第1章 半導(dǎo)體工藝及器件仿真工具Sentaurus TCAD
1.1 集成工藝仿真系統(tǒng) Sentaurus Process
1.1.1 Sentaurus Process工藝仿真工具簡介
1.1.2 Sentaurus Process基本命令介紹
1.1.3 Sentaurus Process 中的小尺寸模型
1.1.4 Sentaurus Process仿真實(shí)例
1.2 器件結(jié)構(gòu)編輯工具Sentaurus Structure Editor
1.2.1 Sentaurus Structure Editor（SDE）器件結(jié)構(gòu)編輯工具簡介
1.2.2 完成從Sentaurus Process到SentaurusDevice的接口轉(zhuǎn)換
1.2.3 創(chuàng)建三維結(jié)構(gòu)
1.3 器件仿真工具Sentaurus Device
1.3.1 Sentaurus Device器件仿真工具簡介
1.3.2 Sentaurus Device主要物理模型
1.3.3 Sentaurus Device仿真實(shí)例
1.4 集成電路虛擬制造系統(tǒng)SentaurusWorkbench簡介
1.4.1 Sentaurus Workbench（SWB）簡介
1.4.2 創(chuàng)建和運(yùn)行仿真項(xiàng)目
參考文獻(xiàn)

第2章 工藝仿真工具TSUPREM-4及器件仿真工具M(jìn)EDICI
2.1 TSUPREM-4的工藝模型介紹
2.1.1 擴(kuò)散模型
2.1.2 離子注入模型
2.1.3 氧化模型
2.1.4 刻蝕模型
2.2 TSUPREM-4基本命令介紹
2.2.1 符號及變量說明
2.2.2 命令類型
2.2.3 常用命令的基本格式與用法
2.3 雙極晶體管結(jié)構(gòu)的一維仿真示例
2.3.1 TSUPREM-4輸入文件的順序
2.3.2 初始有源區(qū)仿真
2.3.3 網(wǎng)格生成
2.3.4 模型選擇
2.3.5 工藝步驟
2.3.6 保存結(jié)構(gòu)
2.3.7 繪制結(jié)果
2.3.8 打印層信息
2.3.9 完成有源區(qū)仿真
2.3.10 最終結(jié)果
2.4 半導(dǎo)體器件仿真工具M(jìn)EDICI簡介
2.4.1 MEDICI的特性
2.4.2 MEDICI的使用
2.4.3 MEDICI的語法概覽
2.5 MEDICI實(shí)例1——NLDMOS器件仿真
2.6 MEDICI實(shí)例2——NPN三極管仿真
參考文獻(xiàn)

第3章 工藝及器件仿真工具SILVACO-TCAD
3.1 使用ATHENA的NMOS工藝仿真
3.1.1 概述
3.1.2 創(chuàng)建一個初始結(jié)構(gòu)
3.1.3 定義初始襯底
3.1.4 運(yùn)行ATHENA并且繪圖
3.1.5 柵極氧化
3.1.6 提取柵極氧化層的厚度
3.1.7 柵氧厚度的最優(yōu)化
3.1.8 完成離子注入
3.1.9 在TonyPlot中分析硼摻雜特性
3.1.10 多晶硅柵的淀積
3.1.11 簡單幾何刻蝕
3.1.12 多晶硅氧化
3.1.13 多晶硅摻雜
3.1.14 隔離氧化層淀積
3.1.15 側(cè)墻氧化隔離的形成
3.1.16 源/漏極注入和退火
3.1.17 金屬的淀積
3.1.18 獲取器件參數(shù)
3.1.19 半個NMOS結(jié)構(gòu)的鏡像
3.1.20 電極的確定
3.1.21 保存ATHENA結(jié)構(gòu)文件
3.2 使用ATLAS的NMOS器件仿真
3.2.1 ATLAS概述
3.2.2 NMOS結(jié)構(gòu)的ATLAS仿真
3.2.3 創(chuàng)建ATLAS輸入文檔
3.2.4 模型命令組
3.2.5 數(shù)字求解方法命令組
3.2.6 解決方案命令組
參考文獻(xiàn)

第4章 工藝及器件仿真工具ISE-TCAD
4.1 工藝仿真工具DIOS
4.1.1 關(guān)于DIOS
4.1.2 各種命令說明
4.1.3 實(shí)例說明
4.2 器件描述工具M(jìn)DRAW
4.2.1 關(guān)于MDRAW
4.2.2 MDRAW的邊界編輯
4.2.3 摻雜和優(yōu)化編輯
4.2.4 MDRAW軟件基本使用流程
4.3 器件仿真工具DESSIS
4.3.1 關(guān)于DESSIS
4.3.2 設(shè)計(jì)實(shí)例
4.3.3 主要模型簡介
4.3.4 小信號AC分析
參考文獻(xiàn)

第5章 工藝仿真工具（DIOS）的優(yōu)化使用
5.1 網(wǎng)格定義
5.2 工藝流程模擬
5.2.1 淀積
5.2.2 刻蝕
5.2.3 離子注入
5.2.4 氧化
5.2.5 擴(kuò)散
5.3 結(jié)構(gòu)操作及保存輸出
參考文獻(xiàn)

第6章 器件仿真工具（DESSIS）的模型分析
6.1 傳輸方程模型
6.2 能帶模型
6.3 遷移率模型
6.3.1 晶格散射引起的遷移率退化
6.3.2 電離雜質(zhì)散射引起的遷移率退化
6.3.3 載流子間散射引起的遷移率退化
6.3.4 高場飽和引起的遷移率退化
6.3.5 表面散射引起的遷移率退化
6.4 雪崩離化模型
6.5 復(fù)合模型
參考文獻(xiàn)

第7章 TCAD設(shè)計(jì)工具、仿真流程及ESD器件的性能評估
7.1 ESD防護(hù)設(shè)計(jì)要求及TCAD輔助設(shè)計(jì)的必要性
7.2 工藝和器件TCAD仿真軟件的發(fā)展歷程
7.3 工藝和器件仿真的基本流程
7.4 TSUPREM-4/MEDICI的仿真示例
7.4.1 半導(dǎo)體工藝級仿真流程
7.4.2 從工藝級仿真向器件級仿真的過渡流程
7.4.3 半導(dǎo)體器件級仿真的流程
7.5 利用瞬態(tài)仿真對ESD綜合性能的定性評估
7.5.1 TCAD評估基本設(shè)置
7.5.2 有效性評估
7.5.3 敏捷性評估
7.5.4 魯棒性評估
7.5.5 透明性評估
7.5.6 ESD總體評估
參考文獻(xiàn)

第8章 ESD防護(hù)器件關(guān)鍵參數(shù)的仿真
8.1 ESD仿真中的物理模型選擇
8.2 熱邊界條件的設(shè)定
8.3 ESD器件仿真中收斂性問題解決方案
8.4 模型參數(shù)對關(guān)鍵性能參數(shù)仿真結(jié)果的影響
8.5 二次擊穿電流的仿真
8.5.1 現(xiàn)有方法局限性
8.5.2 單脈沖TLP波形瞬態(tài)仿真方法介紹
8.5.3 多脈沖TLP波形仿真介紹
參考文獻(xiàn)

第9章 VDMOSFET的設(shè)計(jì)及仿真驗(yàn)證
9.1 VDMOSFET概述
9.2 VDMOSFET元胞設(shè)計(jì)
9.2.1 結(jié)構(gòu)參數(shù)及工藝參數(shù)
9.2.2 工藝流程
9.2.3 工藝仿真
9.2.4 器件仿真
9.2.5 器件優(yōu)化
9.3 VDMOSFET終端結(jié)構(gòu)的設(shè)計(jì)
9.3.1 結(jié)構(gòu)參數(shù)設(shè)計(jì)
9.3.2 工藝仿真
9.3.3 器件仿真
9.3.4 參數(shù)優(yōu)化
9.4 VDMOSFET ESD防護(hù)結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)
9.4.1 ESD現(xiàn)象概述
9.4.2 VDMOSFET中的ESD結(jié)構(gòu)
……