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彈性半導體結構的機械變形-電場-熱場-載流子分布等物理場的耦合分析十分復雜。《彈性半導體的多場耦合理論與應用》基于連續(xù)介質(zhì)力學、連續(xù)介質(zhì)熱力學及靜電學的基本原理，建立了半導體的連續(xù)介質(zhì)物理模型。以該模型為基礎，采用材料力學及板殼力學的建模方法系統(tǒng)地研究了典型彈性半導體結構中的多場耦合問題，包括一維和二維壓電半導體結構（

擬申報中國科學技術大學一流規(guī)劃教材。本書專為高年級本科生以及研究生的教學所需設計，主要介紹半導體器件基本原理的知識內(nèi)容，反映當今半導體器件在概念和性能等方面的最新進展，可以使讀者快速地了解當今半導體物理和所有主要器件，如雙極、場效應、微波和光子器件的性能特點。

本書為1X電子裝聯(lián)職業(yè)技能等級證書（高級）考核配套題庫，以職業(yè)技能等級標準和培訓教材（高級）為依據(jù)進行編寫。題庫重點圍繞生產(chǎn)管理與準備、焊膏貼片膠涂敷、元器件貼裝、電子裝聯(lián)微焊接、自動接觸式與非接觸式檢測、返修技術、特種微焊接、故障診斷、分析與可靠性等角度進行。題庫分為知識要求試題和技能要求試題兩部分，并附有知識要求試

《碳化硅器件工藝核心技術》共9章，以碳化硅(SiC)器件工藝為核心，重點介紹了SiC材料生長、表面清洗、歐姆接觸、肖特基接觸、離子注入、干法刻蝕、電解質(zhì)制備等關鍵工藝技術，以及高功率SiC單極和雙極開關器件、SiC納米結構的制造和器件集成等，每一部分都涵蓋了上百篇相關文獻，以反映這些方面的最新成果和發(fā)展趨勢。《碳化硅器

本書不僅介紹了半導體器件中所涉及材料的刻蝕工藝，而且對每種材料的關鍵刻蝕參數(shù)、對應的等離子體源和刻蝕氣體化學物質(zhì)進行了詳細解釋。本書討論了具體器件制造流程中涉及的干法刻蝕技術，介紹了半導體廠商實際使用的刻蝕設備的類型和等離子體產(chǎn)生機理，例如電容耦合型等離子體、磁控反應離子刻蝕、電子回旋共振等離子體和電感耦合型等離子體，

本書系統(tǒng)地討論了第三代半導體材料SiC和GaN的物理特性，以及功率應用中不同類型的器件結構，同時詳細地討論了SiC和GaN功率器件的設計、制造，以及智能功率集成中的技術細節(jié)。也討論了寬禁帶半導體功率器件的柵極驅(qū)動設計，以及SiC和GaN功率器件的應用。最后對寬禁帶半導體功率器件的未來發(fā)展進行了展望。

目前以有機/聚合物和半導體量子點為代表的新型電致發(fā)光材料與器件受到了國內(nèi)外眾多企業(yè)和人士的廣泛關注。本書從新型電致發(fā)光材料與器件原理，以及關鍵材料的開發(fā)與應用技術出發(fā)，內(nèi)容涵蓋有機電致發(fā)光概念與過程、有機電致發(fā)光材料、有機電致發(fā)光器件、半導體量子點材料、半導體量子點電致發(fā)光器件、鹵素鈣鈦礦材料及其電致發(fā)光器件等。全書反

本書主要介紹了基于光學超晶格的光波長轉換技術，首先介紹了光學超晶格的基本概念以及基于光學超晶格的光波長轉換基本原理，其中包括基于不同效應的光波長轉換原理及實現(xiàn)方案、耦合波方程的龍格庫塔解法、遺傳算法在光學超晶格結構設計中的應用；然后分別講解了均勻分段結構光學超晶格、階梯分段結構光學超晶格、啁啾結構光學超晶格及其在光波長

本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導體制造工藝的各個技術環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導體的全貌、功率半導體的基本原理、各種功率半導體的原理和作用、功率半導體的用途與市場、功率半導體的分類、用于功率半導體的硅片、功率半導體制造工藝的特點、功率半導體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化