性電子轉(zhuǎn)印是實現(xiàn)器件功能封裝、產(chǎn)品包裝必須要解決的核心工藝之一。面對日趨超薄化的芯片，實現(xiàn)其無損轉(zhuǎn)印對于降低封裝成本，提高產(chǎn)品成品率、改善器件可靠性等有著顯著意義。本書從建模、機理和工藝等方面入手，先針對單頂針和多頂針推頂剝離方式下的超薄芯片無損剝離技術(shù)進行了深入分析；接著，以器件層-粘膠層-載帶層柔性三層結(jié)構(gòu)為對象，研究了基于卷到卷系統(tǒng)的輥筒共形剝離和卷到卷轉(zhuǎn)移工藝；然后，針對厚度可能僅為幾微米的更薄芯片，初步探索了更加先進和具有挑戰(zhàn)性的激光轉(zhuǎn)移技術(shù)；之后，對目前關(guān)于轉(zhuǎn)印技術(shù)的研究現(xiàn)狀進行了總結(jié)分析；最后，對芯片真空拾取和貼裝工藝進行了探討，建立了真空拾取與高密度貼裝的理論工藝窗口。