位錯(cuò)環(huán)是輻照引入的一種*常見的缺陷。本書系統(tǒng)介紹了位錯(cuò)環(huán)形核和長大 的過程、規(guī)律和機(jī)理，討論了位錯(cuò)環(huán)的各種影響因素，闡述了位錯(cuò)環(huán)與其他輻照效 應(yīng)的關(guān)系，介紹了各種常見核合金的位錯(cuò)環(huán)研究進(jìn)展。在理論方面，著重介紹了位 錯(cuò)環(huán)形核和生長的速率理論及其應(yīng)用。在實(shí)驗(yàn)技術(shù)方面，詳細(xì)介紹了位錯(cuò)環(huán)的透 射電鏡觀測技術(shù)以及對(duì)位錯(cuò)環(huán)的機(jī)理研究有重要意義的透射電鏡原位觀測裝置、 技術(shù)和應(yīng)用。 本書可供從事核材料輻照損傷和輻照效應(yīng)研究的科研人員參考，也可供高校 相關(guān)專業(yè)的教師和研究生參考。