本書基于當前半導體行業(yè)制造過程中存在的問題，介紹了多種改進的批間控制和過程監(jiān)控算法及其性能。第1章為半導體制造過程概述，包括國內(nèi)外研究現(xiàn)狀和發(fā)展趨勢。第2、3章介紹批間控制、控制性能和制造過程監(jiān)控。第4～7章討論機臺干擾、故障、度量時延對系統(tǒng)性能的影響，提出多種批間控制衍生算法，包括雙產(chǎn)品制程的EWMA批間控制算法、變

集成電路制造向幾納米節(jié)點工藝的發(fā)展，需要具有原子級保真度的刻蝕技術(shù)，原子層刻蝕（ALE）技術(shù)應運而生�！栋雽�體干法刻蝕技術(shù)：原子層工藝》主要內(nèi)容有：熱刻蝕、熱各向同性ALE、自由基刻蝕、定向ALE、反應離子刻蝕、離子束刻蝕等，探討了尚未從研究轉(zhuǎn)向半導體制造的新興刻蝕技術(shù)，涵蓋了定向和各向同性ALE的全新研究和進展。《半

本書以工程應用為目標，聚焦基本概念與原理、表面組裝核心工藝、主要組裝工藝問題及最新應用問題，以圖文并茂的形式，介紹了焊接的基礎(chǔ)原理與概念、表面組裝的核心工藝與常見不良現(xiàn)象，以及組裝工藝帶來的可靠性問題。全書結(jié)合內(nèi)容需求，編入了幾十個經(jīng)典案例，這些案例非常典型，不僅有助于讀者深入理解有關(guān)工藝的概念和原理，也可作為類似不良

本書系統(tǒng)介紹了用于材料位移損傷研究的多尺度模擬方法，包括輻射與材料相互作用模擬方法、分子動力學方法、動力學蒙特卡羅方法、第一性原理方法、器件電學性能模擬方法等，模擬尺寸從原子尺度的10.10m到百納米，時間從亞皮秒量級到106s，并給出了多尺度模擬方法在硅、砷化鎵、碳化硅、氮化鎵材料位移損傷研究中的應用，揭示了典型半導

本書全面闡述了半導體刻蝕加工及金屬輔助化學刻蝕加工原理與工藝，詳細講述了硅折點納米線、超高深徑比納米線、單納米精度硅孔陣列三類典型微/納米結(jié)構(gòu)的刻蝕加工工藝，并對第三代半導體碳化硅的電場和金屬輔助化學刻蝕復合加工、第三代半導體碳化硅高深寬比微槽的紫外光場和濕法刻蝕復合加工工藝進行了詳細論述。

本書主要描述常用半導體器件的基本結(jié)構(gòu)、工作原理以及電特性。內(nèi)容包括：半導體物理基礎(chǔ)、PN結(jié)、PN結(jié)二極管應用、雙極型晶體管、結(jié)型場效應晶體管、MOSFET以及新型場效應晶體管，如FinFET、SOIFET、納米線圍柵(GAA)FET等，共計七章。與同類教材比較，本教材增加了pn結(jié)二極管應用以及新型場效應晶體管的介紹，反

《半導體先進封裝技術(shù)》作者在半導體封裝領(lǐng)域擁有40多年的研發(fā)和制造經(jīng)驗。《半導體先進封裝技術(shù)》共分為11章，重點介紹了先進封裝，系統(tǒng)級封裝，扇入型晶圓級/板級芯片尺寸封裝，扇出型晶圓級/板級封裝，2D、2.1D和2.3DIC集成，2.5DIC集成，3DIC集成和3DIC封裝，混合鍵合，芯粒異質(zhì)集成，低損耗介電材料和先進

本書比較全面地介紹了當前表面組裝技術(shù)(SMT)生產(chǎn)線及主要設(shè)備、建線工程、設(shè)備選型、基板、元器件、工藝材料等基礎(chǔ)知識和表面組裝印制電路板可制造性設(shè)計(DFM)等內(nèi)容。全書分為6章，分別是第1章緒論、第2章SMT生產(chǎn)材料準備、第3章SMT涂敷工藝技術(shù)、第4章MT貼裝工藝技術(shù)、第5章MT檢測工藝技術(shù)、第6章MT清洗工藝技術(shù)

本書介紹了紅外探測領(lǐng)域的基本概念、研究進展和發(fā)展趨勢。全書旨在為從事紅外探測器設(shè)計以及應用的科研人員，深入介紹本領(lǐng)域的專業(yè)基礎(chǔ)、分析方法、技術(shù)進展和發(fā)展趨勢，為新型紅外焦平面器件的研發(fā)提供一定的基礎(chǔ)理論指導和技術(shù)支持。

本書主要介紹了通過分析在不同絕緣層制備的有機場效應晶體管性能，得出絕緣層與半導體層表面能匹配可以提高場效應遷移率的規(guī)律。全書共4章，具體內(nèi)容包括：有機場效應晶體管簡介及發(fā)展現(xiàn)狀分析，Ph5T2單晶場效應晶體管的制備及其性能分析，表面能匹配對于不同單晶材料普適性的討論，以及利用表面能匹配為指導制備高遷移率DNTT單晶場效