本書系統(tǒng)地介紹了輻射對電子系統(tǒng)的損傷機理、加固技術(shù)和實踐、輻射測試技術(shù)等研究內(nèi)容，并闡述了抗輻射加固技術(shù)的發(fā)展趨勢。第1章和第2章介紹了輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)損傷機理，并介紹了SiGe HBT BiCMOS工藝的輻射特性；第3～5章介紹了從工藝、版圖和電路等方面進行抗輻射加固的技術(shù)；第6章針對模擬/混合信號集成電路加固技術(shù)的案例進行了研究；第7章和第8章介紹了模擬/混合信號集成電路輻射測試技術(shù)和抗輻射加固發(fā)展趨勢。
本書適合研究輻射效應(yīng)與抗輻射加固技術(shù)的相關(guān)專業(yè)本科生和研究生使用，也可供相關(guān)工程技術(shù)人員和科研人員學(xué)習(xí)、參考。