楊銀堂，1962年生，男，河北邯鄲市人，博士，教授，博士生導(dǎo)師，畢業(yè)于西安電子科技大學(xué)半導(dǎo)體專(zhuān)業(yè)。曾先后擔(dān)任該校微電子研究所所長(zhǎng)、技術(shù)物理學(xué)院副院長(zhǎng)、微電子學(xué)院院長(zhǎng)、發(fā)展規(guī)劃處處長(zhǎng)兼“211工程”辦公室主任，校長(zhǎng)助理，兼任總裝備部軍用電子元器件專(zhuān)家組副組長(zhǎng)，曾獲國(guó)家自然科學(xué)基金杰出青年基金、教育部跨世紀(jì)優(yōu)秀人才，全國(guó)模范教師和中國(guó)青年科技獎(jiǎng)，入選國(guó)家“百千萬(wàn)人才工程”�，F(xiàn)任西安電子科技大學(xué)副校長(zhǎng)。先后在國(guó)際國(guó)內(nèi)重要期刊上發(fā)表論文180余篇，出版專(zhuān)著4部。
　　段寶興，1977年生，男，陜西省大荔縣人，博士，教授。分別于2000年和2004年獲哈爾濱理工大學(xué)材料物理與化學(xué)專(zhuān)業(yè)學(xué)士和碩士學(xué)位，2007年獲電子科技大學(xué)微電子學(xué)與固體電子學(xué)博士學(xué)位。主要從事硅基功率器件與集成、寬帶隙半導(dǎo)體功率器件和45 nm后CMOS關(guān)鍵技術(shù)研究。首次在國(guó)際上提出的優(yōu)化功率器件新技術(shù)REBULF已成功應(yīng)用于橫向高壓功率器件設(shè)計(jì)；與合作者提出的SOI高壓器件介質(zhì)場(chǎng)增強(qiáng)ENDILF技術(shù)，成功解決了高壓器件縱向耐壓受限問(wèn)題；最近首次在國(guó)際上提出了完全3D RESURF概念并已被國(guó)際同行認(rèn)可。先后在國(guó)際國(guó)內(nèi)重要期刊上發(fā)表論文40余篇，其中30余篇次被SCI、EI檢索。擔(dān)任國(guó)際重要學(xué)術(shù)期刊IEEE Electron Device Letters，Solid-State Electronics，Micro ＆ Nano Letters，IEEE Transactions on Power Electronics和IETE Technical Review等的審稿人。
　　Hong Xiao（蕭宏）1982年于中國(guó)科學(xué)技術(shù)大學(xué)獲理學(xué)學(xué)士學(xué)位，1985年于中國(guó)西南物理研究所獲理學(xué)碩士學(xué)位，1985年至1989年在西南物理研究所從事等離子體物理研究，1995年于美國(guó)得克薩斯大學(xué)奧斯汀分校獲哲學(xué)博士學(xué)位。1995年至1998年在應(yīng)用材料公司任高級(jí)技術(shù)講師。1998年至2003年在摩托羅拉公司半導(dǎo)體生產(chǎn)部任高級(jí)制造工程師，并在奧斯汀社區(qū)大學(xué)講授半導(dǎo)體制造技術(shù)。2003年至2011年在漢民微測(cè)科技股份有限公司任技術(shù)專(zhuān)家，現(xiàn)于KLA-Tencor公司任技術(shù)專(zhuān)家。目前的研究興趣為電子束缺陷檢測(cè)研發(fā)和集成電路制造中的電子束缺陷檢測(cè)。任SPIE會(huì)員和講師，IEEE會(huì)員和華美半導(dǎo)體協(xié)會(huì)終身會(huì)員。已發(fā)表30多篇期刊論文和國(guó)際會(huì)議論文，擁有7項(xiàng)美國(guó)專(zhuān)利。