本書著重講授光電子探測與成像器件的基礎(chǔ)理論和基本知識，內(nèi)容包括：半導體光電探測器、光電倍增管、微光像增強器等。
第1章 光電導探測器
1.1 光電子器件的基本特性
1.1.1 光譜響應率和響應率
1.1.2 小可探測輻射功率和探測率
1.1.3 光吸收系數(shù)
1.2 光電導探測器原理
1.2.1 光電導效應
1.2.2 光電導電流
1.2.3 光電導增益
1.2.4 光電導靈敏度
1.2.5 光電導惰性和響應時間
1.2.6 光電導的光譜響應特性
1.2.7 電壓響應率
1.2.8 探測率D
1.3 光敏電阻
1.3.1 光敏電阻的結(jié)構(gòu)
1.3.2 光敏電阻的特性
第2章 結(jié)型光電探測器
2.1 光生伏特效應
2.1.1 PN結(jié)
2.1.2 PN結(jié)光生伏特效應
2.2 光電池
2.2.1 光電池的結(jié)構(gòu)
2.2.2 光電池的電流與電壓
2.2.3 光電池的主要特性
2.3 光電二極管
2.3.1 PN結(jié)型光電二極管
2.3.2 PIN型光電二極管
2.3.3 雪崩型光電二極管（APD）
2.4 光電三極管
2.4.1 光電三極管結(jié)構(gòu)和工作原理
2.4.2 光電三極管的主要性能參數(shù)
第3章 光電陰極與光電倍增管
3.1 光電發(fā)射過程
3.1.1 外光電效應
3.1.2 金屬的光譜響應
3.1.3 半導體光電發(fā)射過程
3.1.4 實用光電陰極
3.2 負電子親和勢光電陰極
3.2.1 負電子親和勢光電陰極的原理
3.2.2 NEA光電陰極中的電子傳輸過程
3.2.3 NEA陰極的量子產(chǎn)額
3.2.4 負電子親和勢陰極的工藝及結(jié)構(gòu)
3.3 真空光電管
3.3.1 真空光電管工作原理
3.3.2 真空光電管的主要特性
3.4 光電倍增管
3.4.1 光電倍增管結(jié)構(gòu)和工作原理
3.4.2 光電倍增管主要特性和參數(shù)
3.4.3 光電倍增管的供電電路
第4章 微光像增強器
第5章 攝像管
第6章 CCD和S成像器件
第7章 致冷型紅外成像器件
第8章 微測輻射計紅外成像器件
第9章 熱釋電探測器和成像器件
0章 紫外探測與成像器件
1章 X射線探測與成像器件
參考文獻
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