■ 章基礎(chǔ)工藝

實(shí)驗(yàn)1��1真空技術(shù)/2

實(shí)驗(yàn)1��2硅片的清洗及氧化 /10

實(shí)驗(yàn)1��3光刻工藝流程實(shí)驗(yàn)教學(xué)/16

實(shí)驗(yàn)1��4氧等離子體刻蝕/20

實(shí)驗(yàn)1��5等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積/27

實(shí)驗(yàn)1��6磁控濺射法制備金屬薄膜/33

實(shí)驗(yàn)1��7原子層沉積法制備納米薄膜的實(shí)驗(yàn)原理及

工藝流程/38

■ 第二章檢測測量技術(shù)

實(shí)驗(yàn)2��1MOSFET器件性的測量與分析/45

實(shí)驗(yàn)2��2橢圓偏振儀測薄膜厚度/51

實(shí)驗(yàn)2��3紫外可見分光光度計(jì)測量亞甲基藍(lán)溶液濃度/56

實(shí)驗(yàn)2��4傅立葉變換紅外光譜法(FTIR)

測定硅中雜質(zhì)氧的含量/62

實(shí)驗(yàn)2��5等離子體朗繆爾探針診斷技術(shù)/68

附錄/74

實(shí)驗(yàn)2��6等離子體發(fā)射光譜診斷技術(shù)/78

附錄/83

實(shí)驗(yàn)2��7質(zhì)譜法測定氧氣放電組成成份及能量實(shí)驗(yàn)/84

實(shí)驗(yàn)2��8半導(dǎo)體二極管的伏安性及溫度性/90

實(shí)驗(yàn)2��9ICCD器件的性研究及應(yīng)用/95

實(shí)驗(yàn)2��10四探針法測量相變材料的變溫電阻線/104

實(shí)驗(yàn)2��11薄膜厚度和形貌測量/111

■ 第三章工藝基礎(chǔ)及應(yīng)用

實(shí)驗(yàn)3��1表面波等離子體放電實(shí)驗(yàn)/118

實(shí)驗(yàn)3��2脈沖放電等離子體性實(shí)驗(yàn)/125

實(shí)驗(yàn)3��3低氣壓容性耦合等離子體性實(shí)驗(yàn)/130

附錄/135

實(shí)驗(yàn)3��4低氣壓感性耦合等離子體(ICP)性實(shí)驗(yàn)/137

實(shí)驗(yàn)3��5等離子體晶格/141

實(shí)驗(yàn)3��6等離子體功能材料制備與光學(xué)性能檢測/147

實(shí)驗(yàn)3��7低溫等離子體染料廢水處理實(shí)驗(yàn)/151

實(shí)驗(yàn)3��8低溫等離子體產(chǎn)生O3及其應(yīng)用的實(shí)驗(yàn)探索/160

■ 參考文獻(xiàn)/164