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本書以圖解的方式深入淺出地講述了功率半導(dǎo)體制造工藝的各個技術(shù)環(huán)節(jié)。全書共分為11章，分別是：功率半導(dǎo)體的全貌、功率半導(dǎo)體的基本原理、各種功率半導(dǎo)體的原理和作用、功率半導(dǎo)體的用途與市場、功率半導(dǎo)體的分類、用于功率半導(dǎo)體的硅片、功率半導(dǎo)體制造工藝的特點、功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹、硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展、挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化鎵、功率半導(dǎo)體開拓的碳減排時代。
本書適合與半導(dǎo)體業(yè)務(wù)相關(guān)的人士、準(zhǔn)備涉足半導(dǎo)體領(lǐng)域的人士、對功率半導(dǎo)體感興趣的職場人士和學(xué)生閱讀。

2011年，筆者的《圖解入門功率半導(dǎo)體基礎(chǔ)與工藝精講》出版，2018年筆者對一些內(nèi)容進(jìn)行了更新，
繼而推出了第2版。在此，筆者要向從初版至今的所有讀者致以感謝！
相對于第2版，本版主要做了以下兩點變化：第一，為了方便讀者理解，對第1~3章的內(nèi)容進(jìn)行了修改。特
別突出了這是一本以功率半導(dǎo)體為切入點的半導(dǎo)體科普書，努力讓讀者了解功率半導(dǎo)體與大規(guī)模集成電路
的異同。第二，筆者根據(jù)自己多年來對行業(yè)的理解，結(jié)合功率半導(dǎo)體主要生產(chǎn)企業(yè)的情況，把半導(dǎo)體產(chǎn)業(yè)
的發(fā)展動向為讀者做一個介紹。
本書面向的讀者群體，依然是對功率半導(dǎo)體感興趣的業(yè)界人士和學(xué)生，需要對半導(dǎo)體相關(guān)基礎(chǔ)知識有一定
程度的了解。當(dāng)然，對于那些有志于進(jìn)入這一行業(yè)、走上職業(yè)道路的非專業(yè)人士，也非常歡迎您閱讀本書。
為此，筆者寫作時盡量追求內(nèi)容通俗易懂，眼界開闊�？紤]到讀者可能會提出的各種具體問題，筆者從什么
是功率半導(dǎo)體、其發(fā)展歷史、工作原理、應(yīng)用、材料、工藝、生產(chǎn)企業(yè)等方面來全面闡述。同時，考慮到可
能也有文科背景的人士閱讀本書，筆者已經(jīng)盡力照顧到專業(yè)上的差距，但材料、器件等原理性的說明，還是
不可避免地需要使用理科的術(shù)語和表達(dá)方式。筆者認(rèn)為，這本書的目的在于帶領(lǐng)讀者俯瞰功率半導(dǎo)體領(lǐng)域的
全貌，所以讀者朋友如果遇到一些過于專業(yè)、難以理解的地方，先跳過也是可以的。
本書是集成電路科學(xué)與技術(shù)叢書的其中一本，筆者寫作時主要注意到了以下幾點：
 對于復(fù)雜難懂的專業(yè)內(nèi)容，全部采用容易理解的圖表來解釋；
 為了盡量真實地進(jìn)行還原，許多內(nèi)容描寫了半導(dǎo)體器件生產(chǎn)車間里的實際狀況；
 對一些事物的歷史沿革做了簡單回顧，從而幫助讀者對一些現(xiàn)狀更加容易理解。
如果廣大讀者能從本書中受益，那么筆者寫作此書的目的就達(dá)到了。
筆者常年從事半導(dǎo)體相關(guān)工作，期間得到了許多寶貴的指導(dǎo)和建議，正是各方的助力成就了這本書。最后列出了參考文獻(xiàn)，但想必仍有疏漏，在此深表歉意。借此，對社會各界在成書過程中給予的支持表示衷心致謝，謹(jǐn)以此書作為對半導(dǎo)體行業(yè)的報答和回饋。

前言
詞語表述和閱讀方法說明
第1章功率半導(dǎo)體的全貌/
1-1功率半導(dǎo)體到底是什么/
1-2把功率半導(dǎo)體比作人的身體/
1-3身邊的功率半導(dǎo)體/
1-4電子信息產(chǎn)業(yè)中功率半導(dǎo)體的定位/
1-5半導(dǎo)體器件中的功率半導(dǎo)體/
1-6晶體管構(gòu)造的差異/
第2章功率半導(dǎo)體的基本原理/
2-1半導(dǎo)體的基本原理/
2-2關(guān)于PN結(jié)/
2-3晶體管的基本原理/
2-4雙極型晶體管的基本原理/
2-5MOS晶體管的基本原理/
2-6功率半導(dǎo)體的歷史回顧/
2-7功率型MOSFET的登場/
專欄：單面與雙面/
2-8雙極型晶體管與MOSFET的結(jié)合IGBT的登場/
2-9信號轉(zhuǎn)換/
第3章各種功率半導(dǎo)體的原理和作用/
3-1單向?qū)ǖ亩䴓O管/
3-2大電流雙極型晶體管/
3-3雙向晶閘管/
3-4具有高速開關(guān)特性的功率型MOSFET/
3-5環(huán)保時代的IGBT/
3-6功率半導(dǎo)體課題的探索/
第4章功率半導(dǎo)體的用途與市場/
4-1功率半導(dǎo)體的市場規(guī)模/
4-2電力基礎(chǔ)設(shè)施與功率半導(dǎo)體/
4-3交通工具與功率半導(dǎo)體/
4-4汽車與功率半導(dǎo)體/
4-5辦公與功率半導(dǎo)體/
4-6家用電器與功率半導(dǎo)體/
第5章功率半導(dǎo)體的分類/
5-1按用途分類/
5-2按材料分類/
5-3按構(gòu)造、原理分類/
5-4從額定參數(shù)看功率半導(dǎo)體/
第6章用于功率半導(dǎo)體的硅片/
6-1硅片是什么/
6-2硅片的制造方法與差異/
6-3FZ硅晶體的特點/
6-4FZ硅片為何重要/
6-5硅材料的局限/
第7章功率半導(dǎo)體制造工藝的特點/
7-1功率半導(dǎo)體與集成電路的區(qū)別/
7-2器件構(gòu)造的研究/
7-3外延生長法的廣泛應(yīng)用/
7-4正反面曝光工藝/
專欄：關(guān)于校準(zhǔn)器的回憶/
7-5反面雜質(zhì)激活/
7-6晶圓減薄工藝/
7-7后段工藝與前段工藝的差異/
7-8切割工藝的小差異/
7-9芯片鍵合工藝的特點/
7-10引線鍵合使用更寬的引線/
7-11封裝材料的不同/
第8章功率半導(dǎo)體生產(chǎn)企業(yè)介紹/
8-1摩爾定律路線圖走到盡頭/
專欄：路線圖就是領(lǐng)跑者/
8-2氣勢高漲的日之丸功率半導(dǎo)體/
8-3保持垂直統(tǒng)合模式的綜合性電氣企業(yè)/
8-4專業(yè)企業(yè)如何生存/
8-5歐洲生產(chǎn)企業(yè)是垂直統(tǒng)合模式嗎/
專欄：以創(chuàng)始人名字命名的公司/
8-6美國企業(yè)的動向/
第9章硅基功率半導(dǎo)體的發(fā)展/
9-1功率半導(dǎo)體的時代/
9-2IGBT所要求的性能/
9-3穿通與非穿通型IGBT/
9-4場截止型IGBT的登場/
9-5IGBT的發(fā)展趨勢探索/
9-6功率半導(dǎo)體在智能功率模塊（IPM）中的進(jìn)展/
9-7冷卻與功率半導(dǎo)體/
第10章挑戰(zhàn)硅極限的碳化硅與氮化鎵/
10-18英寸碳化硅晶圓的出現(xiàn)/
10-2碳化硅晶圓的制造方法/
10-3碳化硅的優(yōu)點與研究課題有哪些/
10-4實用性不斷提升的碳化硅晶片/
10-5氮化鎵晶圓的難題異質(zhì)外延/
10-6氮化鎵的優(yōu)點與挑戰(zhàn)/
10-7氮化鎵常閉型器件的挑戰(zhàn)/
10-8晶圓生產(chǎn)企業(yè)的動向/
專欄：時代總是在循環(huán)/
第11章功率半導(dǎo)體開拓的碳減排時代/
11-1碳減排時代與功率半導(dǎo)體/
11-2對可再生能源而言不可或缺的功率半導(dǎo)體/
11-3智能電網(wǎng)與功率半導(dǎo)體/
11-4電動汽車（EV）與功率半導(dǎo)體/
11-5 21世紀(jì)交通基礎(chǔ)設(shè)施與功率半導(dǎo)體/
11-6跨領(lǐng)域的功率半導(dǎo)體技術(shù)令人期待/
專欄：基礎(chǔ)材料和核心器件/
參考文獻(xiàn)/

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