本書主要依據(jù)作者研究團(tuán)隊(duì)及國(guó)內(nèi)外金屬有機(jī)框架材料（MOFS）與半導(dǎo)體復(fù)合材料的研究進(jìn)展，系統(tǒng)介紹了不同種類的MOFS半導(dǎo)體異質(zhì)結(jié)構(gòu)制備方法，表征手段，電荷傳遞路徑，在不同污染環(huán)境中的催化應(yīng)用以及光催化性能機(jī)理解釋。最后，闡述了此類異質(zhì)結(jié)構(gòu)在工業(yè)應(yīng)用中的未來(lái)方向和發(fā)展前景。 本書可供從事金屬有機(jī)框架材料及其光電

本書就電子裝聯(lián)所用焊料、助焊劑、線材、絕緣材料的特性及使用和選型，針對(duì)工藝技術(shù)的特點(diǎn)和要求做了較為詳細(xì)的介紹。尤其對(duì)常常困擾電路設(shè)計(jì)和工藝人員的射頻同軸電纜導(dǎo)線的使用問(wèn)題進(jìn)行了全面的分析。對(duì)于手工焊接的可靠性問(wèn)題、整機(jī)接地與布線處理的電磁兼容性問(wèn)題、工藝文件的編制、電子裝聯(lián)檢驗(yàn)的理念和操作等內(nèi)容，本書不僅在理論上，還在

以日本碳化硅學(xué)術(shù)界元老京都大學(xué)名譽(yù)教授松波弘之、關(guān)西學(xué)院大學(xué)知名教授大谷昇、京都大學(xué)實(shí)力派教授木本恒暢和企業(yè)實(shí)力代表羅姆株式會(huì)社的中村孝先生為各技術(shù)領(lǐng)域的牽頭，集日本半導(dǎo)體全產(chǎn)業(yè)鏈的產(chǎn)學(xué)研各界中的骨干代表，在各自的研究領(lǐng)域結(jié)合各自多年的實(shí)際經(jīng)驗(yàn)，撰寫了這本囊括碳化硅全產(chǎn)業(yè)鏈的技術(shù)焦點(diǎn)，以技術(shù)為主導(dǎo)、以應(yīng)用為目的的實(shí)用型

近年來(lái).以氮化鎵(GaN)和碳化硅(SiC)等寬禁帶半導(dǎo)體化合物為代表的第三代半導(dǎo)體材料引發(fā)全球矚目.第三代半導(dǎo)體廣泛應(yīng)用于新一代移動(dòng)通信、新能源汽車、物聯(lián)網(wǎng)和國(guó)防電子等產(chǎn)業(yè).已成為國(guó)際半導(dǎo)體領(lǐng)域的重點(diǎn)研究方向.本書主要介紹垂直型GaN和SiC功率器件的材料、工藝、特性和可靠性等相關(guān)技術(shù).內(nèi)容涵蓋垂直型和橫向功率半導(dǎo)體

傳統(tǒng)軟釬料合金在微電子工業(yè)中已得到了廣泛的應(yīng)用,然而軟釬料合金已經(jīng)不能滿足第三代寬禁帶半導(dǎo)體(碳化硅和氮化鎵)器件的高溫應(yīng)用需求。新型銀燒結(jié)/銅燒結(jié)技術(shù)和瞬態(tài)液相鍵合技術(shù)是實(shí)現(xiàn)高溫器件可靠連接的關(guān)鍵技術(shù),該技術(shù)對(duì)新能源電動(dòng)汽車、軌道交通、光伏、風(fēng)電以及國(guó)防等領(lǐng)域具有重要意義。本書較為全面地介紹了當(dāng)前用于高溫環(huán)境下的芯片

本書以簡(jiǎn)潔明了的結(jié)構(gòu)向讀者展現(xiàn)了半導(dǎo)體制造工藝中使用的設(shè)備基礎(chǔ)和構(gòu)造。全書涵蓋了半導(dǎo)體制造設(shè)備的現(xiàn)狀以及展望，同時(shí)對(duì)清洗和干燥設(shè)備、離子注入設(shè)備、熱處理設(shè)備、光刻設(shè)備、蝕刻設(shè)備、成膜設(shè)備、平坦化設(shè)備、監(jiān)測(cè)和分析設(shè)備、后段制程設(shè)備等逐章進(jìn)行解說(shuō)。雖然包含了很多生澀的詞匯，但難能可貴的是全書提供了豐富的圖片和表格，幫助讀者

本書面向世界科技前沿和國(guó)家重大需求，針對(duì)高效率Ⅲ族氮化物L(fēng)ED芯片設(shè)計(jì)和制造的關(guān)鍵問(wèn)題，基于作者在III族氮化物L(fēng)ED外延生長(zhǎng)和芯片制造領(lǐng)域十余年的研究基礎(chǔ)和產(chǎn)業(yè)化經(jīng)驗(yàn)，融入國(guó)內(nèi)外同行在這一領(lǐng)域的研究成果，從藍(lán)光/綠光/紫外LED外延結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)與材料生長(zhǎng)、水平結(jié)構(gòu)/倒裝結(jié)構(gòu)/垂直結(jié)構(gòu)/高壓LED芯片設(shè)計(jì)與制造工藝、LED

主要內(nèi)容共6章，包括：緒論、壓接型IGBT器件失效模擬與可靠性評(píng)估、金屬化膜電容器失效模擬與可靠性評(píng)估、采用關(guān)鍵部件故障率模型的換流閥可靠性評(píng)估模型、采用關(guān)鍵部件物理場(chǎng)失效模擬的換流閥可靠性評(píng)估模型、換流閥可靠性評(píng)估軟件。全書以壓接型IGBT器件、金屬化膜電容器等柔直換流閥核心部件可靠性分析為基礎(chǔ)，系統(tǒng)闡述了柔性直流換

本書力求深入淺出、淺顯易懂。面向的對(duì)象既包含具有一定半導(dǎo)體知識(shí)的讀者，也包含與半導(dǎo)體商務(wù)相關(guān)的人士、準(zhǔn)備涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域的人士、感興趣的職場(chǎng)人士、學(xué)生等。書中包含了專業(yè)性的描述，但大多數(shù)內(nèi)容都盡量寫得通俗易懂。有些地方如果不能馬上理解，積累經(jīng)驗(yàn)后再讀就容易理解了。此外，對(duì)于有一定經(jīng)驗(yàn)的讀者，通過(guò)整理自己的知識(shí)，嘗試去理解

本書重點(diǎn)討論了與氮化鎵（GaN）器件相關(guān)的內(nèi)容，共分15章，每一章都圍繞不同的主題進(jìn)行論述，涵蓋GaN材料、與CMOS工藝兼容的GaN工藝、不同的GaN器件設(shè)計(jì)、GaN器件的建模、GaN器件的可靠性表征以及GaN器件的應(yīng)用。本書的特點(diǎn)是每一章都由全球不同的從事GaN研究機(jī)構(gòu)的專家撰寫，引用了大量的代表新成果的文獻(xiàn)，適合