本書按照表面工程新興學科的體系,較為全面系統(tǒng)地介紹了表面工程的理論與技術。在表面工程理論部分重點闡述了表面覆層的形成與結合機理;在表面工程技術部分介紹了多種實用表面工程技術的基本原理、設備和工藝;在表面工程技術的綜合運用部分重點闡述了復合表面技術及其設計、技術經濟分析等內容。本書突出表面工程學科“綜合、復合、交叉、系統(tǒng)”的特色,重視反映復合表面技術、納米表面技術等最新進展,強調理論密切聯(lián)系生產實際。
2.1.1表面與界面
在不均勻體系中至少存在有兩個性質不同的相,各相并存必然有界面。兩相之間的界面不是一個幾何曲面,而是一個具有一定厚度和復雜結構的準三維區(qū)域?梢哉J為界面是由一個相到另一個相的過渡區(qū)域。常把界面區(qū)域作為另一個相來處理,稱為界面相或界面區(qū)。所謂表面實際上就是兩相之間的界面。習慣上,常把氣一固、氣一液界面稱為表面,而固一液、液一液、固一固之間的過渡區(qū)域稱為界面。
界面(表面)現(xiàn)象在自然界中隨處可見,從大腦皮層的信息交換、植物葉片的光合作用,到日常生活中的洗滌、印染、空氣凈化、水處理,無不充斥著各種各樣的界面過程。表面工程研究的界面問題,主要包括所用表面工程材料(如各種合金、陶瓷、高分子材料、復合材料、鍍液、涂料、膠黏劑、活性劑等)在覆層制備和表面改性中的界面行為,及材料表面在使用環(huán)境中的腐蝕、磨損等失效現(xiàn)象和機理。對于表面涂敷技術,側重于研究覆層的形成與結合機理。它涉及覆層制備中的各種物理化學現(xiàn)象,包括金屬材料的熔化結晶(或非晶化)、熔融合金化過程、電極過程、晶體結構和缺陷、相變及塑性變形、覆層形成中的化學和電化學反應、高分子材料的固化反應、覆層成分和組織結構與性能的關系等。
1.固體的表面
在以往很長的一段時問里,人們總是把固體的表面和體內看成是完全相同的,但后來發(fā)現(xiàn)固體表面的結構和性質在很多方面與體內有著較大差異。例如晶體內部的三維平移對稱性在晶體表面消失了。所以,固體表面是晶體三維周期結構與真空之間的過渡區(qū)域。這種表面實際上是理想表面,此外還有清潔表面、實際表面等。
(1)理想表面
理想晶體表面是一種理論上的結構完整的二維點陣平面。它忽略了晶體內部周期性勢場在晶體表面中斷時的影響,忽略了表面原子的熱運動、熱擴散、熱缺陷及外界對表面的物理一化學作用。這就是說,作為半無限的體內的原子的位置及其結構的周期性,與原來無限的晶體完全一樣。
同三維晶體結構一樣,由二維晶格結構描述理想晶體對于認識晶體的性質也具有重要意義。二維晶格結構只可能存在5種布喇菲格子、9種點群和17種二維空間群。
。2)清潔表面
相對于受污染表面而言,當表面吸附物的摩爾分數(shù)在單分子覆蓋層上為1%量級時,該表面一般稱為清潔表面。理想表面是不存在的,而清潔表面是可以獲得的,而且隨著技術的進步可不斷提高其清潔的程度。通常,清潔表面必須在大約10Pa及以下的超真空室內采用高溫熱處理、離子轟擊退火、真空解理、真空沉積、外延、熱蝕、場效應蒸發(fā)等方法才能實現(xiàn)。
由于表面原子排列突然發(fā)生中斷,表面原子配位數(shù)減少,相當一部分結合鍵被割斷,因此表面原子將偏離點陣的平衡位置而處于能量較高的狀態(tài)。晶體的表面能可理解為單位界面面積的自由能增量,一般多以表面張力表示。與晶體中的原子鍵合狀態(tài)相比,由于晶體表面原子的部分結合鍵被割斷,使其表面能可用形成單位新表面所割斷的結合鍵數(shù)目乘以每個鍵的能量來近似表達。
由于各晶面原子排列的密度不同,因而當以不同晶面作為其外表面時,其表面能存在一定差別,即晶體表面能具有各向異性的特點。為了降低表面能,晶體往往以原子密度最大的晶面組成其表面。
為減小表面能,使系統(tǒng)穩(wěn)定,表面的原子必須進行調整。調整方式可以是自行的,使表面的原子排列與內部有明顯不同;也可靠外來因素,如吸附雜質,生成新相等。觀測結構表明,實際的表面結構與理想的體內結構的差異主要表現(xiàn)為表面弛豫和表面重構。表面弛豫現(xiàn)象表現(xiàn)在晶體結構基本相同,但點陣參數(shù)略有差異,特別是在表面及其下少數(shù)幾個原子層問距的變化上,即法向弛豫(見圖2.1)。重構是指表面原子層在水平方向上的周期性不同于體內,但垂直方向上的層間距與體內相同,常見的有缺列型重構和重組型重構。
表面分析結果證實,許多單晶體的表面實際上不是原子級的平坦,而是表面上有平臺(Termce)、臺階(Ledge或Step)和扭折(Kink)。相鄰面的臺階和扭折是晶體生長時原子優(yōu)先沉積的位置,也是表面反應優(yōu)先發(fā)生的場所。原子沉積導致扭折沿臺階的運動,從而使臺階向前推進,相繼的臺階不斷地掃過晶體表面,最終導致了晶體表面的法向生長。
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