本書為中國芯片制造系列的第二本，是一本系統(tǒng)地闡述碳化硅半導(dǎo)體材料生長和加工工藝的專著，填補了國內(nèi)該領(lǐng)域書籍對于近期碳化硅制造工藝新技術(shù)及進展介紹的空白。本書較為全面地闡述了不同晶型的碳化硅從長晶、襯底制造、外延制造全流程的生產(chǎn)技術(shù)，展現(xiàn)了國內(nèi)外碳化硅制造領(lǐng)域近期的發(fā)展成果，論述了碳化硅材料的熱力學(xué)性質(zhì)、生長原理、晶體摻雜和缺陷控制等相關(guān)基礎(chǔ)理論，以及生長數(shù)據(jù)建模、測試表征等各方面知識，介紹了碳化硅上的氮化鎵生長、碳化硅材料加工與封裝關(guān)鍵工藝和碳化硅器件在各個領(lǐng)域的應(yīng)用、前景及發(fā)展趨勢等知識，是讀者全面了解第三代半導(dǎo)體器件與系統(tǒng)的重要參考。