目錄
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第6版前言
第5版前言
符號(hào)說(shuō)明
第1章緒論
1.1什么是電力電子技術(shù)
1.2電力電子技術(shù)的發(fā)展史
1.3電力電子技術(shù)的應(yīng)用
1.4本教材的內(nèi)容簡(jiǎn)介和使用說(shuō)明
第2章電力電子器件
2.1電力電子器件概述
2.1.1電力電子器件的概念和特征
2.1.2應(yīng)用電力電子器件的系統(tǒng)組成
2.1.3電力電子器件的分類
2.1.4本章內(nèi)容和學(xué)習(xí)要點(diǎn)
2.2不可控器件——電力二極管
2.2.1PN結(jié)與電力二極管的工作原理
2.2.2電力二極管的基本特性
2.2.3電力二極管的主要參數(shù)
2.2.4電力二極管的主要類型
2.3半控型器件——晶閘管
2.3.1晶閘管的結(jié)構(gòu)與工作原理
2.3.2晶閘管的基本特性
2.3.3晶閘管的主要參數(shù)
2.3.4晶閘管的派生器件
2.4典型全控型器件
2.4.1門極可關(guān)斷晶閘管
2.4.2電力晶體管
2.4.3電力場(chǎng)效應(yīng)晶體管
2.4.4絕緣柵雙極晶體管
2.5其他全控型器件
2.5.1MOS控制晶閘管MCT
2.5.2靜電感應(yīng)晶體管SIT
2.5.3靜電感應(yīng)晶閘管SITH
2.5.4集成門極換流晶閘管IGCT
2.6功率集成電路與集成電力電子模塊
2.7基于寬禁帶材料的電力電子器件
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第3章整流電路
3.1可控整流電路
3.1.1單相半波可控整流電路
3.1.2單相橋式全控整流電路
3.1.3單相全波可控整流電路
3.1.4單相橋式半控整流電路
3.1.5三相半波可控整流電路
3.1.6三相橋式全控整流電路
3.2變壓器漏感對(duì)整流電路的影響
3.3整流電路的諧波和功率因數(shù)
3.3.1諧波和無(wú)功功率分析基礎(chǔ)
3.3.2帶阻感負(fù)載時(shí)可控整流電路交流側(cè)諧波和功率因數(shù)分析
3.3.3電容濾波的不可控整流電路交流側(cè)諧波和功率因數(shù)分析
3.3.4整流輸出電壓和電流的諧波分析
3.4大功率可控整流電路
3.4.1帶平衡電抗器的雙反星形可控整流電路
3.4.2多重化整流電路
3.5整流電路的有源逆變工作狀態(tài)
3.5.1逆變的概念
3.5.2三相橋整流電路的有源逆變工作狀態(tài)
3.5.3逆變失敗與小逆變角的限制
3.6整流電路相位控制的具體實(shí)現(xiàn)
3.6.1集成觸發(fā)器
3.6.2晶閘管CPLD準(zhǔn)數(shù)字觸發(fā)器集成電路
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第4章逆變電路
4.1換流方式
4.1.1逆變電路的基本工作原理
4.1.2換流方式分類
4.2電壓型逆變電路
4.2.1單相電壓型逆變電路
4.2.2三相電壓型逆變電路
4.3電流型逆變電路
4.3.1單相電流型逆變電路
4.3.2三相電流型逆變電路
4.4多重逆變電路和多電平逆變電路
4.4.1多重逆變電路
4.4.2多電平逆變電路
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第5章直流-直流變流電路
5.1直接直流變流電路
5.1.1降壓斬波電路
5.1.2升壓斬波電路
5.1.3升降壓斬波電路
5.1.4丘克斬波電路
5.1.5多重?cái)夭�電�?br>5.2間接直流變流電路
5.2.1正激電路
5.2.2反激電路
5.2.3半橋電路
5.2.4全橋電路
5.2.5推挽電路
5.2.6整流電路
5.3雙向直流-直流變流電路
5.3.1非隔離型雙向直流-直流變流電路
5.3.2隔離型雙向直流-直流電路
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第6章交流-交流變流電路
6.1交流調(diào)壓電路
6.1.1單相交流調(diào)壓電路
6.1.2三相交流調(diào)壓電路
6.2其他交流電力控制電路
6.2.1交流調(diào)功電路
6.2.2交流電力電子開(kāi)關(guān)
6.3交-交變頻電路
6.3.1單相交-交變頻電路
6.3.2三相交-交變頻電路
6.4矩陣式變頻電路
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第7章脈寬調(diào)制（PWM）及相關(guān)控制技術(shù)
7.1PWM控制技術(shù)的基本原理
7.2PWM逆變電路及其典型脈寬調(diào)制方法
7.2.1計(jì)算法和調(diào)制法
7.2.2異步調(diào)制和同步調(diào)制
7.2.3自然采樣法與規(guī)則采樣法
7.2.4PWM逆變電路的諧波分析
7.2.5提高直流電壓利用率和減少開(kāi)關(guān)次數(shù)
7.2.6空間矢量脈寬調(diào)制
7.2.7多重化逆變電路和多電平逆變電路的PWM控制
7.3滯環(huán)脈寬調(diào)制與跟蹤控制技術(shù)
7.3.1滯環(huán)脈寬調(diào)制（滯環(huán)控制）
7.3.2采用線性控制器的跟蹤控制技術(shù)
7.4PWM整流電路及其控制技術(shù)
7.4.1PWM整流電路的工作原理
7.4.2PWM整流電路的控制技術(shù)
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第8章軟開(kāi)關(guān)技術(shù)
8.1軟開(kāi)關(guān)的基本概念
8.1.1硬開(kāi)關(guān)與軟開(kāi)關(guān)
8.1.2零電壓開(kāi)關(guān)與零電流開(kāi)關(guān)
8.2軟開(kāi)關(guān)電路的分類
8.3典型的軟開(kāi)關(guān)電路
8.3.1零電壓開(kāi)關(guān)準(zhǔn)諧振電路
8.3.2直流環(huán)節(jié)諧振電路
8.3.3移相全橋型零電壓開(kāi)關(guān)PWM電路
8.3.4零電壓轉(zhuǎn)換PWM電路
8.4諧振變流電路
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第9章電力電子器件的應(yīng)用技術(shù)
9.1電力電子器件的驅(qū)動(dòng)
9.1.1電力電子器件驅(qū)動(dòng)電路概述
9.1.2晶閘管的觸發(fā)電路
9.1.3典型全控型器件的驅(qū)動(dòng)電路
9.1.4典型寬禁帶器件的驅(qū)動(dòng)電路
9.2電力電子器件的保護(hù)
9.2.1過(guò)電壓的產(chǎn)生及過(guò)電壓保護(hù)
9.2.2過(guò)電流保護(hù)
9.2.3緩沖電路
9.3電力電子器件的串聯(lián)使用和并聯(lián)使用
9.3.1晶閘管的串聯(lián)
9.3.2IGBT的串聯(lián)和電力MOSFET的串聯(lián)
9.3.3晶閘管的并聯(lián)
9.3.4電力MOSFET的并聯(lián)和IGBT的并聯(lián)
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
第10章電力電子技術(shù)的應(yīng)用
10.1晶閘管直流電動(dòng)機(jī)系統(tǒng)
10.1.1工作于整流狀態(tài)時(shí)
10.1.2工作于有源逆變狀態(tài)時(shí)
10.1.3直流可逆電力拖動(dòng)系統(tǒng)
10.2變頻器和交流調(diào)速系統(tǒng)
10.2.1交-直-交變頻器
10.2.2交流電動(dòng)機(jī)變頻調(diào)速的控制方式
10.3不間斷電源
10.4開(kāi)關(guān)電源
10.4.1開(kāi)關(guān)電源的結(jié)構(gòu)
10.4.2開(kāi)關(guān)電源的控制方式
10.4.3開(kāi)關(guān)電源的應(yīng)用
10.5功率因數(shù)校正技術(shù)
10.5.1功率因數(shù)校正電路的基本原理
10.5.2單級(jí)功率因數(shù)校正技術(shù)
10.6電力電子技術(shù)在輸配電系統(tǒng)中的應(yīng)用
10.6.1高壓直流輸電
10.6.2無(wú)功功率控制
10.6.3電力系統(tǒng)的諧波抑制
10.6.4電能質(zhì)量控制、柔性交流輸電與定制電力技術(shù)
10.7電力電子技術(shù)在新能源發(fā)電和儲(chǔ)能系統(tǒng)中的應(yīng)用
10.7.1光伏發(fā)電系統(tǒng)
10.7.2風(fēng)力發(fā)電系統(tǒng)
10.7.3燃料電池發(fā)電系統(tǒng)
10.7.4電池儲(chǔ)能系統(tǒng)
10.8電力電子技術(shù)的其他應(yīng)用
10.8.1照明電路
10.8.2焊機(jī)電源
本章小結(jié)
習(xí)題及思考題
結(jié)束語(yǔ)
教學(xué)實(shí)驗(yàn)
實(shí)驗(yàn)1三相橋式全控整流電路的性能研究
實(shí)驗(yàn)2直流斬波電路的性能研究
實(shí)驗(yàn)3單相交流調(diào)壓電路的性能研究
實(shí)驗(yàn)4單相交-直-交變頻電路的性能研究
實(shí)驗(yàn)5半橋型開(kāi)關(guān)穩(wěn)壓電源的性能研究
附錄
附錄A術(shù)語(yǔ)索引
附錄B與電力電子技術(shù)有關(guān)的學(xué)術(shù)組織及其主辦的學(xué)術(shù)會(huì)議與期刊
參考文獻(xiàn)
〖＝�常ā�11468101010111213131416171819192123242526283035383839393940414445474747515556576065686971737880808386868889919195
96979999100100102103105108109111114114117122123124124125129131133134135136139141143146148150150152156156158158159164166166167167168172175178178179180181182186187188190192
201202202204205206208209210211211211213213215215217218220221223224225225225226227229231231231233235235235236236237237238239239242243245245248249251252253255256256258259259260264266266266269270270273273274275276277279279280282283286288288298302〖＝〗
符 號(hào) 說(shuō) 明
符號(hào)說(shuō)明
A——安培；安培表；晶閘管的陽(yáng)極
a——調(diào)制度
a,b,c——三相電源
b——晶體管基極
BUcbo——晶體管發(fā)射極開(kāi)路時(shí)集電極和基極間反向擊穿
電壓
BUceo——晶體管基極開(kāi)路時(shí)集電極和發(fā)射極間擊穿電壓
BUcer——晶體管發(fā)射極和基極間接電阻時(shí)集電極和發(fā)射
極間擊穿電壓
BUces——晶體管發(fā)射極和基極短路時(shí)集電極和發(fā)射極間
擊穿電壓
BUcex——晶體管發(fā)射結(jié)反向偏置時(shí)集電極和發(fā)射極間擊
穿電壓
C——電容器；電容量
C——IGBT集電極
c——晶體管集電極
Cin——MOSFET輸入電容
Ciss——MOSFET漏源短路時(shí)的輸入電容
Coss——MOSFET共源極輸出電容
Crss——MOSFET反向轉(zhuǎn)移電容
D——MOSFET漏極
D——畸變功率；占空比
di/dt——晶閘管通態(tài)電流臨界上升率
du/dt——晶閘管斷態(tài)電壓臨界上升率
E——IGBT發(fā)射極
E——直流電源電動(dòng)勢(shì)
e——晶體管發(fā)射極
eL——電感的自感電動(dòng)勢(shì)
EM——電動(dòng)機(jī)反電動(dòng)勢(shì)
Ｆ——電容量的單位（法）
f——頻率
G——發(fā)電機(jī)；MOSFET柵極；晶閘管門極；GTO門極；IGBT柵極
Gfs——MOSFET跨導(dǎo)
hFE——晶體管直流電流增益
HRIn——n次諧波電流含有率
I——整流后負(fù)載電流的有效值
I1——變壓器一次相電流有效值
i1——變壓器一次相電流瞬時(shí)值
I2——變壓器二次相電流有效值
i2——變壓器二次相電流瞬時(shí)值
IATO——GTO大可關(guān)斷陽(yáng)極電流
ib——晶體管基極電流
ie——晶體管集電極電流
Ic——IGBT集電極電流
Iceo——晶體管集電極與發(fā)射極間漏電流
IcM——晶體管集電極大允許電流
Ics——晶體管集電極飽和電流
IVD——流過(guò)整流管的電流有效值
ID——MOSFET漏極直流電流
Id——整流電路的直流輸出電流平均值
iＶD——流過(guò)整流管的電流瞬時(shí)值
id——整流電路的直流輸出電流瞬時(shí)值
IdVD——流過(guò)整流管的平均電流
IDM——MOSFET漏極電流幅值
IDR——流過(guò)續(xù)流二極管的電流有效值
iDR——流過(guò)續(xù)流二極管的電流瞬時(shí)值
IdVT——流過(guò)晶閘管的平均電流
ie——晶體管發(fā)射極電流
IF(AV)——電力二極管的正向平均電流
IFSM——電力二極管的浪涌電流
IG——晶閘管、GTO的門極電流
IH——晶閘管的維持電流
IL——晶閘管的擎住電流
I′n——變壓器一次線電流中的n次諧波有效值
io——輸出電流；負(fù)載電流
Ｉo——負(fù)載電流有效值
ip——兩組整流橋之間的環(huán)流（平衡電流）瞬
時(shí)值
IR——整流后輸出電流中諧波電流有效值
IＶT——流過(guò)晶閘管的電流有效值
iＶT——流過(guò)晶閘管的電流瞬時(shí)值
IＶT(AV)——晶閘管的通態(tài)平均電流
IＶTSM——晶閘管的浪涌電流
i*——指令電流
K——晶閘管的陰極
K——常數(shù)
L——電感；電感量；電抗器符號(hào)
LB——從二次側(cè)計(jì)算時(shí)變壓器漏感
Lp——平衡電抗器
M——電動(dòng)機(jī)
m——相數(shù)；一個(gè)周期的脈波數(shù)
n——電動(dòng)機(jī)轉(zhuǎn)速
nN——電動(dòng)機(jī)額定轉(zhuǎn)速
N——線圈匝數(shù)；載波比
N——負(fù)（組）；三相電源中點(diǎn)
P——功率；有功功率
P——正（組）
p——極對(duì)數(shù)
PCM——IGBT集電極大耗散功率
PcM——晶體管集電極大耗散功率
Pd——整流電路輸出直流功率
PG——直流發(fā)電機(jī)功率
PM——直流電動(dòng)機(jī)反電動(dòng)勢(shì)功率
PR——電阻上消耗的功率
PSB——晶體管二次擊穿功率
Q——無(wú)功功率
R——電阻器；電阻
RB——從變壓器二次側(cè)計(jì)算的變壓器等效電阻
RM——直流電動(dòng)機(jī)電樞電阻
S——視在功率
S——MOSFET源極；功率開(kāi)關(guān)器件
s——秒
Sr——電力二極管的恢復(fù)系數(shù)
t——時(shí)間
td——晶體管、GTO開(kāi)通時(shí)的延遲時(shí)間；電力二極管關(guān)斷延遲
時(shí)間
td(on)——MOSFET、IGBT開(kāi)通時(shí)的延遲時(shí)間
td(off)——MOSFET、IGBT關(guān)斷時(shí)的延遲時(shí)間
tf——電力半導(dǎo)體器件關(guān)斷時(shí)的下降時(shí)間
tfi——MOSFET、IGBT等器件關(guān)斷時(shí)的電流下降時(shí)間
tfv——MOSFET、IGBT等器件開(kāi)通時(shí)的電壓下降時(shí)間
tgr——晶閘管正向阻斷恢復(fù)時(shí)間
tgt——晶閘管的開(kāi)通時(shí)間
THDi——電流諧波總畸變率
TJM——電力二極管、晶體管的高工作結(jié)溫
toff——晶體管、GTO、MOSFET、IGBT的關(guān)斷時(shí)間
ton——晶體管、GTO、MOSFET、IGBT的開(kāi)通時(shí)間
tq——晶閘管的關(guān)斷時(shí)間
tr——電力半導(dǎo)體器件開(kāi)通時(shí)的上升時(shí)間
tri——MOSFET、IGBT等器件開(kāi)通時(shí)的電流上升時(shí)間
trv——MOSFET、IGBT等器件關(guān)斷時(shí)的電壓上升時(shí)間
trr——電力二極管反向恢復(fù)時(shí)間；晶閘管反向阻斷恢復(fù)時(shí)間
ts——晶體管、GTO關(guān)斷時(shí)的存儲(chǔ)時(shí)間
tt——GTO關(guān)斷時(shí)的尾部時(shí)間
tδ——并聯(lián)諧振逆變電路觸發(fā)引前時(shí)間
Tαβγ/abc——空間矢量由abc坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為αβγ坐標(biāo)的變換矩陣
Tabc/αβγ——空間矢量由αβγ坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為abc坐標(biāo)的變換矩陣
Tdqo/αβγ——空間矢量由αβγ坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為dqo坐標(biāo)的變換矩陣
Tαβγ/dqo——空間矢量由dqo坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為αβγ坐標(biāo)的變換矩陣
Tdqo/abc——空間矢量由abc坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為dqo坐標(biāo)的變換矩陣
Tabc/dqo——空間矢量由dqo坐標(biāo)轉(zhuǎn)換為abc坐標(biāo)的變換矩陣
Ts——變流器的開(kāi)關(guān)周期
U、V、W——逆變器輸出端
U——整流電路負(fù)載電壓有效值
U1——變壓器一次相電壓有效值
u1——變壓器一次相電壓瞬時(shí)值
U1L——變壓器一次線電壓有效值
U2——變壓器二次相電壓有效值
U2L——變壓器二次線電壓有效值
uc——載波電壓
Uces——晶體管飽和時(shí)集電極和發(fā)射極間的管壓降
UCES——IGBT大集射極間電壓
uco——控制電壓
Ud——整流電路輸出電壓平均值；逆變電路的直流側(cè)電壓
uＶD——整流管兩端電壓瞬時(shí)值
ud——整流電路輸出電壓瞬時(shí)值
uDR——續(xù)流二極管兩端電壓瞬時(shí)值
UDRM——晶閘管的斷態(tài)重復(fù)峰值電壓
UDS——MOSFET漏極和源極間電壓
Udα——延遲角為α?xí)r整流電壓平均值
Udβ——延遲角為β時(shí)逆變電壓平均值
UF——電力二極管的正向壓降
UFＰ——電力二極管的正向電壓過(guò)沖
ug——晶閘管門極電壓瞬時(shí)值
uGE——IGBT柵極和發(fā)射極間電壓
uGE(th)——IGBT的開(kāi)啟電壓
UGS——MOSFET柵極和源極間電壓
Ui——DC-DC電路輸入電壓
uk——整流變壓器的阻抗電壓
uL——電抗器兩端電壓瞬時(shí)值
Un——整流電路輸出電壓中的n次諧波有效值
Unm——整流電路輸出電壓中的n次諧波電壓大值
Uo——DC-DC電路輸出電壓
uo——負(fù)載電壓
ur——信號(hào)波電壓
up——峰值電壓
UR——整流電路輸出電壓中諧波電壓有效值
URP——電力二極管的反向電壓過(guò)沖
URRM——電力二極管、晶閘管的反向重復(fù)峰值電壓
us——同步電壓
UT——MOSFET的開(kāi)啟電壓
UTO——電力二極管門檻電壓
UTM——晶閘管通態(tài)（峰值）電壓
UUN——逆變電路負(fù)載U相相電壓有效值
UUV——逆變電路負(fù)載U相和V相間線電壓有效值
V——晶體管；IGBT；電力MOSFET
VD——整流管
VDR——續(xù)流二極管
VS——硅穩(wěn)壓管
VT——晶閘管；GTO
V→1、V→2、V→3、
V→4、V→5、V→6、
V→0、V→n、V→n+1——三相橋式電壓型逆變電路交流側(cè)端口可產(chǎn)生的線電壓空間矢量
?瘙經(jīng)→ref——期望產(chǎn)生的三相線電壓空間矢量
X——電抗器的電抗值
XB——從二次側(cè)計(jì)算時(shí)的變壓器漏抗
Xp——平衡電抗器的電抗
x→——表示為空間矢量的三相變量
xa、xb、xc——三相變量的各相變量瞬時(shí)值，三相變量對(duì)應(yīng)空間矢量的三維空間直角坐標(biāo)系各分量的值
xα、xβ、xγ——三相變量對(duì)應(yīng)空間矢量的αβγ坐標(biāo)系各分量的值
xd、xq、xo——三相變量對(duì)應(yīng)空間矢量的dqo坐標(biāo)系各分量的值
x→abc——空間直角坐標(biāo)系下的空間矢量
x→αβγ——αβγ坐標(biāo)系下的空間矢量
x→dqo——dqo坐標(biāo)系下的空間矢量
Z——復(fù)數(shù)阻抗
Z1——基波阻抗
Zn——n次諧波的阻抗
α——晶閘管的觸發(fā)延遲角；晶體管共基極電流放大系數(shù)
β——晶閘管的逆變控制角；晶體管電流放大系數(shù)
βmin——小逆變角
βoff——GTO電流關(guān)斷增益
δ——晶閘管的停止導(dǎo)電角；并聯(lián)諧振逆變電路觸發(fā)引前角；波形畸變率
γ——換相重疊角；紋波因數(shù)；輸出電壓比
θ——晶閘管的導(dǎo)通角；空間矢量dgo坐標(biāo)系的d軸與αβγ坐標(biāo)系的α軸之間的夾角
φ——位移因數(shù)角；相位滯后角；負(fù)載阻抗角
ω——角頻率
ωc——載波角頻率
ωr——信號(hào)波角頻率
ν——基波因數(shù)
λ——功率因數(shù)
�肌�—磁通
σ——三角化率