第0章 引言
0.1 特征長(zhǎng)度
0.1.1 費(fèi)米波長(zhǎng)
0.1.2 平均自由程
0.1.3 相弛豫長(zhǎng)度
0.2 超小器件中的非平衡輸運(yùn)
0.3 量子效應(yīng)
0.3.1 統(tǒng)計(jì)熱力學(xué)
0.3.2 相相干效應(yīng)
0.3.3 庫(kù)侖阻塞效應(yīng)
0.4 量子波導(dǎo)
0.5 碳基納米器件
0.5.1 電子結(jié)構(gòu)
0.5.2 電學(xué)性質(zhì)
0.5.3 碳管場(chǎng)效應(yīng)晶體管（TFET）
0.5.4 碳片納米帶晶體管
0.5.5 碳基器件的未來


第1章 非平衡輸運(yùn)
1.1 蒙特卡羅方法
1.2 均勻半導(dǎo)體中與時(shí)間有關(guān)的輸運(yùn)現(xiàn)象
1.2.1 漂移擴(kuò)散模型
1.2.2 強(qiáng)電場(chǎng)下的輸運(yùn)
1.2.3 考慮了強(qiáng)場(chǎng)輸運(yùn)的器件設(shè)計(jì)
1.3 與空間有關(guān)的輸運(yùn)現(xiàn)象
1.4 Si-M0SFET中的輸運(yùn)
1.5 GaAs HEMT中雜質(zhì)分布漲落引起的量子效應(yīng)
1.6 超小GaAs MESFET的模擬
1.7 超小HEMT器件的模擬


第2章 共振隧穿
2.1 單勢(shì)壘結(jié)構(gòu)
2.2 雙勢(shì)壘結(jié)構(gòu)的共振隧穿
2.3 空穴共振隧穿
2.4 稀磁半導(dǎo)體的共振隧穿


第3章 超晶格縱向輸運(yùn)
3.1 超晶格微帶輸運(yùn)
3.2 超晶格中的布洛赫振蕩
3.3 Wannier-Stark態(tài)之間的跳躍電導(dǎo)


第4章 介觀輸運(yùn)
4.1 接觸電阻
4.2 蘭道公式
4.3 多通道情形
4.4 多端器件
4.5 Buttiker公式的一些應(yīng)用
4.5.1 三極導(dǎo)體
4.5.2 四極導(dǎo)體
4.6 實(shí)驗(yàn)結(jié)果
4.6.1 二端導(dǎo)體
4.6.2 磁場(chǎng)下的二端導(dǎo)體
4.6.3 量子霍爾效應(yīng)


第5章 量子點(diǎn)的輸運(yùn)
5.1 單電子效應(yīng)與單電子晶體管
5.2 量子點(diǎn)輸運(yùn)中的Kondo效應(yīng)
5.2.1 金屬中的Kondo效應(yīng)
5.2.2 量子點(diǎn)中的Kondo效應(yīng)
5.3 垂直量子點(diǎn)中的單電子輸運(yùn)
5.3.1 量子點(diǎn)和單電子能級(jí)
5.3.2 殼層填充和洪德定則
5.3.3 磁場(chǎng)下個(gè)電子的基態(tài)
5.3.4 磁場(chǎng)下的單電子隧道譜
5.3.5 自旋阻塞效應(yīng)
5.3.6 耦合量子點(diǎn)的單電子隧穿


第6章 量子波導(dǎo)輸運(yùn)
6.1 量子器件
6.1.1 理論方法
6.1.2 Aharonov-Bohm效應(yīng)
6.1.3 量子干涉器件
6.2 一維量子波導(dǎo)理論
6.2.1 兩個(gè)基本方程
6.2.2 環(huán)狀器件
6.2.3 AB效應(yīng)
6.2.4 量子干涉器件
6.3 二維量子波導(dǎo)理論——傳輸矩陣方法
6.4 二維量子波導(dǎo)理論——散射矩陣方法
6.4.1 彎曲結(jié)構(gòu)
6.4.2 周期多結(jié)構(gòu)波導(dǎo)
6.5 多端波導(dǎo)結(jié)構(gòu)
6.6 圓形中心區(qū)域的波導(dǎo)
6.6.1 A-B環(huán)
6.6.2 平面量子點(diǎn)結(jié)構(gòu)
6.7 空穴的一維量子波導(dǎo)理論


第7章 Rashba電流的量子波導(dǎo)理論
7.1 Rashba電流的一維量子波導(dǎo)理論
7.1.1 Rashba態(tài)波函數(shù)
7.1.2 Rashba電流的邊界條件
7.1.3 Rashba波在分叉回路上的運(yùn)動(dòng)性質(zhì)
7.1.4 分叉結(jié)構(gòu)回路量子波導(dǎo)的普遍理論
7.2 彎曲回路上Rashba電子的一維量子波導(dǎo)理論
7.2.1 閉合圓環(huán)的Rashba電子態(tài)
7.2.2 閉合方環(huán)的Rashba電子態(tài)
7.2.3 AB圓環(huán)中的自旋干涉
7.2.4 AB方環(huán)中的自旋干涉
7.2.5 AB雙圈方環(huán)中的自旋干涉


第8章 硅單電子晶體管
8.1 單電子晶體管的原理
8.2 室溫下工作的單電子晶體管的早期工作
8.3 室溫下工作的Si SET
8.4 Si SET用作邏輯電路
8.5 量子點(diǎn)庫(kù)侖阻塞振蕩的理論


第9章 硅單（少）電子存儲(chǔ)器
9.1 浮柵存儲(chǔ)結(jié)型存儲(chǔ)器
9.2 Si SET用作存儲(chǔ)器
9.3 室溫工作的浮柵存儲(chǔ)器
9.4 硅納米晶體存儲(chǔ)器
9.5 納米晶體浮柵存儲(chǔ)器的保持性質(zhì)


0章 超小半導(dǎo)體器件的量子輸運(yùn)模型
10.1 非平衡格林函數(shù)模型
10.2 量子玻爾茲曼方程
10.3 維格納函數(shù)模型
10.4 維格納函數(shù)輸運(yùn)方程中的量子修正
10.5 非平衡格林函數(shù)的量子輸運(yùn)理論
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