譯者序
前言
致謝
作者簡(jiǎn)介
第1章 CMOS模擬與混合信號(hào)電路設(shè)計(jì)概述
1.1 引言
1.2 字符、符號(hào)和術(shù)語(yǔ)
1.3 工藝、電路拓?fù)浜头椒ㄕ?br/>1.4 模擬與混合信號(hào)集成設(shè)計(jì)概念
1.5 小結(jié)
第2章 器件概述
2.1 引言
2.2 PN結(jié)
2.2.1 費(fèi)米能級(jí)
2.2.2 耗盡層電容
2.2.3 存儲(chǔ)電容
2.3 光電器件
2.4 場(chǎng)效應(yīng)管
2.4.1 長(zhǎng)溝道逼近
2.4.2 MOSFET按比例縮小
2.4.3 弱反型
2.4.4 短溝道效應(yīng)
2.4.5 MOSFET電容
2.4.6 MOSFET特征頻率
2.4.7 噪聲
2.5 工藝擬合比
2.6 MOSFET參數(shù)練習(xí)
2.7 SPICE示例
2.8 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第3章 放大器
3.1 引言
3.2 輸入電壓范圍
3.2.1 原理
3.2.2 示例
3.3 CMOS運(yùn)算放大器的信號(hào)通路
3.3.1 整體信號(hào)路徑
3.3.2 負(fù)載
3.3.3 共源共柵電流源
3.3.4 示例
3.4 CMOS放大器參數(shù)
3.4.1 輸入失調(diào)
3.4.2 共模電壓輸入范圍
3.4.3 電流損耗
3.4.4 共模抑制比
3.4.5 電源抑制比
3.4.6 擺率和建立時(shí)間
3.4.7 直流增益、fc和fT
3.4.8 噪聲
3.4.9 失真
3.5 共模反饋
3.6 放大器的補(bǔ)償結(jié)構(gòu)
3.6.1 環(huán)路響應(yīng)
3.6.2 脈沖響應(yīng)
3.7 寬帶放大器技術(shù)
3.7.1 源和負(fù)載
3.7.2 級(jí)聯(lián)和反饋
3.8 放大器中的噪聲
3.8.1 電路中的噪聲
3.8.2 單級(jí)放大器中的噪聲
3.8.3 差分對(duì)的噪聲
3.8.4 帶電阻反饋的放大器的噪聲
3.8.5 噪聲帶寬
3.9 電流密度設(shè)計(jì)方法
3.10 版圖示例
3.11 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第4章 低功耗放大器
4.1 引言
4.2 低壓CMOS放大器
4.2.1 襯底控制
4.2.2 電路技術(shù)
4.3 亞閾值效應(yīng)
4.4 電流復(fù)用CMOS放大器
4.5 其他技術(shù)
4.6 SPICE示例
4.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第5章 穩(wěn)壓源、電壓基準(zhǔn)和電壓偏置
5.1 引言
5.2 電流源
5.3 自偏置
5.4 CTAT和PTAT
5.5 帶隙基準(zhǔn)電壓源
5.6 沒(méi)有二極管的基準(zhǔn)電壓
5.7 共源共柵電流源
5.8 穩(wěn)壓電源
5.9 設(shè)計(jì)示例
5.10 SPICE示例
5.11 版圖示例
5.12 小結(jié)
練習(xí)
參考文獻(xiàn)
第6章 高級(jí)模擬電路概論
6.1 引言
6.2 MOSFET用作開(kāi)關(guān)
6.3 基本開(kāi)關(guān)電容
6.4 有源積分器
6.4.1 對(duì)寄生電容不敏感的同相開(kāi)關(guān)電容
6.4.2 無(wú)延遲反向積分器
6.4.3 對(duì)寄生電容不敏感的延遲反向開(kāi)關(guān)電容
6.4.4 離散時(shí)間的開(kāi)關(guān)電容
6.4.5 帶延遲的同相有源積分器
6.5 采樣保持放大器
6.6 可編程增益放大器
6.6.1 時(shí)序
6.6.2 共模反饋
6.7 斬波放大器
6.8 動(dòng)態(tài)元件匹配技術(shù)
6.9 無(wú)電阻電流基準(zhǔn)
6.10 開(kāi)關(guān)模式轉(zhuǎn)換器
6.11 SPICE示例
6.12 版圖說(shuō)明
6.13 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第7章 數(shù)據(jù)轉(zhuǎn)換器
7.1 引言
7.2 數(shù)模轉(zhuǎn)換器
7.2.1 電阻串拓?fù)浣Y(jié)構(gòu)
7.2.2 電流舵結(jié)構(gòu)
7.2.3 混合結(jié)構(gòu)
7.2.4 DAC微調(diào)或校準(zhǔn)
7.2.5 毛刺
7.3 模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.3.1 斜坡型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.3.2 逐次逼近寄存器模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.3.3 閃爍型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.3.4 流水線型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.3.5 過(guò)采樣型模數(shù)轉(zhuǎn)換器
7.4 SPICE示例
7.4.1 DAC示例
7.4.2 ADC示例
7.5 版圖示例
7.6 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第8章 CMOS顏色和圖像傳感器電路設(shè)計(jì)
8.1 引言
8.2 技術(shù)和方法論
8.2.1 CMOS圖像傳感器技術(shù)和工藝綜述
8.2.2 背面照度
8.2.3 光電器件
8.2.4 設(shè)計(jì)方法論
8.3 CMOS顏色傳感器
8.3.1 跨阻放大器拓?fù)?br/>8.3.2 電流頻率拓?fù)?br/>8.3.3 電流積分拓?fù)?br/>8.4 CMOS圖像傳感器
8.4.1 CMOS圖像傳感器結(jié)構(gòu)
8.4.2 模擬像素傳感器
8.4.3 數(shù)字像素傳感器
8.4.4 低功耗和低噪聲技術(shù)
8.5 SPICE示例
8.6 版圖示例
8.7 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第9章 外圍電路
9.1 引言
9.2 振蕩器
9.2.1 環(huán)形振蕩器
9.2.2 RC振蕩器
9.2.3 斜坡振蕩器
9.3 非交疊時(shí)鐘發(fā)生器
9.4 接口電路
9.4.1 基本接口電路
9.4.2 I2C總線
9.5 輸入/輸出壓焊點(diǎn)
9.6 施密特觸發(fā)電路
9.7 電壓水平調(diào)節(jié)器
9.8 上電復(fù)位
9.9 靜電防護(hù)電路
9.10 SPICE示例
9.11 版圖示例
9.12 小結(jié)
參考文獻(xiàn)
第10章 版圖和封裝
10.1 引言
10.2 工藝
10.2.1 天線規(guī)則
10.2.2 電遷移和金屬密度
10.2.3 剪切應(yīng)力
10.3 平面布局
10.4 ESD和I/O壓焊版圖
10.4.1 低寄生電容壓焊點(diǎn)
10.4.2 密封環(huán)
10.5 模擬電路版圖技術(shù)
10.5.1 匹配
10.5.2 保護(hù)環(huán)
10.5.3 屏蔽
10.5.4 電壓降
10.5.5 金屬注入
10.5.6 襯底觸塞