目 錄

第1章 緒 論

1.1 技術(shù)背景

1.2 主要內(nèi)容

1.2.1 技術(shù)現(xiàn)狀

1.2.2 市場現(xiàn)狀

1.2.3 政策現(xiàn)狀

1.3 主要研究內(nèi)容

1.3.1 技術(shù)分解

1.3.2 數(shù)據(jù)來源及檢索策略

1.3.3 查全查準(zhǔn)驗(yàn)證

1.4 相關(guān)約定

1.4.1 專利分析術(shù)語

1.4.2 技術(shù)術(shù)語

第2章 第三代半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)全球?qū)＠麘B(tài)勢

2.1 專利申請趨勢

2.1.1 碳化硅專利申請趨勢

2.1.2 氮化鎵專利申請趨勢

2.1.3 其他材料專利申請趨勢

2.2 全球?qū)＠麉^(qū)域分布

2.2.1 國家/地區(qū)分布

2.2.2 專利流向分析

2.2.3 在華分布情況

2.3 主要申請人排名

2.3.1 全球?qū)＠�申請人排�?/p>

2.3.2 在華專利申請人排名

2.4 技術(shù)構(gòu)成

2.4.1 全球技術(shù)構(gòu)成

2.4.2 主要國家/地區(qū)技術(shù)構(gòu)成對比

第3章 碳化硅關(guān)鍵技術(shù)專利分析

3.1 碳化硅制備技術(shù)分析

3.1.1 專利申請趨勢

3.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比

3.1.3 主要申請人分析

3.1.4 單晶生長技術(shù)發(fā)展路線

3.1.5 外延生長技術(shù)發(fā)展路線

3.1.6 技術(shù)生命周期分析

3.2 碳化硅器件技術(shù)分析

3.2.1 專利申請趨勢

3.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比

3.2.3 主要申請人分析

3.2.4 碳化硅IGBT技術(shù)發(fā)展路線

3.2.5 技術(shù)生命周期分析

3.3 碳化硅應(yīng)用技術(shù)分析

3.3.1 專利申請趨勢

3.3.2 主要國家專利布局對比

3.3.3 主要申請人分析

3.3.4 技術(shù)生命周期分析

第4章 氮化鎵關(guān)鍵技術(shù)專利分析

4.1 氮化鎵制備技術(shù)分析

4.1.1 專利申請趨勢

4.1.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比

4.1.3 主要申請人分析

4.1.4 氮化鎵技術(shù)發(fā)展路線

4.1.5 技術(shù)生命周期分析

4.2 氮化鎵器件和應(yīng)用技術(shù)分析

4.2.1 專利申請趨勢

4.2.2 主要國家/地區(qū)專利布局對比

4.2.3 主要申請人分析

4.2.4 MicroLED技術(shù)發(fā)展路線

4.2.5 技術(shù)生命周期分析

第5章 英飛凌專利布局及運(yùn)用策略分析

5.1 發(fā)展歷程

5.2 專利布局

5.2.1 專利申請趨勢

5.2.2 專利區(qū)域布局

5.2.3 專利主題布局

5.3 主要研發(fā)團(tuán)隊(duì)

5.3.1 研發(fā)團(tuán)隊(duì)總覽

5.3.2 研發(fā)合作分析

5.4 專利運(yùn)用

5.4.1 專利運(yùn)用圖譜

5.4.2 專利運(yùn)用策略

第6章 科銳專利布局及運(yùn)用策略研究

6.1 發(fā)展歷程

6.2 專利布局

6.2.1 專利申請趨勢

6.2.2 專利區(qū)域布局

6.2.3 專利主題布局

6.3 主要研發(fā)團(tuán)隊(duì)

6.3.1 研發(fā)團(tuán)隊(duì)總覽

6.3.2 研發(fā)合作分析

6.4 專利運(yùn)用

6.4.1 專利運(yùn)用圖譜

6.4.2 專利運(yùn)用策略

第7章 第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域主要發(fā)明人分析

7.1 發(fā)明人全景分析

7.1.1 全球主要發(fā)明人

7.1.2 技術(shù)分支主要發(fā)明人

7.2 國外主要發(fā)明人

7.2.1 國外發(fā)明人

7.2.2 技術(shù)分支主要發(fā)明人

第8章 第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠�轉(zhuǎn)讓策略研究

8.1 專利轉(zhuǎn)讓態(tài)勢分析

8.1.1 專利轉(zhuǎn)讓趨勢

8.1.2 專利轉(zhuǎn)讓主要區(qū)域

8.1.3 專利轉(zhuǎn)讓人排名

8.1.4 專利受讓人

8.1.5 專利轉(zhuǎn)讓技術(shù)排名

8.2 英飛凌專利轉(zhuǎn)讓案例分析

第9章 第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠�許可策略研究

9.1 專利許可分析

9.1.1 專利許可趨勢

9.1.2 專利許可人排名

9.1.3 專利被許可人

9.1.4 專利許可技術(shù)排名

9.2 科銳專利許可案例分析

第10章 第三代半導(dǎo)體領(lǐng)域?qū)＠�訴訟策略研究

10.1 專利訴訟態(tài)勢分析

10.1.1 專利訴訟主要國家/地區(qū)

10.1.2 專利訴訟人排名

10.1.3 專利訴訟技術(shù)排名

10.2 專利訴訟案例分析

10.2.1 科銳vs.旭明光電

10.2.2 威科vs.中微半導(dǎo)體

10.3 專利訴訟策略小結(jié)

第11章 美國政府資助項(xiàng)目知識產(chǎn)權(quán)產(chǎn)出機(jī)制研究

11.1 項(xiàng)目簡介

11.2 美國政府資助項(xiàng)目專利產(chǎn)出機(jī)制

11.3 美國政府資助典型案例分析

第12章 主要結(jié)論和建議

12.1 主要結(jié)論

12.2 主要建議

附錄 美國政府資助項(xiàng)目碳化硅領(lǐng)域主要專利

圖索引

表索引