半導體材料及器件的輻射效應研究，始于20世紀60年代初，起因是1962年在美國通信衛(wèi)星Telstar上發(fā)現(xiàn)的損傷，以及后來諸多衛(wèi)星和地面模擬試驗中證實的半導體器件因空間電離輻射引起的損傷。隨著空間技術(shù)及核技術(shù)的發(fā)展，所采用的半導體器件越來越多，出現(xiàn)的半導體材料及器件的輻射效應也越來越復雜。
　　經(jīng)過幾十年的不斷研究，在半導體材料及器件的輻射效應研究方面，已取得了豐富的研究成果。人們已基本上認識了半導體材料及器件輻射效應的機理，而且在很大程度上可以在地面及實驗室中，通過模擬試驗并結(jié)合仿真技術(shù)，預估半導體器件在實際輻射環(huán)境中的應用風險。當判斷了已有的半導體器件在實際輻射環(huán)境中的應用風險以后，可以通過對半導體材料及器件輻射效應機理的認識，在材料、器件設計以及器件工藝等方面進行改進，使器件加固到可以較有保障地應用在實際輻射環(huán)境中。
　　從上面的簡單介紹我們可以看出，半導體材料及器件輻射效應的知識是十分重要的。它不僅可以使我們深刻地認識半導體材料及器件輻射效應方面多年的研究成果，從而在實際中幫助我們正確地選擇合適的半導體器件，以避免在危險的輻射環(huán)境中造成電子系統(tǒng)的異常工作甚至損壞，同時，它也有助于從事半導體器件輻射加固研究方面的科技人員，去尋求科學的半導體器件輻射加固方法，制做出可靠的輻射加固半導體器件，從而使得半導體器件在苛刻的輻射環(huán)境中安全工作。
　　半導體材料及器件輻射效應涉及多方面的知識，包括輻射環(huán)境、核物理、半導體材料及器件物理、半導體材料及器件同輻射的相互作用、輻射效應的表征等。相關(guān)方面的文獻及著作非常的多，它們的共同特點是專業(yè)性極強，對它們進行有限的閱讀往往難以對半導體材料及器件輻射效應有一個較全面的認識。特別對于非專門從事半導體材料及器件輻射效應研究，但所從事的工作又需要較全面地了解半導體材料及器件輻射效應的科技人員以及研究生，這種狀況是非常不利的。