第 1章 硅襯底LED光源與器件 001 1.1　硅襯底LED材料的結(jié)構(gòu)與生長(zhǎng)　002 1.1.1　襯底　002 1.1.2　漸變AlGaN緩沖層　009 1.1.3　量子阱應(yīng)變工程　011 1.1.4　GaN基LED的V形坑　014 1.2　硅襯底LED芯片的制造與封裝　018 1.2.1　反射鏡P型歐姆接觸　019 1.2.2　互補(bǔ)電極　020 1.2.3　薄膜轉(zhuǎn)移技術(shù)　021 1.2.4　N極性N型GaN的表面粗化　023 1.2.5　N極性N型GaN上的歐姆接觸　025 1.2.6　鈍化　025 1.3　硅襯底LED器件的性能與特點(diǎn)　026 1.4　硅襯底LED在光通信中的應(yīng)用前景　030 參考文獻(xiàn)　035 第　2章 面向可見(jiàn)光通信的 OLED和有機(jī)發(fā)光材料　041 2.1　OLED發(fā)展簡(jiǎn)介　042 2.2　有機(jī)發(fā)光材料的發(fā)光原理　044 2.3　OLED器件結(jié)構(gòu)　051 2.4　有機(jī)發(fā)光材料與器件的核心參數(shù)　057 2.5　OLED在可見(jiàn)光通信中的發(fā)展　061 2.6　適合可見(jiàn)光通信的有機(jī)發(fā)光材料　065 參考文獻(xiàn)　070 第3章　基于Micro-LED的可見(jiàn)光通信　077 3.1　Micro-LED的制備　078 3.1.1　光刻　078 3.1.2　濕法刻蝕和干法刻蝕　080 3.1.3　金屬歐姆接觸的制備　083 3.1.4　Micro-LED的基本光電特性　084 3.2　Micro-LED調(diào)制帶寬　085 3.3　Micro-LED應(yīng)用系統(tǒng)　090 3.3.1　基于CMOS封裝的Micro-LED系統(tǒng)　090 3.3.2　低成本、高密度的二維可見(jiàn)光互聯(lián)通信系統(tǒng)　093 3.4　智能Micro-LED系統(tǒng)　104 3.4.1　多功能Micro-LED芯片　104 3.4.2　Micro-LED作為探測(cè)器的響應(yīng)特性　106 3.4.3　Micro-LED雙工通信系統(tǒng)　112 參考文獻(xiàn)　114 第4章　半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器　117 4.1　離化碰撞　118 4.1.1　離化閾值能量　118 4.1.2　電子、空穴的離化系數(shù)　123 4.1.3　高電場(chǎng)下聲子散射　125 4.2　雪崩探測(cè)器器件原理　129 4.2.1　半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器簡(jiǎn)介　129 4.2.2　雪崩速率方程　130 4.2.3　雙極離化與單極離化　135 4.2.4　雪崩過(guò)剩噪聲　136 4.3　離化碰撞工程　138 4.3.1　梯度帶隙雪崩探測(cè)器　139 4.3.2　超晶格雪崩探測(cè)器　141 4.3.3　隧道雪崩探測(cè)器　143 4.4　常見(jiàn)半導(dǎo)體雪崩探測(cè)器　147 4.4.1　硅襯底雪崩探測(cè)器　147 4.4.2　吸收倍增分離Ge/Si雪崩探測(cè)器　150 4.4.3　InGaAsP基雪崩探測(cè)器　152 參考文獻(xiàn)　154 第5章　新型可見(jiàn)光探測(cè)材料與器件　157 5.1　有機(jī)材料與光伏器件　158 5.2　有機(jī)太陽(yáng)能電池探測(cè)器　163 5.3　有機(jī)及鈣鈦礦光電探測(cè)器　165 5.4　有機(jī)太陽(yáng)能聚光器　167 參考文獻(xiàn)　170 名詞索引　175