本書以作者及其研究團隊多年的研究成果為基礎，詳細介紹了III族氮化物紫外發(fā)光二極管的材料外延、芯片制作、器件封裝和系統(tǒng)應用，內(nèi)容集學術性和實用性為一體。全書共8章，內(nèi)容包括：氮化物半導體材料性質(zhì)及外延生長理論，氮化物半導體材料制備及表征方法，深紫外發(fā)光二極管的量子效率與結構設計、關鍵制備工藝、封裝技術、應用，以及當前氮化物深紫外發(fā)光二極管的一些研究前沿和熱點。

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