本書系統(tǒng)介紹宇航MOSFET器件的單粒子效應(yīng)機理和加固技術(shù)。全書共6章，主要內(nèi)容包括空間輻射環(huán)境與基本輻射效應(yīng)、宇航MOSFET器件的空間輻射效應(yīng)及損傷模型、宇航MOSFET器件抗單粒子輻射加固技術(shù)、宇航MOSFET器件測試技術(shù)與輻照試驗，并以一款宇航VDMOS器件為實例，詳述了抗單粒子加固樣品的結(jié)構(gòu)設(shè)計和制造工藝細節(jié)，最后介紹宇航MOSFET器件的應(yīng)用及發(fā)展趨勢。