本書采用通俗易懂的語言、圖文并茂的形式，詳細講解了智能制造SMT設(shè)備操作與維護的相關(guān)知識，覆蓋了SMT生產(chǎn)線常用的設(shè)備，主要包括上板機、印刷機、SPI設(shè)備、雙軌平移機、貼片機、AOI設(shè)備、緩存機、回流焊、X-ray激光檢測儀、AGV機器人、傳感器、烤箱、電橋等，還對SMT生產(chǎn)線的運行管理做了介紹。本書內(nèi)容豐富實用，講解

本書為《電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書教程》（初級）配套教材，以職業(yè)技能等級標準和電子裝聯(lián)工藝、品質(zhì)管控、設(shè)備操作等崗位能力要求為依據(jù)進行編寫。本書重點圍繞裝聯(lián)準備、基板焊接、基板檢修、基板裝聯(lián)四大工作領(lǐng)域11個典型工作任務(wù)展開。全書分為理論知識考核試題和操作技能考核試題兩部分，并附有理論知識考核試題答案、理論知識考核試卷樣

本書系統(tǒng)闡述了表面組裝元器件、表面組裝材料、表面組裝工藝、表面組裝設(shè)備原理及應(yīng)用等SMT基礎(chǔ)內(nèi)容。針對SMT產(chǎn)品制造業(yè)的技術(shù)發(fā)展及崗位需求，詳細介紹了表面組裝技術(shù)的SMB設(shè)計與制造、焊錫膏印刷、點膠、貼片、波峰與再流焊接、檢驗、清洗等基本技能。為解決學校實訓條件不足和增加學生感性認識的需要，書中配置了較大數(shù)量的實物圖片

本書以作者近年來的研究成果為基礎(chǔ)，結(jié)合國際研究進展，系統(tǒng)地介紹了金剛石超寬禁帶半導體器件的物理特性和實現(xiàn)方法，重點介紹了氫終端金剛石場效應(yīng)管器件。全書共8章，內(nèi)容包括緒論、金剛石的表面終端、氫終端金剛石場效應(yīng)管的原理和優(yōu)化、金剛石微波功率器件、基于各種介質(zhì)的氫終端金剛石MOSFET、金剛石高壓二極管、石墨烯/金剛石復合

本書主要介紹近幾年發(fā)展較快的氧化鎵半導體器件。氧化鎵作為新型的超寬禁帶半導體材料，在高耐壓功率電子器件、紫外光電探測器件等方面都具有重要的應(yīng)用前景。本書共分為7章，第1~4章（氧化鎵材料部分）介紹了氧化鎵半導體材料的基本結(jié)構(gòu)，單晶生長和薄膜外延方法，電學特性，氧化鎵材料與金屬、其他半導體的接觸，氧化鎵材料的刻蝕、離子注

隨著太赫茲技術(shù)的發(fā)展，傳統(tǒng)固態(tài)器件在耐受功率等方面已經(jīng)很難提升，導致現(xiàn)有的太赫茲源輸出功率低，不能滿足太赫茲系統(tǒng)工程化的需求。寬禁帶半導體氮化鎵具有更高擊穿場強、更高熱導率和更低介電常數(shù)的優(yōu)點，在研制大功率固態(tài)源、高速調(diào)制和高靈敏探測方面具有優(yōu)勢。本書主要介紹氮化物太赫茲器件的最新進展，包括氮化鎵太赫茲二極管、三極管、

氧化鎵作為新型的寬禁帶半導體材料，在高壓功率器件、深紫外光電器件、高亮度LED等方面具有重要的應(yīng)用前景。本書從氧化鎵半導體材料的發(fā)展歷程、材料特性、材料制備原理與技術(shù)及電學性質(zhì)調(diào)控等幾個方面做了較全面的介紹，重點梳理了作者及國內(nèi)外同行在單晶制備方法、襯底加工、薄膜外延方面的研究成果；系統(tǒng)闡述了獲得高質(zhì)量體塊單晶及薄膜的

本書以第三代半導體與二維材料相結(jié)合的產(chǎn)業(yè)化應(yīng)用為目標，詳細介紹了二維材料上準范德華外延氮化物的理論計算、材料生長、器件制備和應(yīng)用，內(nèi)容集學術(shù)性與實用性于一體。全書共8章，內(nèi)容包括二維材料及準范德華外延原理及應(yīng)用、二維材料/氮化物準范德華外延界面理論計算、二維材料/氮化物準范德華外延成鍵成核、單晶襯底上氮化物薄膜準范德華

氮化鋁晶體具有寬帶隙、高熱導率、高擊穿場強等優(yōu)勢，是制備紫外發(fā)光器件和大功率電力電子器件的理想材料。本書以作者多年的研究成果為基礎(chǔ)，參考國內(nèi)外的最新研究成果，詳細介紹了氮化鋁單晶材料生長與器件制備的基本原理、技術(shù)工藝、最新進展及發(fā)展趨勢。本書共7章，內(nèi)容包括氮化鋁單晶材料的基本性質(zhì)、缺陷及其生長的物理基礎(chǔ)，物理氣相傳輸

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為10章，包括俯瞰功率半導體工藝全貌、功率半導體的基礎(chǔ)知識及運作、各種功率半導體的作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅晶圓、硅功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的SiC與GaN、功率半導體制造過程的特征、功率半導體開辟綠色