定 價(jià):98 元
叢書名:中國(guó)科學(xué)院大學(xué)研究生教材
- 作者:劉忠立,高見(jiàn)頭 著
- 出版時(shí)間:2020/6/1
- ISBN:9787118119299
- 出 版 社:國(guó)防工業(yè)出版社
- 中圖法分類:TN30
- 頁(yè)碼:383
- 紙張:膠版紙
- 版次:1
- 開(kāi)本:16開(kāi)
《半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)》共11章,結(jié)合作者30多年的研究經(jīng)驗(yàn),從輻射環(huán)境及其相關(guān)半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)知識(shí)開(kāi)始,詳細(xì)介紹了各種半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)機(jī)理和加固方案,并整理和分享了先進(jìn)工藝輻射效應(yīng)的研究動(dòng)向。
《半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)》內(nèi)容全面、系統(tǒng)、精煉、易于理解,可作為高等院校相關(guān)課程的教材,也可供從事微電子、光電子研究和生產(chǎn)的科技人員參考。
半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)研究,始于20世紀(jì)60年代初,起因是1962年在美國(guó)通信衛(wèi)星Telstar上發(fā)現(xiàn)的損傷,以及后來(lái)諸多衛(wèi)星和地面模擬試驗(yàn)中證實(shí)的半導(dǎo)體器件因空間電離輻射引起的損傷。隨著空間技術(shù)及核技術(shù)的發(fā)展,所采用的半導(dǎo)體器件越來(lái)越多,出現(xiàn)的半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)也越來(lái)越復(fù)雜。
經(jīng)過(guò)幾十年的不斷研究,在半導(dǎo)體材料及器件的輻射效應(yīng)研究方面,已取得了豐富的研究成果。人們已基本上認(rèn)識(shí)了半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的機(jī)理,而且在很大程度上可以在地面及實(shí)驗(yàn)室中,通過(guò)模擬試驗(yàn)并結(jié)合仿真技術(shù),預(yù)估半導(dǎo)體器件在實(shí)際輻射環(huán)境中的應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)。當(dāng)判斷了已有的半導(dǎo)體器件在實(shí)際輻射環(huán)境中的應(yīng)用風(fēng)險(xiǎn)以后,可以通過(guò)對(duì)半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)機(jī)理的認(rèn)識(shí),在材料、器件設(shè)計(jì)以及器件工藝等方面進(jìn)行改進(jìn),使器件加固到可以較有保障地應(yīng)用在實(shí)際輻射環(huán)境中。
從上面的簡(jiǎn)單介紹我們可以看出,半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的知識(shí)是十分重要的。它不僅可以使我們深刻地認(rèn)識(shí)半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)方面多年的研究成果,從而在實(shí)際中幫助我們正確地選擇合適的半導(dǎo)體器件,以避免在危險(xiǎn)的輻射環(huán)境中造成電子系統(tǒng)的異常工作甚至損壞,同時(shí),它也有助于從事半導(dǎo)體器件輻射加固研究方面的科技人員,去尋求科學(xué)的半導(dǎo)體器件輻射加固方法,制做出可靠的輻射加固半導(dǎo)體器件,從而使得半導(dǎo)體器件在苛刻的輻射環(huán)境中安全工作。
半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)涉及多方面的知識(shí),包括輻射環(huán)境、核物理、半導(dǎo)體材料及器件物理、半導(dǎo)體材料及器件同輻射的相互作用、輻射效應(yīng)的表征等。相關(guān)方面的文獻(xiàn)及著作非常的多,它們的共同特點(diǎn)是專業(yè)性極強(qiáng),對(duì)它們進(jìn)行有限的閱讀往往難以對(duì)半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)有一個(gè)較全面的認(rèn)識(shí)。特別對(duì)于非專門從事半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)研究,但所從事的工作又需要較全面地了解半導(dǎo)體材料及器件輻射效應(yīng)的科技人員以及研究生,這種狀況是非常不利的。
第1章 輻射環(huán)境
1.1 引言
1.2 輻射環(huán)境的種類
1.2.1 空間環(huán)境
1.2.2 核環(huán)境
1.2.3 高能物理實(shí)驗(yàn)環(huán)境
1.2.4 器件制造引入的輻射環(huán)境
1.3 小結(jié)
第2章 輻射效應(yīng)相關(guān)的半導(dǎo)體基礎(chǔ)知識(shí)
2.1 引言
2.2 本征半導(dǎo)體及非本征半導(dǎo)體
2.2.1 半導(dǎo)體能帶結(jié)構(gòu)
2.2.2 本征半導(dǎo)體
2.2.3 非本征半導(dǎo)體
2.2.4 淺能級(jí)、深能級(jí)、雜質(zhì)的補(bǔ)償作用
2.3 半導(dǎo)體中載流子的產(chǎn)生及復(fù)合
2.3.1 載流子的產(chǎn)生
2.3.2 載流子的復(fù)合
2.4 載流子的遷移率
2.4.1 遷移率的特性
2.4.2 載流子的擴(kuò)散系數(shù)
2.5 PN結(jié)二級(jí)管
2.6 肖特基結(jié)二極管
2.7 MOS電容及MOSFET
2.7.1 表面勢(shì)
2.7.2 耗盡層
2.7.3 表面反型層
2.7.4 MOS電容
2.7.5 MOSFET
2.8 直接有輻射環(huán)境的半導(dǎo)體工藝
2.8.1 NMOSFET工藝流程
2.8.2 離子注入摻雜
2.8.3 干法刻蝕
2.9 小結(jié)
……
第3章 輻射效應(yīng)的一般概念
第4章 半導(dǎo)體材料的輻射效應(yīng)
第5章 Si半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)
第6章 GaAs半導(dǎo)體器件的輻射效應(yīng)
第7章 光電子器件的輻射效應(yīng)
第8章 Si集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
第9章 納米級(jí)CMOS集成電路的輻射效應(yīng)及加固技術(shù)
第10章 半導(dǎo)體器件輻射效應(yīng)的一些新研究動(dòng)向
第11章 輻射效應(yīng)模擬試驗(yàn)及測(cè)試技術(shù)
參考文獻(xiàn)