本書(shū)首先簡(jiǎn)要介紹低維異質(zhì)半導(dǎo)體材料及其物理性質(zhì)，概述刻蝕和分子束外延生長(zhǎng)兩種基本的低維半導(dǎo)體材料制備方法，簡(jiǎn)要說(shuō)明了分子束外延技術(shù)設(shè)備的工作原理和低維異質(zhì)結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)過(guò)程及其工藝發(fā)展。接著分別從熱力學(xué)和動(dòng)力學(xué)的角度詳細(xì)闡述了硅鍺低維結(jié)構(gòu)的外延生長(zhǎng)機(jī)理及其相關(guān)理論，重點(diǎn)討論了圖形襯底上的硅鍺低維結(jié)構(gòu)可控生長(zhǎng)理論和硅鍺低

本書(shū)全面系統(tǒng)地介紹了半導(dǎo)體薄膜的各種制備技術(shù)及其相關(guān)的物理基礎(chǔ)，全書(shū)共分十一章。第一章概述了真空技術(shù)，第二至第八章分別介紹了蒸鍍、濺射、化學(xué)氣相沉積、脈沖激光沉積、分子束外延、液相外延、濕化學(xué)合成等各種半導(dǎo)體薄膜的沉積技術(shù)，第九章介紹了半導(dǎo)體超晶格、量子阱的基本概念和理論，第十章介紹了典型薄膜半導(dǎo)體器件的制備技術(shù)，第十

表面組裝技術(shù)（SMT）是指把表面組裝元器件按照電路的要求放置在預(yù)先涂敷好焊膏的PCB的表面上，通過(guò)焊接形成可靠的焊點(diǎn)，建立長(zhǎng)期的機(jī)械和電氣連接的組裝技術(shù)。本書(shū)以表面組裝技術(shù)（SMT）生產(chǎn)過(guò)程為主線(xiàn)，詳細(xì)介紹了電子產(chǎn)品的表面組裝技術(shù)，主要內(nèi)容包括表面組裝技術(shù)概述、表面組裝材料、表面涂敷、貼片、焊接、清洗、檢測(cè)與返修等，其

本書(shū)介紹了硅材料的結(jié)構(gòu)與性能、分類(lèi)及應(yīng)用、主要制備技術(shù)及工藝，重點(diǎn)對(duì)太陽(yáng)能電池、探測(cè)器等硅基光電子器件的結(jié)構(gòu)與原理做了闡述，在此基礎(chǔ)上分析了新型廣譜硅材料的特點(diǎn)、結(jié)構(gòu)、光電性能、研究現(xiàn)狀及其在光電子器件方面的應(yīng)用。本書(shū)中作者圍繞硫族元素超飽和摻雜硅材料的制備、結(jié)構(gòu)、特性、超飽和硫摻雜硅探測(cè)器與太陽(yáng)能電池的研制及性能等方

GaN基寬禁帶半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)具有很高的應(yīng)用價(jià)值，是發(fā)展高頻、高功率電子器件*優(yōu)選的半導(dǎo)體材料。本書(shū)基于國(guó)內(nèi)外GaN基電子材料和器件的發(fā)展現(xiàn)狀和趨勢(shì)，從晶體結(jié)構(gòu)、能帶結(jié)構(gòu)、襯底材料、外延生長(zhǎng)、射頻電子器件和功率電子器件研制等方面詳細(xì)論述了GaN基半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)和二維電子氣的物理性質(zhì)、國(guó)內(nèi)外發(fā)展動(dòng)態(tài)、面臨的關(guān)鍵科學(xué)技術(shù)問(wèn)題

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿(mǎn)足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)是支撐光刻機(jī)整機(jī)與分系統(tǒng)滿(mǎn)足光刻機(jī)分辨率、套刻精度等性能指標(biāo)要求的關(guān)鍵技術(shù)。本書(shū)系統(tǒng)地介紹了光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)。介紹了國(guó)際主流的光刻機(jī)像質(zhì)檢測(cè)技術(shù)，詳細(xì)介紹了本團(tuán)隊(duì)提出的系列新技術(shù)，涵蓋了光刻膠曝光法、空間像測(cè)量法、干涉測(cè)量法等檢測(cè)技術(shù)，包括初級(jí)像質(zhì)參數(shù)、波像差、偏振像差、動(dòng)態(tài)像差、熱像差等像質(zhì)檢測(cè)技

本書(shū)共7章，主要介紹了改性鍺半導(dǎo)體物理的相關(guān)內(nèi)容，包括Ge帶隙類(lèi)型轉(zhuǎn)變理論、改性鍺半導(dǎo)體能帶與遷移率理論、改性鍺能帶調(diào)制理論、改性鍺半導(dǎo)體光學(xué)特性理論以及改性鍺MOS反型層能帶與遷移率理論等。通過(guò)本書(shū)的學(xué)習(xí)，可為讀者以后學(xué)習(xí)改性鍺器件物理奠定重要的理論基礎(chǔ)。本書(shū)可作為高等院校微電子學(xué)與固體電子學(xué)專(zhuān)業(yè)研究生的參考書(shū)，也可

本書(shū)研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過(guò)濾、磁阻與巨磁阻、電子自旋過(guò)濾等重要量子效應(yīng)，包括量子調(diào)控及其可能電子器件應(yīng)用。全書(shū)由四章組成。第一章緒論，簡(jiǎn)單介紹MCSH結(jié)構(gòu)，以及研究MCSH結(jié)構(gòu)中電子輸運(yùn)的改進(jìn)轉(zhuǎn)移矩陣方法和Landauer-Büttiker微結(jié)構(gòu)電導(dǎo)理論。第二章關(guān)于MCSH結(jié)構(gòu)中電子波矢過(guò)濾效應(yīng)、調(diào)控及其在電子動(dòng)

本書(shū)重點(diǎn)介紹全球功率半導(dǎo)體行業(yè)發(fā)展潮流中的寬禁帶功率半導(dǎo)體封裝的基本原理和器件可靠性評(píng)價(jià)技術(shù)。書(shū)中以封裝為核心，由熟悉各個(gè)領(lǐng)域前沿的專(zhuān)家詳細(xì)解釋當(dāng)前的狀況和問(wèn)題。主要章節(jié)為寬禁帶功率半導(dǎo)體的現(xiàn)狀和封裝、模塊結(jié)構(gòu)和可靠性問(wèn)題、引線(xiàn)鍵合技術(shù)、芯片貼裝技術(shù)、模塑樹(shù)脂技術(shù)、絕緣基板技術(shù)、冷卻散熱技術(shù)、可靠性評(píng)估和檢查技術(shù)等。盡