第1章 7
芯片裝架 7
1.1磨片 7
1.1.1 磨片操作 7
1.1.2 磨片檢查 7
1.2芯片裝架 8
1.2.1 裝架前處理 8
1.2.2裝架材料力學(xué)、熱學(xué)、電學(xué)、光學(xué)等方面的知識 8
1.3 粘接/釬焊/共晶焊 10
1.3.1操作 10
第2章 12
分立器件和集成電路鍵合 12
2.1概述 12
2.2 引線鍵合 13
2.2.1引線鍵合的主要材料 13
2.2.2 引線鍵合方式 16
2.2.3 焊接因素對焊接可靠性的影響 18
2.2.4 鍵合機(jī)的工作原理 18
2.2.5芯片鍵合后檢測 19
2.2.6 引線鍵合的穩(wěn)定性 21
第3章 23
內(nèi)部目檢 23
3.1準(zhǔn)備 23
3.1.1機(jī)械制圖知識與電氣控制知識 23
3.1.2圖形成像知識 36
3.1.3 內(nèi)部目檢檢驗文件編寫方法 38
3.1.4器件外殼制造工藝技術(shù) 39
3.1.5內(nèi)部目檢方法、 要求、 標(biāo)準(zhǔn)動態(tài) 44
3.2操作 45
3.2.1半導(dǎo)體分立器件試驗方法有關(guān)內(nèi)部目檢的要求 45
3.2.2半導(dǎo)體分立器件工藝原理 45
3.2.3 新型分立器件制造技術(shù)和新材料、新工藝的控制知識 48
1.倒裝芯片技術(shù)(FC技術(shù)） 48
第4章 56
封帽 56
4.1準(zhǔn)備 56
4.1.1封帽設(shè)備工作程序編寫管理規(guī)定 56
4.1.2封帽設(shè)備狀態(tài)確認(rèn)方法 56
4.1.3設(shè)備極限條件下使用的控制要求 57
4.1.4封帽工藝風(fēng)險控制要求 57
4.1.5封帽作業(yè)指導(dǎo)書的編寫方法 57
4.2操作 58
4.2.1新設(shè)備工藝驗證與驗收方法 58
4.2.2封帽工藝條件優(yōu)化要求 59
4.2.3不同封帽工藝技術(shù)應(yīng)用范圍 59
4.2.4晶體管原理與設(shè)計制造技術(shù) 59
第5章 65
封帽后處理 65
5.1封帽后檢查 65
5.1.1質(zhì)量問題信息反饋的規(guī)定 65
5.1.2批次性質(zhì)量問題的處理方法 65
5.1.3 發(fā)現(xiàn)、分析、解決問題的方法 65
5.1.4 系統(tǒng)偏差分析方法 66
5.2操作 66
5.2.1半導(dǎo)體分立器件封裝工藝原理 67
5.2.2半導(dǎo)體分立器件可靠性分析基礎(chǔ) 71
5.3試驗 74
5.3.1 可靠性試驗方法 74
5.3.2 可靠性試驗 77
5.3.3環(huán)境試驗 81
第6章 常用元器件檢驗 82
6.1電阻器檢驗 82
6.2電容器 82
6.3貼片電感，插件電感，和色環(huán)電感的檢測 83
6.4磁珠/磁環(huán)檢驗 83
6.5 二、三極管檢驗 83
6.6 集成電路 84
第7章 87
微電子器件基礎(chǔ)工藝 87
7.1 摻雜技術(shù) 87
7.1.1 熱擴(kuò)散摻雜工藝 88
7.1.2 離子注入摻雜技術(shù) 90
7.1.3 熱擴(kuò)散與離子注入比較 91
7.2 薄膜沉積技術(shù) 93
7.2.1概述 93
7.2.2低壓化學(xué)氣相淀積（LPCVD） 95
7.2.3 等離子體增強(qiáng)型化學(xué)氣相淀積（PECVD） 95
7.2.4 物理氣相淀積 96
7.3圖形轉(zhuǎn)移技術(shù) 97
7.3.1 光刻技術(shù) 97
7.3.2 刻蝕技術(shù) 107
7.4單項技術(shù) 110
7.4.1 薄膜工藝技術(shù) 110
7.4.2熱處理工藝及氧化工藝 111
7.4.3 氧化工藝 111
第8章 113
厚膜混合集成電路制造工藝 113
8.1 厚膜混合集成電路概述 113
8.1.1 厚膜混合集成電路的工藝流程 113
8.1.2 厚膜的成膜工藝 113
8.2 厚膜材料 116
8.3 常用厚膜漿料 119
8.3.1 導(dǎo)體漿料 119
8.3.2 厚膜電阻漿料 120
8.3.3厚膜用介質(zhì)材料 122
8.4厚膜絲網(wǎng)印刷 122
8.4.1 絲網(wǎng)印刷工藝 123
8.4.2 絲網(wǎng)介紹 125
8.4.3絲網(wǎng)印刷機(jī) 126
8.5 厚膜電阻 128
第9章 132
電鍍技術(shù) 132
9.1 電子技術(shù)在微電子技術(shù)中的應(yīng)用 132
9.2 鍍層厚度的測定 133
9.2.1無損法 133
9.2.2 破壞法 136
9.2.3 測厚方法的選擇 138
9.3影響鍍層組織及分布的因素 140
9.3.1鍍液組成的影響 140
9.3.2 工藝條件的影響 143
9.4 化學(xué)鍍 146
9.4 .1 化學(xué)鍍基礎(chǔ)知識 147
9.4.2 化學(xué)鍍與電鍍區(qū)別 147
9.5鍍層質(zhì)量的分析與檢測技術(shù)方法 149
9.5.1鍍層外觀 149
9.5.2 鍍層厚度 150
9.5.3 鍍層結(jié)合力 151
9.5.4 鍍層耐蝕性 151
9.5.5 鍍層孔隙率 153
9.5.6 鍍層硬度 154
9.5.7 鍍層耐磨性 154
9.5.8 鍍層釬焊性 155
9.6 赫爾槽試驗 156
第10章貼裝元器件工藝質(zhì)量控制
10.1 貼裝工藝質(zhì)量控制基礎(chǔ)知識
1.質(zhì)量控制相關(guān)概念解釋
2.批準(zhǔn)程序
3.關(guān)鍵特殊過程的控制
10.2 元器件貼裝工藝質(zhì)量檢驗規(guī)范
10.2.1主題內(nèi)容與適用范圍
1.主題內(nèi)容
2.適用范圍
10.2.2 引用文件
10.2.3元器件貼裝工藝質(zhì)量檢驗內(nèi)容
10.2.4檢驗程序及分工
10.2.5 檢驗方法
10.2.6 控制要求
1.貼裝位置要求
2.組裝元器件潤濕狀況和焊料量
3.無引線器件
10.3 貼裝質(zhì)量控制
10.3.1焊點缺陷種類
10.3.2 常見缺陷的原因分析及解決方法
1.焊膏印刷缺陷
2.焊點缺陷
10.4 貼裝工藝輔助材料及其使用
10.4.1 焊膏
1.焊膏組成
2.焊膏種類
3.焊膏的粘度要求
4.焊膏的使用要求
5.焊膏的使用與保存
10.4.2 貼片膠（紅膠）
第11章基片加工制備
11.1對晶圓加工要求
1. 對襯底晶圓的性能要求
2襯底晶圓的生產(chǎn)
11.2 基片要求
1.基片主要功能
2.基片的失效模式
3.對基片材料的總體要求
4.不同應(yīng)用，對基片的基本要求
第12章 典型多層布線技術(shù)
12.1薄膜多層布線技術(shù)
1.薄膜多層基板制作流程
3.薄膜多層布線通孔的制作工藝流程
12.2 厚膜多層布線技術(shù)
1.厚膜多層基板工藝方法
12.3 低溫共燒多層基板（LTCC）的制作技術(shù)
1.LTCC基板
2.制備LTCC基板工藝
3.不同基板性能比較
4.零收縮率燒結(jié)LTCC
12.4 MCM-C/D 技術(shù)
第13章 多芯片混合集成電路裝配知識
13.1 基礎(chǔ)知識
1 .MCM概念
2多芯片組件（MCM）的分類
13.2 多芯片組件（MCM）的組裝技術(shù)
13.3 大功率密度封裝外殼的性能
第 14 章培訓(xùn)及管理
14.1 培訓(xùn)指導(dǎo)
14.1.1培訓(xùn)教學(xué)知識
1.編寫教案意義與目的
2.編寫教案的基本方法
14.1.2工藝技術(shù)基礎(chǔ)知識
1.工藝文件知識介紹
14.1.3培訓(xùn)改進(jìn)教案編寫
1.編寫教案的基本形式
2.編寫教案的基本要求
14.1.4培訓(xùn)答疑解惑方法與技巧
1.講授法
2.討論法(會議法)
3.事例研究法
4.模擬訓(xùn)練技法
14.2管理
14.2.1新產(chǎn)品試制管理
1.產(chǎn)品設(shè)計性試制階段（樣機(jī)試制階段）的工藝工作
2.產(chǎn)品生產(chǎn)性試制階段
3.產(chǎn)品大批量生產(chǎn)階段的工藝工作
14.2.2批生產(chǎn)管理
1.電子產(chǎn)品的制造工藝技術(shù)
2.電子產(chǎn)品的制造工藝技術(shù)的管理
14.2.3統(tǒng)計過程控制及管理
1.SPC概念
2.SPC實施
3.SPC的重要工具—控制圖
4.SPC作用
5.SPC分析方法
6.SPC的應(yīng)用
14.2.4Cpk—工序能力指數(shù)
14.2.5質(zhì)量管理體系
1.關(guān)于質(zhì)量的基本知識
2.標(biāo)準(zhǔn)與標(biāo)準(zhǔn)化的基礎(chǔ)知識
3.產(chǎn)品質(zhì)量法
5.ISO 9000 族質(zhì)量管理體系標(biāo)準(zhǔn)
8.計量基本概念
9.事件及其概率
10.過程檢驗基礎(chǔ)知識