1．1 手印顯現(xiàn)
1．1．1 手紋與手印
1．1．2 手印鑒定技術(shù)
1．1．3 手印顯現(xiàn)技術(shù)
1．1．4 手印顯現(xiàn)效果的衡量指標(biāo)
1．1．5 粉末顯現(xiàn)法所面臨的問(wèn)題
1．2 納米發(fā)光材料
1．2．1 納米科技
1．2．2 納米材料
1．2．3 發(fā)光機(jī)理
1．2．4 新型納米發(fā)光材料
1．2．5 稀土發(fā)光納米材料的合成方法
1．3 手印納米顯現(xiàn)的機(jī)遇與挑戰(zhàn)
1．3．1 手印納米顯現(xiàn)的機(jī)遇
1．3．2 手印納米顯現(xiàn)的挑戰(zhàn)


2 手印納米顯現(xiàn)研究進(jìn)展
2．1 量子點(diǎn)在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
2．1．1 粉末顯現(xiàn)法
2．1．2 溶液顯現(xiàn)法
2．2 稀土發(fā)光材料在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
2．2．1 粉末顯現(xiàn)法
2．2．2 懸浮液顯現(xiàn)法


3 YVO4：Eu下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
3．1 引言
3．2 實(shí)驗(yàn)部分
3．2．1 實(shí)驗(yàn)儀器
3．2．2 實(shí)驗(yàn)試劑
3．2．3 實(shí)驗(yàn)方法
3．3 結(jié)果與討論
3．3．1 YVO4：Eu下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的合成與表征
3．3．2 YVO4：Eu下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料用于手印顯現(xiàn)
3．4 小結(jié)


4 LaPO4：Ce，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
4．1 引言
4．2 實(shí)驗(yàn)部分
4．2．1 實(shí)驗(yàn)儀器
4．2．2 實(shí)驗(yàn)試劑
4．2．3 實(shí)驗(yàn)方法
4．3 結(jié)果與討論
4．3．1 LaPO4：Ce，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的合成與表征
4．3．2 LaPO4：Ce，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料用于手印顯現(xiàn)
4．4 小結(jié)


5 LaFa：Eu，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
5．1 引言
5．2 實(shí)驗(yàn)部分
5．2．1 實(shí)驗(yàn)儀器
5．2．2 實(shí)驗(yàn)試劑
5．2．3 實(shí)驗(yàn)方法
5．3 結(jié)果與討論
5．3．1 LaF3：Eu，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的合成與表征
5．3．2 LaF3：Eu，Tb下轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料用于手印顯現(xiàn)
5．4 小結(jié)


6 NaYF4：Yb，Er上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料在手印顯現(xiàn)中的應(yīng)用
6．1 引言
6．2 實(shí)驗(yàn)部分
6．2．1 實(shí)驗(yàn)儀器
6．2．2 實(shí)驗(yàn)試劑
6．2．3 實(shí)驗(yàn)方法
6．3 結(jié)果與討論
6．3．1 NaYF4：Yb，Er上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的合成方法優(yōu)化
6．3．2 NaYF4：Yb，Er上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料的合成與表征
6．3．3 NaYF4：Yb，Er上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料用于粉末顯現(xiàn)法
6．3．4 NaYF4：Yb，Er上轉(zhuǎn)換發(fā)光納米材料用于懸浮液顯現(xiàn)法
6．4 小結(jié)


7 結(jié)論與展望
7．1 結(jié)論
7．2 展望


參考文獻(xiàn)
附錄