(zhǎng)的影響、合金元素對(duì)鎂合金表面氧化膜生長(zhǎng)的影響等有關(guān)研究實(shí)例,下篇以專題綜述的形式主要介紹了目前國(guó)內(nèi)外超高溫Nb-Si基合金及其定向凝固研究進(jìn)展、激光焊接鋁合金過(guò)程中的晶體生長(zhǎng)、激光增材制造過(guò)程中的晶體生長(zhǎng)、第二相對(duì)鋁合金再結(jié)晶過(guò)程的影響、金屬構(gòu)筑成形過(guò)程中的再結(jié)晶行為、納米晶材料的結(jié)晶與晶粒長(zhǎng)大、非晶合金的晶化行為研究及其發(fā)展、鈣鈦礦薄膜結(jié)晶研究進(jìn)展、電沉積過(guò)程中的晶體生長(zhǎng)及其影響因素等涉及不同晶體生長(zhǎng)方向的專題前沿研究進(jìn)展。
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