以碳化硅、氮化鎵為代表的第三代寬禁帶功率半導體器件具有導通電阻低、擊穿電壓高、開關速度快及熱傳導性好等優(yōu)點，相比傳統(tǒng)的Si基功率器件，可簡化功率電子系統(tǒng)拓撲結構，減小系統(tǒng)損耗和體積，因而對功率電子系統(tǒng)的發(fā)展至關重要。然而，由于寬禁帶器件的外延材料和制備工藝仍不完善，器件界面缺陷密度大等問題，使得寬禁帶功率器件在高溫、高

"本書基于作者團隊多年的光刻工藝（包括先進光刻工藝）研發(fā)經驗，從集成電路工廠的基本結構、半導體芯片制造中常用的控制系統(tǒng)、圖表等基本內容出發(fā)，依次介紹光刻基礎知識，一個6晶體管靜態(tài)隨機存儲器的電路結構與3個關鍵技術節(jié)點中SRAM制造的基本工藝流程，光刻機的發(fā)展歷史、光刻工藝8步流程、光刻膠以及掩模版類型，光刻工藝標準化與

本書是作者從事電子制造40年來有關單板互連可靠性方面的經驗總結,討論了單板常見的失效模式、典型失效場景以及如何設計與制造高可靠性產品的廣泛問題，并通過大量篇幅重點討論了焊點的斷裂失效現象及裂紋特征。全書內容共4個部分，第一部分為焊點失效機理與裂紋特征，詳細介紹焊點的失效模式、失效機理、裂紋特征及失效分析方法;第二部分為

隨著先進的集成電路工藝節(jié)點不斷向納米級推進，對半導體納米器件的研究就顯得越發(fā)重要。本書詳細介紹了半導體納米器件的物理學原理、結構、制造工藝及應用等內容。開篇介紹了這一研究領域在過去幾十年的發(fā)展；前半部分重點介紹電子納米器件，包括準一維電子氣、強電子相關的測量、量子點的熱電特性、單電子源、量子電流標準、電子量子光學、噪聲

本書詳細介紹了半導體芯片制造中的核心技術——光刻技術。主要內容包括驅動光學光刻的基本方程和參數的相關知識、曝光系統(tǒng)和成像基礎理論、光刻系統(tǒng)組件、工藝和優(yōu)化技術等；深入分析了光刻技術的發(fā)展前景，詳述了浸沒式光刻與極紫外（EUV）光刻。本書（第二版）特別融合了作者在研究、教學以及世界級大批量制造方面的獨特經驗，增加了關于接

本書對半導體存儲器技術進行了全面綜合的介紹，覆蓋了從底層的器件及單元結構到頂層的陣列設計，且重點介紹了近些年的工藝節(jié)點縮小趨勢和最前沿的技術。本書第1部分討論了主流的半導體存儲器技術，第2部分討論了多種新型的存儲器技術，這些技術都有潛力能夠改變現有的存儲層級，同時也介紹了存儲器技術在機器學習或深度學習中的新型應用。

本書是由高校光電專業(yè)負責人與光電龍頭企業(yè)的高級工程師、掌握世界最新光電前沿技術的海歸博士組成的編寫團隊編寫而成，具有前沿技術與基礎理論并重、理論聯系實際、圖文并茂、通俗易懂的特色，特別適合于產業(yè)工程師專業(yè)研究和高校師生學習使用。全書內容體系完整，共包含7章：第1章，散熱基礎理論；第2章，LED散熱分析模型；第3章，LE

在半導體芯片被廣泛關注的當下，本書旨在為廣大讀者提供一本通俗易懂和全面了解半導體芯片原理、設計、制造工藝的學習參考書�！稑O簡圖解半導體技術基本原理（原書第3版）》以圖解的形式，簡單明了地介紹了什么是半導體以及半導體的物理特性，什么是IC、ISI以及其類型、工作原理和應用領域。在此基礎上詳細介紹了ISI的開發(fā)與設計、IS

本書聚焦硅基集成電路主要器件，即PN結、雙極型晶體管和場效應晶體管的基本結構、關鍵參數、直流特性、頻率特性、開關特性，側重對基本原理的討論，借助圖表對各種效應進行圖形化直觀展示，并詳細推導了各種公式。此外，還對小尺寸場效應晶體管的典型短溝道效應及其實際業(yè)界對策進行了較為詳細的闡述。本書適合集成電路或微電子相關專業(yè)本科生

《半導體結構》主要內容總體可被劃分為兩個部分，分別是晶體的結構理論和晶體的缺陷理論。第一部分主要圍繞理想晶體（完美晶體）的主要性質與基本概念撰寫，加深讀者對晶體結構和關鍵性質的理解。第一部分擬通過五個章節(jié)分別介紹晶體的基本概念、晶體結構、對稱性、晶體結構描述方法及典型半導體晶體的重要物理、化學特性和這些特性與晶體微觀、