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固體中能量電子的輸運(yùn)(第3版)

固體中能量電子的輸運(yùn)(第3版)

定  價(jià):98 元

        

  • 作者:【意】毛里齊奧·戴普瑞(Maurizio Dapor)
  • 出版時(shí)間:2024/2/26
  • ISBN:9787118128963
  • 出 版 社:國防工業(yè)出版社
  • 中圖法分類:TN101 
  • 頁碼:196
  • 紙張:
  • 版次:1
  • 開本:16開
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讀者對(duì)象:張娜,博士,高級(jí)工程師,中國空間技術(shù)研究院杰青人才,主要研究領(lǐng)域?yàn)槎坞娮影l(fā)射及空間微波特殊效應(yīng)。獲陜西省科學(xué)技術(shù)二等獎(jiǎng)1項(xiàng)(“二次電子發(fā)射特性關(guān)鍵技術(shù)及其應(yīng)用”,技術(shù)發(fā)明類),獲國防技術(shù)發(fā)明二等獎(jiǎng)2項(xiàng)。在國際重要會(huì)議和期刊等發(fā)表學(xué)術(shù)論文20余篇,其中SCI、EI收錄10余篇,授權(quán)發(fā)明專利12項(xiàng)。申請(qǐng)者出版譯著1部,共同出版專著、編著等3部。

書中重點(diǎn)聚焦于固體中電子輸運(yùn)過程的仿真方法、二次電子發(fā)射特性仿真分析及其應(yīng)用三個(gè)部分。首先主要介紹了電子散射截面計(jì)算方法、隨機(jī)數(shù)、最小值、蒙特卡羅仿真策略等;然后在二次電子發(fā)射特性仿真分析重點(diǎn)討論了背散射系數(shù)、二次電子發(fā)射系數(shù)、二次電子能譜的計(jì)算結(jié)果;最后討論了仿真方法在SEM中線寬測(cè)量、能量選擇掃描電子摻雜襯度計(jì)算以及PMMA中的能量沉積。第三版是前兩版內(nèi)容的延伸,更新內(nèi)容包括了電子束的自旋極化理論、分子彈性散射的研究,Bethe-Bloch阻止本領(lǐng)公式的簡化、f-sum規(guī)則、ps-sum規(guī)則、用于計(jì)算背散射系數(shù)的Vicanek和Urbassek公式以及二次電子能譜的Wolff理論。第3版中電子與物理相互作用的理論更為全面,蒙特卡羅仿真的實(shí)用性也更強(qiáng)。
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