光伏硅晶體材料的制備、表征及應(yīng)用技術(shù)（賈鐵昆 ）
定 價：49 元
- 作者：賈鐵昆 主編 王玉江、付芳、熊震 副主編
- 出版時間：2020/7/1
- ISBN：9787122364104
- 出 版 社：化學工業(yè)出版社
- 中圖法分類：TM615
- 頁碼：238
- 紙張：
- 版次：01
- 開本：16開
《光伏硅晶體材料的制備、表征及應(yīng)用技術(shù)》介紹了單晶硅、多晶硅和太陽能電池生產(chǎn)的基本原理、主要設(shè)備和工藝過程，涵蓋了大部分光伏產(chǎn)業(yè)鏈，涉及了硅材料相關(guān)的理論基礎(chǔ)、生產(chǎn)工藝、生產(chǎn)設(shè)備、檢測手段等。全書共分為四部分：第一部分直拉單晶硅；第二部分鑄造多晶硅；第三部分硅片加工；第四部分硅片的光伏應(yīng)用——太陽能電池。
《光伏硅晶體材料的制備、表征及應(yīng)用技術(shù)》由學校專業(yè)老師與企業(yè)專家共同編寫，有針對性地介紹晶硅生產(chǎn)應(yīng)掌握的理論知識和操作技能，將目前企業(yè)的實用知識編入教材，適用于高等院校及高職院校與太陽能光伏產(chǎn)業(yè)、硅材料技術(shù)相關(guān)專業(yè)的師生教學用書，也可作為從事光伏行業(yè)及硅材料生產(chǎn)企業(yè)的培訓教材及相關(guān)專業(yè)技術(shù)人員和工程師的參考用書。
第一部分直拉單晶硅
第1章結(jié)晶理論2
1.1熱場與單晶生長2
1.1.1晶體生長系統(tǒng)中的能量關(guān)系2
1.1.2熱場對單晶生長的影響2
1.2晶核的形成和晶體的長大6
1.2.1晶核的形成6
1.2.2晶體的長大9
1.3生長界面結(jié)構(gòu)模型11
1.4分凝效應(yīng)12
習題14
第2章區(qū)熔單晶硅的制備15
2.1區(qū)熔法簡介15
2.2區(qū)熔單晶硅的生長過程17
2.3區(qū)熔單晶硅的摻雜17
習題20
第3章直拉單晶硅的制備21
3.1直拉單晶硅的原輔料及主要設(shè)備21
3.1.1原輔料21
3.1.2直拉單晶爐28
3.1.3自動硅料清洗機35
3.2直拉單晶硅的生長技術(shù)36
3.2.1原輔料的準備36
3.2.2直拉單晶硅的工藝過程39
3.2.3拉速、溫度曲線及堝升速度的計算49
3.2.4異常情況及處理方法51
3.3其他直拉技術(shù)53
3.3.1磁控直拉技術(shù)53
3.3.2連續(xù)直拉生長技術(shù)54
3.3.3液體覆蓋直拉技術(shù)54
3.4直拉單晶硅的摻雜55
3.4.1雜質(zhì)分布規(guī)律55
3.4.2摻雜量計算55
習題60
第二部分鑄造多晶硅
第4章多晶硅鑄錠基礎(chǔ)理論63
4.1定向凝固生長原理63
4.1.1成分過冷理論63
4.1.2界面穩(wěn)定性動力學理論(MS理論)65
4.2多晶硅的定向凝固68
4.2.1平面凝固技術(shù)68
4.2.2凝固界面形態(tài)70
4.2.3晶粒尺寸的控制71
習題72
第5章多晶硅鑄錠73
5.1多晶硅鑄錠技術(shù)簡介73
5.2鑄錠的主要原輔料及設(shè)備76
5.2.1原輔料76
5.2.2鑄錠主要設(shè)備76
5.3多晶硅鑄錠工藝79
5.3.1坩堝噴涂80
5.3.2裝料82
5.3.3長晶過程83
5.3.4鑄錠出爐84
習題84
第6章鑄造多晶硅中的雜質(zhì)85
6.1鑄造多晶硅中的氧85
6.1.1氧雜質(zhì)的來源和濃度分布85
6.1.2多晶硅中氧的存在狀態(tài)86
6.2鑄造多晶硅中的碳、氮和氫87
6.2.1鑄造多晶硅中的碳87
6.2.2鑄造多晶硅中的氮88
6.2.3鑄造多晶硅中的氫89
6.3鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)和吸雜90
6.3.1鑄造多晶硅中的金屬雜質(zhì)90
6.3.2金屬雜質(zhì)的控制92
6.4鑄造多晶硅中的缺陷94
6.4.1鑄造多晶硅的晶界94
6.4.2鑄造多晶硅中的位錯95
習題96
第三部分硅片加工
第7章硅片加工原輔料和主要設(shè)備98
7.1原輔料98
7.1.1傳統(tǒng)砂漿線切割用原輔料98
7.1.2金剛線100
7.1.3清洗用化學試劑103
7.1.4其他原輔料106
7.2切片主要設(shè)備108
7.2.1滾磨、開方設(shè)備108
7.2.2清洗設(shè)備114
7.2.3切片設(shè)備115
習題116
第8章硅片加工工藝117
8.1單晶硅片切片工藝117
8.1.1切斷117
8.1.2滾磨、開方118
8.1.3切片123
8.1.4硅片脫膠、清洗127
8.1.5檢驗、分選和包裝138
8.2多晶硅片切片工藝146
8.3硅片切割質(zhì)量影響因素149
8.4新型切割技術(shù)151
習題152
第九章硅材料的表征153
9.1硅錠的表征153
9.1.1紅外探傷153
9.1.2少子壽命測試154
9.1.3P/N型測試155
9.1.4電阻率測試157
9.2硅片的表征160
9.2.1單晶切片工序相關(guān)硅片參數(shù)160
9.2.2硅片參數(shù)檢驗162
9.3硅片自動分選機165
習題169
第四部分硅片的光伏應(yīng)用——太陽能電池
第10章太陽能光電物理基礎(chǔ)171
10.1半導(dǎo)體物理基礎(chǔ)171
10.1.1能帶結(jié)構(gòu)171
10.1.2半導(dǎo)體的光吸收和光復(fù)合174
10.1.3載流子的傳輸179
10.2太陽能電池基本原理181
10.2.1P-N結(jié)181
10.2.2光生伏特效應(yīng)185
10.2.3太陽能電池的特性參數(shù)188
習題192
第11章太陽能電池的制備193
11.1太陽能電池制備工藝193
11.1.1硅片檢測194
11.1.2表面制絨194
11.1.3擴散制結(jié)204
11.1.4刻蝕和去磷硅玻璃215
11.1.5鍍減反射膜219
11.1.6金屬電極制備220
11.2太陽能電池的測試和分選221
11.2.1分選機自動分選221
11.2.2外觀分選224
11.2.3硅片常見不良227
11.3新型高效電池技術(shù)229
11.3.1P-PERC和N-PERT電池229
11.3.2HIT電池231
11.3.3TopCon電池231
11.3.4IBC電池232
習題234
參考文獻236
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