本書以SMT生產(chǎn)工藝為主線，以“理論知識(shí)+實(shí)踐項(xiàng)目”的方式組織教材內(nèi)容。 本書內(nèi)容包括SMT綜述、SMT生產(chǎn)物料、SMT生產(chǎn)工藝與設(shè)備、SMT產(chǎn)品制作4部分內(nèi)容。 本書可作為高職高專院�；蛑械嚷殬I(yè)學(xué)校電子類專業(yè)教材，也可作為SMT專業(yè)技術(shù)人員與電子產(chǎn)品設(shè)計(jì)制造工程技術(shù)人員的參考用書。

《真空鍍膜技術(shù)與設(shè)備/普通高等教育“十二五”規(guī)劃教材》系統(tǒng)闡述了各種真空鍍膜技術(shù)的基本概念、工作原理和應(yīng)用，真空鍍膜機(jī)結(jié)構(gòu)及蒸發(fā)源，磁控靶的設(shè)計(jì)計(jì)算，薄膜厚度的測(cè)量技術(shù)，薄膜與表面分析和檢測(cè)技術(shù)；重點(diǎn)介紹了近年來(lái)出現(xiàn)的一些鍍膜新方法與技術(shù)，以及真空鍍膜機(jī)設(shè)計(jì)計(jì)算等方面的內(nèi)容。

為了滿足半導(dǎo)體工藝和器件及其相關(guān)領(lǐng)域人員對(duì)計(jì)算機(jī)仿真知識(shí)的需求，幫助其掌握當(dāng)前先進(jìn)的計(jì)算機(jī)仿真工具，特編寫本書。唐龍谷編著的《半導(dǎo)體工藝和器件仿真軟件SilvacoTCAD實(shí)用教程(附光盤)》以SilvacoTCAD2012為背景，由淺入深、循序漸進(jìn)地介紹了SilvacoTCAD器件仿真基本概念、Deckbuild集成

本手冊(cè)內(nèi)容包括：四面體鍵元素及其化合物特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；族元素特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；各族元素的二元化合物特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；各族元素的三元化合物特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；硼、過(guò)渡金屬和稀土化合物半導(dǎo)體特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)；以及相關(guān)材料的晶體結(jié)構(gòu)、電學(xué)特性、晶格屬性、傳輸特性、光學(xué)特性、雜質(zhì)和缺陷等內(nèi)容。

《半導(dǎo)體物理性能手冊(cè)》是SpringerHandbookonPhysicalPropertiesofSemiconductors的影印版。

本書介紹了現(xiàn)代半導(dǎo)體器件的物理原理和其先進(jìn)的制造工藝技術(shù)，主要內(nèi)容包括：能帶和熱平衡載流子濃度、載流子輸運(yùn)現(xiàn)象等。

《Springer手冊(cè)精選原版系列：半導(dǎo)體數(shù)據(jù)手冊(cè)（上冊(cè)第2冊(cè)）》是包含了幾乎所有的半導(dǎo)體材料實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)的參考書，適用對(duì)象包括材料、微電子學(xué)、電子科學(xué)與技術(shù)等專業(yè)的本科生和研究生，以及從事半導(dǎo)體研究的專業(yè)人員。本手冊(cè)內(nèi)容包括：四面體鍵元素及其化合物特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)（B）；III、V、VI族元素特性的實(shí)驗(yàn)數(shù)據(jù)（C）；各族元素

《真空鍍膜原理與技術(shù)》闡述了真空鍍膜的應(yīng)用，真空鍍膜過(guò)程中薄膜在基體表面生長(zhǎng)過(guò)程；探討了薄膜生長(zhǎng)的影響因素；具體地介紹了真空鍍膜的各種方法，包括真空蒸發(fā)鍍、真空濺射鍍、真空離子鍍以及化學(xué)氣相沉積的原理、特點(diǎn)、裝置及應(yīng)用技術(shù)等。力求避開煩瑣的數(shù)學(xué)公式，盡量用簡(jiǎn)單的語(yǔ)言闡述物理過(guò)程。通俗易懂、簡(jiǎn)單易學(xué)。

《硅加工中的表征》是材料表征原版系列叢書之一。全書共分六章，內(nèi)容包括：材料表征技術(shù)在硅外延生長(zhǎng)中的應(yīng)用；多晶硅導(dǎo)體；硅化物；鋁和銅基導(dǎo)線；級(jí)鎢基導(dǎo)體；阻隔性薄膜。本書適合作為相關(guān)領(lǐng)域的教學(xué)、研究、技術(shù)人員以及研究生和高年級(jí)本科生的參考書。

《化合物半導(dǎo)體加工中的表征(英文)》的主要內(nèi)容包括：PrefacetotheReissueoftheMaterialsCharacterizationSeriesix；PrefacetoSeriesx；PrefacetotheReissueofCharacterizationofCompoundSemiconducto