本書由倒裝芯片封裝技術(shù)領(lǐng)域*專家撰寫而成，系統(tǒng)總結(jié)了過去十幾年倒裝芯片封裝技術(shù)的發(fā)展脈絡和*成果，并對未來的發(fā)展趨勢做出了展望。內(nèi)容涵蓋倒裝芯片的市場與技術(shù)趨勢，凸點技術(shù)，互連技術(shù)，下填料工藝與可靠性，導電膠應用，基板技術(shù)，芯片封裝一體化電路設(shè)計，倒裝芯片封裝的熱管理和熱機械可靠性問題，倒裝芯片焊錫接點的界面反應和電遷移問題等。本書適合從事倒裝芯片封裝技術(shù)以及其他先進電子封裝技術(shù)研究的工程師，科研人員和技術(shù)管理人員閱讀，也可以作為電子封裝相關(guān)專業(yè)高年級本科生，研究生和培訓人員的教材和參考書。
倒裝芯片（flip chip）封裝技術(shù)自從問世以后一直在集成電路封裝領(lǐng)域占據(jù)著重要的地位。尤其是近年來隨著先進封裝技術(shù)向著微型化，薄型化趨勢的發(fā)展，該技術(shù)已經(jīng)成為集成電路封裝的主要形式。有關(guān)倒裝芯片技術(shù)的書籍近年來也是層出不窮，但涉及面往往局限于單一的設(shè)計，制造技術(shù)。尚沒有一本系統(tǒng)介紹倒裝芯片技術(shù)研究發(fā)展現(xiàn)狀，未來發(fā)展趨勢以及倒裝芯片設(shè)計，制造以及相關(guān)材料的書籍。而上述內(nèi)容對于從事集成電路封裝技術(shù)研究的學者，工程師，教師以及學生均具有重要的參考價值，本書則滿足了相關(guān)從業(yè)工作者的需求。 本書深入淺出地介紹了倒裝芯片技術(shù)的市場（第1章），技術(shù)發(fā)展趨勢（第2章），設(shè)計與制造技術(shù)（第3，4，8，9章），可靠性（第10，11章）以及封裝材料（第5，6章）等。從事該書章節(jié)撰寫的人員或是來自國外倒裝芯片知名公司（如Amkor技術(shù)公司，IBM公司，漢高公司等），或是從事倒裝芯片研究的知名學者。本書由美國工程院，中國工程院雙院士CPWong（汪正平）教授主編，集新穎性，實用性以及全面性為一身，對從事倒裝芯片研究的各類人員均具有重要的參考價值，對于推動倒裝芯片技術(shù)的普及與發(fā)展也具有重要的推動作用。
原著前言據(jù)我們所知，倒裝芯片封裝技術(shù)類的圖書大部分都是在10年前編輯和出版的，比較經(jīng)典的包括劉漢誠（John H. Lau）博士主編的《低成本倒裝芯片技術(shù)》(Mc Graw Hill出版，2006年4月化學工業(yè)出版社翻譯出版 )。那時，倒裝芯片技術(shù)是奢侈品，只用于如大型機和工作站之類的高端，高性能產(chǎn)品。但是，在過去的10年里，技術(shù)的進步使得低成本，高可靠性倒裝芯片封裝在4C（計算機，通信，消費類和汽車電子）產(chǎn)品以及其他電子產(chǎn)品中的應用激增。隨著我們進入電子消費時代，對倒裝芯片的需求將進一步增長，以滿足消費者對性能，尺寸，成本和環(huán)境兼容性等永不滿足的需求。過去10年里發(fā)生的重要變化使得今天的倒裝芯片封裝與以往大不相同。隨著摩爾定律芯片的介電層從非低k演進到低k，由于低k介電層機械強度較弱，芯片-封裝相互作用必須在產(chǎn)品化以前加以解決。而且，隨著半導體產(chǎn)業(yè)的技術(shù)節(jié)點從45nm轉(zhuǎn)向32nm及以下，芯片-封裝相互作用問題更加突出。除此以外，歐共體頒布的，2006年開始實行的RoHS強制性標準促使全球半導體業(yè)（包括倒裝芯片制造商和提供商）從含鉛封裝轉(zhuǎn)向無鉛，無鹵素封裝。過去的10年里，像倒裝芯片這樣的先進封裝可以取得高溢價，而在如今的消費時代，為取得價格優(yōu)勢，倒裝芯片正在被其他低成本的封裝取代。這種大趨勢促使制造商開發(fā)低成本的倒裝芯片結(jié)構(gòu)，工藝，材料和設(shè)備。而且，隨著系統(tǒng)級功能集成進程加速，整個半導體工業(yè)也轉(zhuǎn)向在芯片，封裝，模組，板級/系統(tǒng)級中采用更細的節(jié)距,在特定應用中，甚至采用具有更細節(jié)距的較大尺寸倒裝芯片。為支撐倒裝芯片的增長，伴生的基板，下填料，互連，設(shè)計，仿真和可靠性設(shè)計等技術(shù)都在持續(xù)演進。由于上述原因，具有最高密度的倒裝芯片封裝技術(shù)也在不斷再創(chuàng)新，以應對日益增長的對性能，成本，尺寸，環(huán)保等的要求。展望未來，隨著系統(tǒng)級功能集成加速，倒裝芯片封裝技術(shù)的發(fā)展也將加速，特別是對于手機，便攜式電腦等移動電子產(chǎn)品。我們堅信，撰寫一本能反映過去10年倒裝芯片封裝技術(shù)進展的新書是適時的，而且能夠為相關(guān)領(lǐng)域的研究人員提供有價值的信息。《先進倒裝芯片封裝技術(shù)》就是這樣的一本書，它論述了與倒裝球柵陣列和倒裝晶圓級封裝相關(guān)技術(shù)的過去，現(xiàn)在和將來的演變趨勢。Ho-Ming Tong（唐和明），日月光集團公司Yi-Shao Lai（賴逸少），日月光集團公司C. P. Wong（汪正平），香港中文大學
汪正平（CP Wong）教授，美國工程院院士，中國工程院外籍院士，被譽為現(xiàn)代半導體封裝之父�，F(xiàn)任中科院深圳先進技術(shù)研究院電子封裝材料方向首席科學家，香港中文大學工學院院長，美國佐治亞理工學院封裝中心副主任，校董事教授，是佐治亞理工學院的兩個chair?professor之一。國際電子電氣工程師協(xié)會會士（IEEE?Fellow），美國貝爾實驗室高級會士(Fellow)。他擁有50多項美國專利，發(fā)表了1000多篇文章，獨自或和他人一起出版了10多本專著。他曾多次獲國際電子電氣工程師協(xié)會，制造工程學會，貝爾實驗室，美國佐治亞理工學院等頒發(fā)的特殊貢獻獎。 汪正平院士長期從事電子封裝研究，因幾十年來在該領(lǐng)域的開創(chuàng)性貢獻，被IEEE授予電子封裝領(lǐng)域高級榮譽獎IEEE元件，封裝和制造技術(shù)獎，獲得業(yè)界普遍認可。 汪正平院士是塑封技術(shù)的開拓者之一。他創(chuàng)新地采用硅樹脂對柵控二極管交換機（GDX）進行封裝研究，實現(xiàn)利用聚合物材料對GDX結(jié)構(gòu)的密封等效封裝，顯著提高封裝可靠性，此塑封技術(shù)克服了傳統(tǒng)陶瓷封裝重量大，工藝復雜，成本高等問題，被Intel，IBM等全面推廣，目前塑封技術(shù)占世界集成電路封裝市場的95%以上。他還解決了長期困擾封裝界的導電膠與器件界面接觸電阻不穩(wěn)定問題，該創(chuàng)新技術(shù)在Henkel（漢高）等公司的導電膠產(chǎn)品中使用至今。汪院士在業(yè)界首次研發(fā)了無溶劑，高Tg的非流動性底部填充膠，簡化倒裝芯片封裝工藝，提高器件的優(yōu)良率和可靠性，被Hitachi（日立）等公司長期使用。
第1章市場趨勢：過去，現(xiàn)在和將來1
1.1倒裝芯片技術(shù)及其早期發(fā)展2
1.2晶圓凸點技術(shù)概述2
1.3蒸鍍3
1.3.1模板印刷3
1.3.2電鍍4
1.3.3焊壩4
1.3.4預定義結(jié)構(gòu)外電鍍6
1.4晶圓凸點技術(shù)總結(jié)6
1.5倒裝芯片產(chǎn)業(yè)與配套基礎(chǔ)架構(gòu)的發(fā)展7
1.6倒裝芯片市場趨勢9
1.7倒裝芯片的市場驅(qū)動力11
1.8從IDM到SAT的轉(zhuǎn)移13
1.9環(huán)保法規(guī)對下填料，焊料，結(jié)構(gòu)設(shè)計等的沖擊16
1.10貼裝成本及其對倒裝芯片技術(shù)的影響16
參考文獻16
第2章技術(shù)趨勢：過去，現(xiàn)在和將來17
2.1倒裝芯片技術(shù)的演變18
2.2一級封裝技術(shù)的演變20
2.2.1熱管理需求20
2.2.2增大的芯片尺寸20
2.2.3對有害物質(zhì)的限制21
2.2.4RoHS指令與遵從成本23
2.2.5Sn的選擇23
2.2.6焊料空洞24
2.2.7軟錯誤與阿爾法輻射25
2.3一級封裝面臨的挑戰(zhàn)26
2.3.1弱BEOL結(jié)構(gòu)26
2.3.2C4凸點電遷移27
2.3.3Cu柱技術(shù)28
2.4IC技術(shù)路線圖28
2.53D倒裝芯片系統(tǒng)級封裝與IC封裝系統(tǒng)協(xié)同設(shè)計31
2.6PoP與堆疊封裝32
2.6.1嵌入式芯片封裝34
2.6.2折疊式堆疊封裝34
2.7新出現(xiàn)的倒裝芯片技術(shù)35
2.8總結(jié)37
參考文獻37
第3章凸點制作技術(shù)40
3.1引言41
3.2材料與工藝41
3.3凸點技術(shù)的最新進展57
3.3.1低成本焊錫凸點工藝57
3.3.2納米多孔互連59
3.3.3傾斜微凸點59
3.3.4細節(jié)距壓印凸點60
3.3.5液滴微夾鉗焊錫凸點60
3.3.6碳納米管（CNT）凸點62
參考文獻63
第4章倒裝芯片互連：過去，現(xiàn)在和將來66
4.1倒裝芯片互連技術(shù)的演變67
4.1.1高含鉛量焊錫接點68
4.1.2芯片上高含鉛量焊料與層壓基板上共晶焊料的接合68
4.1.3無鉛焊錫接點69
4.1.4銅柱接合70
4.2組裝技術(shù)的演變71
4.2.1晶圓減薄與晶圓切割71
4.2.2晶圓凸點制作72
4.2.3助焊劑及其清洗74
4.2.4回流焊與熱壓鍵合75
4.2.5底部填充與模塑76
4.2.6質(zhì)量保證措施78
4.3C4NP技術(shù)79
4.3.1C4NP晶圓凸點制作工藝79
4.3.2模具制作與焊料轉(zhuǎn)移81
4.3.3改進晶圓凸點制作良率81
4.3.4C4NP的優(yōu)點：對多種焊料合金的適應性83
4.4Cu柱凸點制作83
4.5基板凸點制作技術(shù)86
4.6倒裝芯片中的無鉛焊料90
4.6.1無鉛焊料的性能91
4.6.2固化，微結(jié)構(gòu)與過冷現(xiàn)象93
4.7倒裝芯片中無鉛焊料的界面反應93
4.7.1凸點下金屬化層93
4.7.2基板金屬化層95
4.7.3無鉛焊錫接點的界面反應96
4.8倒裝芯片互連結(jié)構(gòu)的可靠性98
4.8.1熱疲勞可靠性98
4.8.2跌落沖擊可靠性99
4.8.3芯片封裝相互作用：組裝中層間電介質(zhì)開裂101
4.8.4電遷移可靠性104
4.8.5錫疫109
4.9倒裝芯片技術(shù)的發(fā)展趨勢109
4.9.1傳統(tǒng)微焊錫接點110
4.9.2金屬到金屬的固態(tài)擴散鍵合113
4.10結(jié)束語114
參考文獻115
第5章倒裝芯片下填料：材料，工藝與可靠性123
5.1引言124
5.2傳統(tǒng)下填料與工藝125
5.3下填料的材料表征127
5.3.1差示掃描量熱法測量固化特性127
5.3.2差示掃描量熱法測量玻璃轉(zhuǎn)化溫度129
5.3.3采用熱機械分析儀測量熱膨脹系數(shù)130
5.3.4采用動態(tài)機械分析儀測量動態(tài)模量131
5.3.5采用熱重力分析儀測量熱穩(wěn)定性133
5.3.6彎曲實驗133
5.3.7黏度測量133
5.3.8下填料與芯片鈍化層粘接強度測量134
5.3.9吸濕率測量134
5.4下填料對倒裝芯片封裝可靠性的影響134
5.4.1鈍化層的影響136
5.4.2黏附性退化與85/85時效時間137
5.4.3采用偶聯(lián)劑改善粘接的水解穩(wěn)定性140
5.5底部填充工藝面臨的挑戰(zhàn)141
5.6非流動型下填料143
5.7模塑底部填充148
5.8晶圓級底部填充149
5.9總結(jié)153
參考文獻154
第6章導電膠在倒裝芯片中的應用159
6.1引言160
6.2各向異性導電膠/導電膜160
6.2.1概述160
6.2.2分類160
6.2.3膠基體161
6.2.4導電填充顆粒161
6.2.5ACA/ACF在倒裝芯片中的應用162
6.2.6ACA/ACF互連的失效機理167
6.2.7納米ACA/ACF最新進展168
6.3各向同性導電膠173
6.3.1引言173
6.3.2ICA在倒裝芯片中的應用178
6.3.3ICA在先進封裝中的應用184
6.3.4ICA互連點的高頻性能187
6.3.5ICA互連點的可靠性189
6.3.6納米ICA的最新進展191
6.4用于倒裝芯片的非導電膠194
6.4.1低熱膨脹系數(shù)NCA194
6.4.2NCA在細節(jié)距柔性基板芯片封裝中的應用196
6.4.3快速固化NCA196
6.4.4柔性電路板中NCA與ACA對比197
參考文獻197
第7章基板技術(shù)205
7.1引言206
7.2基板結(jié)構(gòu)分類207
7.2.1順序增層結(jié)構(gòu)207
7.2.2Z向堆疊結(jié)構(gòu)208
7.3順序增層基板208
7.3.1工藝流程208
7.3.2導線210
7.3.3微通孔217
7.3.4焊盤225
7.3.5芯片封裝相互作用231
7.3.6可靠性239
7.3.7歷史里程碑245
7.4Z向堆疊基板248
7.4.1采用圖形轉(zhuǎn)移工藝的Z向堆疊基板248
7.4.2任意層導通孔基板249
7.4.3埋嵌元件基板250
7.4.4PTFE材料基板253
7.5挑戰(zhàn)254
7.5.1無芯基板254
7.5.2溝槽基板255
7.5.3超低熱膨脹系數(shù)基板257
7.5.4堆疊芯片基板258
7.5.5光波導基板260
7.6陶瓷基板261
7.7路線圖262
7.7.1日本電子與信息技術(shù)工業(yè)協(xié)會路線圖262
7.7.2國際半導體技術(shù)路線圖263
7.8總結(jié)264
參考文獻264
第8章IC封裝系統(tǒng)集成設(shè)計266
8.1集成的芯片封裝系統(tǒng)268
8.1.1引言268
8.1.2設(shè)計探索269
8.1.3模擬與分析決策273
8.1.4ICPS設(shè)計問題274
8.2去耦電容插入276
8.2.1引言276
8.2.2電學模型278
8.2.3阻抗矩陣及其增量計算280
8.2.4噪聲矩陣282
8.2.5基于模擬退火算法的去耦電容插入282
8.2.6基于靈敏度分析算法的去耦電容插入286
8.3TSV 3D堆疊296
8.3.13D IC堆疊技術(shù)296
8.3.2挑戰(zhàn)298
8.3.3解決方法302
8.4總結(jié)316
參考文獻316
第9章倒裝芯片封裝的熱管理323
9.1引言324
9.2理論基礎(chǔ)325
9.2.1傳熱理論325
9.2.2電熱類比模型327
9.3熱管理目標328
9.4芯片與封裝水平的熱管理330
9.4.1熱管理示例330
9.4.2芯片中的熱點331
9.4.3熱管理方法336
9.5系統(tǒng)級熱管理338
9.5.1熱管理示例338
9.5.2熱管理方法340
9.5.3新型散熱技術(shù)348
9.6熱測量與仿真357
9.6.1封裝溫度測量358
9.6.2溫度測量設(shè)備與方法358
9.6.3溫度測量標準359
9.6.4簡化熱模型359
9.6.5有限元/計算流體力學仿真360
參考文獻362
第10章倒裝芯片封裝的熱機械可靠性367
10.1引言368
10.2倒裝芯片組件的熱變形369
10.2.1連續(xù)層合板模型370
10.2.2自由熱變形371
10.2.3基于雙層材料平板模型的芯片應力評估372
10.2.4芯片封裝相互作用最小化374
10.2.5總結(jié)377
10.3倒裝芯片組裝中焊錫凸點的可靠性377
10.3.1焊錫凸點的熱應變測量377
10.3.2焊錫材料的本構(gòu)方程378
10.3.3焊錫接點的可靠性仿真384
10.3.4下填料粘接強度對焊錫凸點可靠性的影響387
10.3.5總結(jié)389
參考文獻389
第11章倒裝芯片焊錫接點的界面反應與電遷移391
11.1 引言392
11.2無鉛焊料與基板的界面反應393
11.2.1回流過程中的溶解與界面反應動力學393
11.2.2無鉛焊料與Cu基焊盤的界面反應397
11.2.3無鉛焊料與鎳基焊盤的界面反應398
11.2.4貫穿焊錫接點的Cu和Ni交叉相互作用403
11.2.5與其他活潑元素的合金化效應405
11.2.6小焊料體積的影響409
11.3倒裝芯片焊錫接點的電遷移412
11.3.1電遷移基礎(chǔ)413
11.3.2電流對焊料的作用及其引發(fā)的失效機理415
11.3.3電流對凸點下金屬化層（UBM）的作用及其引發(fā)的失效機理421
11.3.4倒裝芯片焊錫接點的平均無故障時間426
11.3.5減緩電遷移的策略429
11.4新問題431
參考文獻431
附錄439
附錄A量度單位換算表440
附錄B縮略語表443
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