本書系統(tǒng)地介紹了輻射對(duì)電子系統(tǒng)的損傷機(jī)理、加固技術(shù)和實(shí)踐、輻射測(cè)試技術(shù)等研究?jī)?nèi)容，并闡述了抗輻射加固技術(shù)的發(fā)展趨勢(shì)。第1章和第2章介紹了輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)損傷機(jī)理，并介紹了SiGe HBT BiCMOS工藝的輻射特性；第3～5章介紹了從工藝、版圖和電路等方面進(jìn)行抗輻射加固的技術(shù)；第6章針對(duì)模擬/混合信號(hào)集成電路加固技術(shù)的案例進(jìn)行了研究；第7章和第8章介紹了模擬/混合信號(hào)集成電路輻射測(cè)試技術(shù)和抗輻射加固發(fā)展趨勢(shì)。
本書適合研究輻射效應(yīng)與抗輻射加固技術(shù)的相關(guān)專業(yè)本科生和研究生使用，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員和科研人員學(xué)習(xí)、參考。